导读:本文包含了热施主论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:施主,杂质,单晶硅,快速,复合体,光热,电离。
热施主论文文献综述
周军委,原帅,袁康,余学功,马向阳[1]（2018）在《碳杂质对直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响》一文中研究指出本文研究了碳杂质对掺氮直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响。电阻率测试和低温傅里叶远红外吸收光谱研究表明:碳杂质显着降低了掺氮直拉硅单晶在650℃退火时所形成的氮氧复合体浅热施主浓度。此外,研究还发现碳杂质使掺氮直拉硅单晶在650℃退火时形成了碳氧复合体和更多的氧沉淀核心,由此消耗了更多的间隙氧原子。这一发现被认为是碳杂质抑制掺氮直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的主要原因。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2018年05期）
周潘兵,李亚东,周浪[2]（2013）在《硅中热施主在热过程中的消长研究》一文中研究指出研究退火消除直拉单晶硅中热施主的效果以及在后续热过程中热施主的再形成规律。实验结果显示,采用650℃保温40min的退火可有效消除直拉单晶硅锭肩下部形成的热施主,并使其少子寿命恢复到实际值。消除了热施主的硅锭肩下部硅片在后续的900℃/40min加热后以小于11℃/min的速率冷却,硅片的热施主会再次生成,热施主的再生成量随冷却速率增加而减少,当冷却速率达100℃/min时可避免热施主的再次生成。实验结果还显示,采用3℃/min速率慢冷至550℃再以100℃/min的速率快冷至室温的两步冷却也可避免该硅片热施主的再次生成。实验还发现,消除了热施主的硅锭肩下部硅片经900℃/40min加热后的少子寿命随冷却速率的增加而降低;经上述两步冷却与3℃/min速率一步慢冷得到的少子寿命基本相等。(本文来源于《太阳能学报》期刊2013年01期）
邓晓冉,杨帅[3]（2007）在《热预处理对中子辐照直拉硅中热施主的影响》一文中研究指出对快中子辐照的直拉硅分别进行了650℃和120℃快速(RTP)预热处理.450℃下不同时间热处理激发热施主,通过四探针测量电阻率和载流子浓度的变化规律,应用傅里叶红外光谱(FTIR)测量间隙氧含量的变化.实验表明经650℃预热处理,使辐照样品热施主的形成受到了抑制;Ar气氛RTP预处理条件下,随辐照剂量的增加热施主形成的总量会不断下降.N2气氛RTP预处理,使未辐照样品的热施主形成被抑制,气氛对辐照样品热施主的形成没有明显的影响.(本文来源于《半导体学报》期刊2007年02期）
俞征峰,席珍强,杨德仁,阙端麟[4]（2005）在《铸造多晶硅中热施主形成规律》一文中研究指出采用四探针电阻率测试仪和傅立叶红外光谱测试仪,研究了铸造多晶硅中热施主的形成规律。实验发 现,初始氧浓度高、位错密度高、碳含量低的样品中,所形成的热施主浓度较高。这表明:碳对热施主的形成 有抑制作用;位错对热施主的形成有促进作用;晶界对热施主的形成没有明显地影响,而且碳和初始氧浓度的 影响最大。实验还发现,在650℃0．5h退火处理可以消除部分原生热施主,原生热施主对于随后的热施主的形 成规律没有明显影响。(本文来源于《太阳能学报》期刊2005年04期）
裴艳丽,杨德仁,马向阳,樊瑞新,阙端麟[5]（2003）在《高温快速热处理对硅中热施主的影响》一文中研究指出研究了不同气氛 (N2 、O2 、Ar)下高温快速热处理 (RTP)对热施主形成和消除特性的影响 .研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP ,对热施主的形成均无影响 .扩展电阻的分析结果表明 ,热施主在硅片纵向的分布是均匀的 .根据高温RTP后硅片的空位特征 ,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响 .同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响 ,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过 6 5 0℃退火即可消除 ,和普通的热施主消除特性相同 .而N2 气氛下高温RTP的样品 ,6 5 0℃退火后仍有部分施主存在 ,经 95 0℃退火才能彻底消除 ,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散 ,在后续热处理中形成氮氧复合体浅施主中心所致 .(本文来源于《半导体学报》期刊2003年10期）
