导读:本文包含了电调制光谱论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:光谱,反射,量子,光电,效应,电场,外延。
电调制光谱论文文献综述
吴露[1]（2017）在《电调制光谱响应智能材料及器件研究》一文中研究指出基于可逆电沉积的电调制光谱响应智能器件,又称为基于可逆电沉积的电致变色器件,由于结构简单、制备简便、成本低廉等优点有望被广泛应用于智能窗户、显示器件等领域。基于可逆电沉积的电调制光谱响应智能器件在外界施加电压时可沉积金属(如铜、铋、铅、镍、银等)于透明导电电极表面,去除电压时可溶解金属于电解质中,从而实现器件光学性质的调控。通过对透明导电电极表面进行适当修饰,由于电极修饰表面薄膜的吸收、散射等光学作用,基于可逆电沉积的电调制光谱响应智能器件可在单一器件中实现多种光学状态的快速可逆转变。本文以基于可逆电沉积的电调制光谱响应智能器件为研究课题,系统性研究了二氧化钛纳米颗粒粒径、二氧化钛前驱体溶液浓度、旋转涂布速率及次数、浸渍提拉速率及次数对沉积的二氧化钛薄膜形貌结构,以及相应基于可逆电沉积的电调制光谱响应智能器件性能的影响。重点研究了通过模板法制备得到的多孔二氧化钛薄膜对基于可逆电沉积的电调制光谱响应智能器件性能的优化改性效果。主要研究内容分为叁部分:1)采用旋转涂布技术将二氧化钛纳米颗粒涂覆于氟掺杂氧化锡(FTO)透明导电玻璃衬底表面,并组装成“叁明治”结构的基于可逆电沉积的电调制光谱响应智能器件。系统性研究了不同电极修饰参数,包括二氧化钛纳米颗粒粒径、旋转涂布速率、二氧化钛纳米颗粒前驱体溶液浓度和旋转涂布次数对沉积得到的二氧化钛薄膜形貌结构以及电调制光谱响应智能器件的性能,包括透射率、反射率、光学对比度、响应速度、着色效率、循环稳定性和记忆效应的影响。实验结果表明基于电沉积的电调制光谱响应智能器件的性能可以通过采用不同电极修饰参数进行调控。基于电沉积的电调制光谱响应智能器件的光学对比度随着二氧化钛薄膜厚度的减小而增加,这可以通过采用小粒径二氧化钛纳米颗粒、高旋转涂布速率、低前驱体溶液浓度及少旋转涂布次数实现;响应速度和记忆时间强烈依赖于二氧化钛薄膜的表面粗糙度,即粗糙的二氧化钛薄膜表面提供更大的比表面积加快着色速率、降低褪色速率并增加记忆时间;着色效率和循环稳定性在粒径为5～10 nm、旋转涂布速率为2000 rpm、旋转次数为1时达到最优,分别为32.7 cm2/C和光学对比度减少率59%,降低前驱体溶液浓度可以进一步提高。因此,本章节的研究内容有效地建立了 FTO透明导电玻璃电极表面修饰参数、电极表面修饰薄膜形貌结构以及电调制光谱响应智能器件性能的关联性,有助于基于电沉积的电调制光谱响应智能器件针对不同应用领域对不同性能参数的侧重进行理性设计。2)采用操作简便并精确可控的浸渍提拉镀膜技术将二氧化钛纳米颗粒修饰于FTO透明导电玻璃电极表面,并组装成“叁明治”结构的电调制光谱响应智能器件。系统性研究了不同二氧化钛纳米颗粒修饰参数,包括二氧化钛纳米颗粒粒径、浸渍提拉速率、二氧化钛纳米颗粒前驱体溶液浓度和浸渍提拉次数对沉积得到的二氧化钛薄膜形貌结构以及二氧化钛薄膜基可逆电沉积电调制光谱响应智能器件的性能,包括透射率、反射率、光学对比度、响应速度、着色效率、循环稳定性和记忆效应的影响。实验结果表明基于电沉积的电调制光谱响应智能器件性能与修饰于电极表面的二氧化钛薄膜的厚度及表面粗糙度等形貌结构密切相关,而二氧化钛薄膜的形貌结构可通过电极表面修饰参数进行调控。二氧化钛薄膜的厚度随着二氧化钛纳米颗粒粒径的增大、浸渍提拉速率的加快、前驱体溶液浓度的增大以及旋转涂布次数的而增大;二氧化钛薄膜随着二氧化钛纳米颗粒粒径的增大、浸渍提拉速率的降低、前驱体溶液浓度的增大以及旋转涂布次数的增加变得更加粗糙且存在一定的纳米颗粒堆积现象。对于二氧化钛薄膜基电调制光谱响应智能器件,5～10 nm二氧化钛薄膜基电调制光谱响应智能器件具有更高的对比度(48%)、更快的响应速度(着色时间6.2 s;褪色时间19.6 s)、更高的着色效率(27.0 cm2/C)和更优的循环稳定性(光学对比度减少率27%),而100 nm二氧化钛薄膜基电调制光谱响应智能器件具有更长的记忆时间(22.2 min);低浸渍提拉速率条件下制备得到的二氧化钛薄膜基电调制光谱响应智能器件表现出更高的对比度、更快的着色响应速度、更高的着色效率和更长记忆时间,而高浸渍提拉速率条件下制备得到的二氧化钛薄膜基电调制光谱响应智能器件表现出更快的褪色响应速度和更优的循环稳定性,二氧化钛薄膜基电调制光谱响应智能器件的对比度、褪色响应速度和着色效率在低浓度条件下有所提升,但着色响应速度和循环稳定性有所下降;多次重复提拉的二氧化钛薄膜基电调制光谱响应智能器件的对比度、响应速度、着色效率及循环稳定性均变差。