导读:本文包含了次级发射论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:次级,阴极,负电子,中子,亲和,稀土,金刚石。
次级发射论文文献综述
蒋鹏宇,王小霞,罗积润,赵青兰,李云[1]（2017）在《Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基直热式阴极次级电子发射的测试》一文中研究指出Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基直热式阴极具有热发射电流密度大、工作温度低的特点,是一种用于大功率连续波磁控管的热阴极。本文主要对Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2及其掺杂W、Re粉浸渍W基直热式阴极的次级发射系数进行测试。结果表明:Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基直热式阴极的次级电子发射系数(δm)为2.64,活性物质分别掺杂20wt%的Re粉和W粉后,阴极次级电子发射系数(δm)分别提高到2.76和3.06。(本文来源于《微波学报》期刊2017年S1期）
蒋鹏宇,王小霞,罗积润,赵青兰,李云[2]（2017）在《金属掺杂对Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基阴极次级电子发射的影响》一文中研究指出Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基直热式阴极具有热发射电流密度大、工作温度低的特点,是一种用于大功率连续波磁控管的直热式阴极。本文主要研究了金属Re、W的掺杂对Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基直热式阴极次级电子发射系数的影响。通过测试表明Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基直热式阴极的次级电子发射系数(δm)为2.64,活性物质分别掺杂20%(质量比)和30%的Re粉和W粉后,阴极的最大次级电子发射系数(δm)都得到了提升,而且掺杂W粉的效果要优于掺杂Re粉。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2017年12期）
李莉莉,丁明清,高玉娟,邵文生,冯进军[3]（2017）在《MPCVD法合成硼掺杂金刚石薄膜的次级发射性能》一文中研究指出为解决电子倍增器、场发射阴极和粒子/光子探测器现有阴极材料次级发射系数低且发射不稳定的问题,对微波等离子体化学气相沉积(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition,MPCVD)法结合H等离子体表面处理工艺制备的不同B2H6/CH4浓度的硼掺杂金刚石薄膜的次级发射能力进行了研究。样品表面扫描电子显微镜和拉曼光谱分析结果显示,硼掺杂金刚石膜表面形貌与未掺杂的金刚石膜相似,样品表面均为高纯度的金刚石相。将置于空气中数日且未经任何表面处理的硼掺杂金刚石样品进行次级电子发射性能测试,结果显示一次电子入射能量为1keV时,得到高达18.3的二次电子发射系数。试验证实这种具有高二次电子发射系数的硼掺杂金刚石膜,暴露空气中由于表面氧化会破坏其表面的负电子亲和势,而真空中加热会使表面重新恢复负电子亲和势,这种负电子亲和势的完整保留,提高了该材料次级发射的稳定性,在器件中具有重要的应用前景。(本文来源于《中国空间科学技术》期刊2017年02期）
朱木易,高玉娟[4]（2015）在《次级发射的应用现状和发展前景》一文中研究指出本文通过对次级发射的背景和国内外同行的研究介绍,显示了次级发射研究在真空电子器件中的重要性。同时,介绍了在次级发射研究上的一些成绩,并提出一些新想法以供有兴趣的读者讨论。(本文来源于《真空电子技术》期刊2015年02期）
周荣楣,张芳,王楠[5]（2013）在《银镁合金次级电子发射极激活机理的探讨》一文中研究指出本文主要用数理推导的方式对应用在光电倍增管中银镁合金的次级电子发射机理进行了深入的探讨,并由此分析出与银镁合金次级发射有关的主要技术指标,进而为制作银镁合金的敏化工艺奠定了技术基础。(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）》期刊2013-08-22）
张健,谢爱根,王玲,王铁邦[6]（2012）在《材料次级电子发射特性对表面充电影响的数值计算研究》一文中研究指出表面充电是最早被人们发现的空间环境效应,是由空间环境引起的航天器异常和故障的主要诱因之一.采用较精确的金属二次电子发射公式和局部电流平衡模型,在无光照的情况下,对不同表面材料及不同几何形体的航天器表面充电电位进行计算,并绘制了表面材料的充电电位与最大二次电子发射系数之间的关系曲线.根据数值计算结果及次级电子发射系数和曲线图得知,航天器阴面充电电位与表面材料的原子序数、最大二次电子发射系数和入射离子引起的次级发射系数均有关.该计算对航天器表面材料的选取和设计工艺有一定的参考价值.(本文来源于《空间科学学报》期刊2012年06期）
李娜,高玉娟[7]（2012）在《W-Y_2O_3高温阴极的次级发射及应用研究》一文中研究指出针对在医用磁控管中所使用的一种W-Y2O3高温阴极进行了研究。研究结果表明:阴极具有良好的次级发射性能,在阴极低温状态(约600℃)下最大次级发射系数δmax为2.45,满足器件对次级发射阴极的要求。另外,在实际应用方面的研究表明,阴极在某型号医用磁控管中的工作温度在1400～1500℃左右,电流密度达到7.4A/cm2,输出功率超过4MW。上述研究表明,此阴极是一种有效的次级发射源。(本文来源于《真空电子技术》期刊2012年05期）