张维连,孙军生,檀柏梅,李嘉席[6]（2001）在《锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响》一文中研究指出利用四探针测试和叁点弯曲法研究了掺入等价元素Ge的CZSi 450℃退火时晶体电学参数稳定性和硅片机械强度．发现Ge能抑制CZSi中氧施主的形成，降低热施主的形成速率和最大浓度，改善硅材料的内在质量，提高硅片的机械强度，以杂质量级掺入到硅中的Ge对提高硅材料的综合性能是有益的．(本文来源于《河北工业大学学报》期刊2001年02期）
石晓红,刘普霖,张溪文,陈张海,史国良[7]（1996）在《氮气气氛下生长的Si单晶中N—O浅热施主的光热电离光谱研究》一文中研究指出利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅热施主的热退火行为．结果表明，氮气氛下生长的Ｓｉ单晶，原生样品中就存在与Ｎ、Ｏ有关的浅热施主（ＳＴＤ）．在４５０℃退火条件下，ＳＴＤ浓度最大；６５０℃退火后，部分ＳＴＤ消失；在９００℃高温下作较长时间退火，由于氧的浓度降低，ＳＴＤ完全消失(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊1996年04期）
栾洪发,张果虎,李兵,陈学清,秦福[8]（1995）在《直拉硅单晶中热施主的快速热退除》一文中研究指出本文研究了快速热处理退除热施主态的丁艺，及４５０℃、１小时热处理施主的再生问题．结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法，其效果与常规６５０℃、２小时处理相同．４５０℃、１小时处理没有热施主再生现象发生．(本文来源于《半导体学报》期刊1995年10期）
杨德仁,阙端麟[9]（1995）在《微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究》一文中研究指出利用低温（８Ｋ）远红外吸收技术，研究了硅单晶中氮杂质对热施主及浅热施主形成的影响，指出氮原子有抑制硅中热施主形成的能力，而微氮硅中的浅热施主和氧－氮复合体直接相关。(本文来源于《半导体学报》期刊1995年08期）
杨德仁[10]（1993）在《硅晶体中热施主研究》一文中研究指出本文综述了直拉(CZ)硅单晶中与氧杂质有关的热施主现象的研究,阐述了硅中热施主的基本性质、基本理论、近期研究进展以及主要研究方向。(本文来源于《材料科学与工程》期刊1993年04期）
热施主论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究退火消除直拉单晶硅中热施主的效果以及在后续热过程中热施主的再形成规律。实验结果显示,采用650℃保温40min的退火可有效消除直拉单晶硅锭肩下部形成的热施主,并使其少子寿命恢复到实际值。消除了热施主的硅锭肩下部硅片在后续的900℃/40min加热后以小于11℃/min的速率冷却,硅片的热施主会再次生成,热施主的再生成量随冷却速率增加而减少,当冷却速率达100℃/min时可避免热施主的再次生成。实验结果还显示,采用3℃/min速率慢冷至550℃再以100℃/min的速率快冷至室温的两步冷却也可避免该硅片热施主的再次生成。实验还发现,消除了热施主的硅锭肩下部硅片经900℃/40min加热后的少子寿命随冷却速率的增加而降低;经上述两步冷却与3℃/min速率一步慢冷得到的少子寿命基本相等。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
热施主论文参考文献
[1].周军委,原帅,袁康,余学功,马向阳.碳杂质对直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响[J].材料科学与工程学报.2018
[2].周潘兵,李亚东,周浪.硅中热施主在热过程中的消长研究[J].太阳能学报.2013
[3].邓晓冉,杨帅.热预处理对中子辐照直拉硅中热施主的影响[J].半导体学报.2007
[4].俞征峰,席珍强,杨德仁,阙端麟.铸造多晶硅中热施主形成规律[J].太阳能学报.2005
[5].裴艳丽,杨德仁,马向阳,樊瑞新,阙端麟.高温快速热处理对硅中热施主的影响[J].半导体学报.2003
[6].张维连,孙军生,檀柏梅,李嘉席.锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响[J].河北工业大学学报.2001
[7].石晓红,刘普霖,张溪文,陈张海,史国良.氮气气氛下生长的Si单晶中N—O浅热施主的光热电离光谱研究[J].红外与毫米波学报.1996
[8].栾洪发,张果虎,李兵,陈学清,秦福.直拉硅单晶中热施主的快速热退除[J].半导体学报.1995
[9].杨德仁,阙端麟.微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究[J].半导体学报.1995
[10].杨德仁.硅晶体中热施主研究[J].材料科学与工程.1993
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