耀星[8]（2010）在《复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(SPS)的制备方法》一文中研究指出北京工业大学科研处近日向社会推出一种复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(SPS)的制备方法。据介绍,该制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明所提供的制备复合稀土钼次级发射材料的制备方法特点在于:在钼的氧化物或钼粉中,以稀土硝酸盐水溶液形(本文来源于《粉末冶金工业》期刊2010年01期）
刘伟,王金淑,高非,任志远,周美玲[9]（2009）在《复合稀土钼材料次级发射性能》一文中研究指出利用溶胶-凝胶法制备稀土氧化物掺杂钼粉,随后利用放电等离子体烧结法将该粉末制备成稀土钼金属陶瓷材料,利用SEM、DTA、电子发射性能测试等方法对样品次级电子发射性能进行研究。结果表明:稀土氧化物均匀掺杂和组织的细化有利于材料发射性能提高,但不能降低其激活温度;经过高温氢气处理,样品的真空激活温度大幅降低,发射系数提高;稀土氧化物易吸收水分和气体的特性导致后续真空激活过程中阴极表层钼氧化,而高温氢气处理消除了样品中多余的水分和气体,保持了样品中金属与氧化物的相间分布状态,这是样品在活化前后发射性能发生变化的主要原因。(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2009年09期）
阮锡超,周祖英,陈国长,祁步嘉,李霞[10]（2007）在《中子与~9Be和~(6,7)Li反应的次级中子发射谱实验研究(英文)》一文中研究指出测量了8．17MeV与10．27MeV中子与9Be和6,7Li作用的次级中子双微分截面．对于10．27MeV,为了消除从D(d,np)破裂反应来的源破裂中子对双微分截面测量结果的影响,采用了常规多探测器快中子飞行时间谱仪和非常规多探测器快中子飞行时间谱仪相结合的办法．用Monte-Carlo方法对实验测量得到的飞行时间谱进行了详细的模拟,通过测量谱与模拟谱的比较,得到了实验测量的次级中子双微分截面．实验测量结果以n-p(常规谱仪)和n-C(非常规谱仪)弹性散射微分截面作为归一．测量结果与评价数据以及其他测量数据进行了比较．用一个基于Hauser-Feshbach和激子模型的轻核核反应理论模型对6,7Li的次级中子双微分截面进行了计算,理论计算结果与实验结果符合得较好．(本文来源于《高能物理与核物理》期刊2007年05期）
次级发射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基直热式阴极具有热发射电流密度大、工作温度低的特点,是一种用于大功率连续波磁控管的直热式阴极。本文主要研究了金属Re、W的掺杂对Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基直热式阴极次级电子发射系数的影响。通过测试表明Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基直热式阴极的次级电子发射系数(δm)为2.64,活性物质分别掺杂20%(质量比)和30%的Re粉和W粉后,阴极的最大次级电子发射系数(δm)都得到了提升,而且掺杂W粉的效果要优于掺杂Re粉。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
次级发射论文参考文献
[1].蒋鹏宇,王小霞,罗积润,赵青兰,李云.Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基直热式阴极次级电子发射的测试[J].微波学报.2017
[2].蒋鹏宇,王小霞,罗积润,赵青兰,李云.金属掺杂对Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2浸渍W基阴极次级电子发射的影响[J].真空科学与技术学报.2017
[3].李莉莉,丁明清,高玉娟,邵文生,冯进军.MPCVD法合成硼掺杂金刚石薄膜的次级发射性能[J].中国空间科学技术.2017
[4].朱木易,高玉娟.次级发射的应用现状和发展前景[J].真空电子技术.2015
[5].周荣楣,张芳,王楠.银镁合金次级电子发射极激活机理的探讨[C].中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）.2013
[6].张健,谢爱根,王玲,王铁邦.材料次级电子发射特性对表面充电影响的数值计算研究[J].空间科学学报.2012
[7].李娜,高玉娟.W-Y_2O_3高温阴极的次级发射及应用研究[J].真空电子技术.2012
[8].耀星.复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(SPS)的制备方法[J].粉末冶金工业.2010
[9].刘伟,王金淑,高非,任志远,周美玲.复合稀土钼材料次级发射性能[J].中国有色金属学报.2009
[10].阮锡超,周祖英,陈国长,祁步嘉,李霞.中子与~9Be和~(6,7)Li反应的次级中子发射谱实验研究(英文)[J].高能物理与核物理.2007
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