本章节的研究内容建立了 FTO透明导电玻璃电极表面修饰参数、电极表面修饰薄膜形貌结构以及二氧化钛薄膜基可逆电沉积电调制光谱响应智能器件性能的系统性关联,实现了可逆电沉积电调制光谱响应智能器件的可控制备。3)通过模板法(采用聚苯乙烯微球)将多孔二氧化钛薄膜修饰于FTO透明导电玻璃电极表面,并组装成“叁明治”结构的二氧化钛薄膜基可逆电沉积电调制光谱响应智能器件。深入研究了多孔二氧化钛薄膜形貌结构与二氧化钛薄膜基可逆电沉积电调制光谱响应智能器件性能的构效关系。通过对比非孔二氧化钛薄膜基可逆电沉积电调制光谱响应智能器件,可以观察到多孔二氧化钛薄膜具有更均匀平整的表面,且纳米颗粒堆积较少,孔洞均匀分布;多孔二氧化钛薄膜基电调制光谱响应智能器件具有更高的光学对比度(69.6%)、更快的着色时间(着色时间4.4 s,褪色时间23.2 s)、更高的着色效率(33.8 cm2/C)、更长的记忆时间(28 min)及更优的循环稳定性(光学对比度减少率为9.6%)。本章节研究的内容为多态可逆电沉积电调制光谱响应智能器件的优化设计提供了新的途径,并为多态可逆电沉积电调制光谱响应智能器件的应用推广提供了技术支撑。(本文来源于《电子科技大学》期刊2017-09-15）
王亚丽,林梓愿,柴扬,王胜[2]（2016）在《单层MoS_2的电调制荧光光谱特性》一文中研究指出采用化学气相沉积法在氧化硅衬底上合成大面积、高质量的单层MoS2二维材料,系统表征了材料的光学特性,并制备出高性能的n型场效应晶体管器件.进一步研究了外加电场对其荧光光谱特性的影响.结果表明:在室温条件下,单层MoS2的荧光光谱的最强特征峰由A-(带电激子态)、A(本征激子态)两个发光峰构成,并且二者的特征能量差约为35meV;通过调节底栅电压,测得发光峰随着栅压由负变正表现出明显的峰位红移和强度改变,且两个子峰的强度随栅压变化表现出相反的变化趋势;外加电场能够有效改变沟道中的载流子浓度,进而改变单层MoS2荧光光谱的强度和发光峰形状.为研究二维材料发光特性的物理机制提供了重要依据,此外这种器件的大规模制备为其应用于光电子学器件与系统提供了可能.(本文来源于《光子学报》期刊2016年07期）
王斌,徐晓轩,秦哲,宋宁,张存洲[3]（2008）在《金属-砷化镓界面的电调制反射光谱与Franz-Keldysh效应研究》一文中研究指出通过调制光谱这种基础的光学方法来研究Au-GaAs,Al-GaAs,Ni-GaAs的金属半导体界面的一些电学性质,并且加以比较,其中包括电场、费米能级扎钉和界面态密度等情况。这些界面是通过在SIN+GaAs样品上沉积金属(Au,Al,Ni)生长成的。通过观察电反射谱来研究金属GaAs的界面电场和费米能级扎钉的情况,然后通过傅里叶变换这些所取得的电反射谱来分析这些材料的界面性质。通过测量氦氖激光器诱导产生的光电压和激光器光强之间的关系来得到这些材料的界面态密度情况,从而进行进一步的研究。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2008年08期）
王引书,王若桢[4]（2002）在《镶嵌于玻璃中的CdSe_(1-x)S_x量子点的电调制光谱测量》一文中研究指出采用直流偏置的交流调制电场测量了玻璃中各向同性的CdSe1 xSx 量子点的电调制光谱 ,介绍了各向同性材料电调制光谱的测量方法 ,分析了与一般电调制光谱测量方法不同的原因。采用偏置后的交流调制电场 ,可以检测到与电场同频率 ( 1f)而位相差 90°的CdSe1 xSx 量子点的电吸收信号 ,该信号比采用二倍频检测 ( 2 f)的信号大一个数量级 ,比通常采用正弦波调制电场的信号大 3个数量级。采用直流偏置调制电场有利于各向同性材料的电光性能的测量(本文来源于《光学技术》期刊2002年05期）
颜其礼,王引书,孙平,黄平,王若桢[5]（2002）在《LiNbO_3:Fe~(3+)晶体中Fe~(3+)离子的电调制光谱》一文中研究指出近十几年来电吸收谱方法被广泛用于半导体超晶格、量子阱、量子点等微结构的电子态研究中,并以其高灵敏和(本文来源于《加入WTO和中国科技与可持续发展——挑战与机遇、责任和对策（上册）》期刊2002-09-05）
江德生,汤寅生,夏建白[6]（1989）在《量子阱光反射光谱的电调制机理》一文中研究指出研究了量子阱材料光反射光谱的电调制机理,根据斯塔克效应,对量子阱中非激子的带间跃迁和激子跃迁两种情况,分析了电场引起的介电函数的改变和相应的光反射调制光谱线形,对GaAs/AlGaAs量子阱所得光反射光谱的实验结果与理论分析基本符合.(本文来源于《红外研究》期刊1989年01期）
王宜,王桂芬,张光寅,马根源,张存洲[7]（1988）在《Cu_2O室温电调制反射激子光谱》一文中研究指出本文用电解液电调制反射谱方法;研究了室温下Cu_2O的青系蓝系激子谱.实验结果用最小二乘法对Aspens的理论进行了曲线拟合.将拟合结果与低温和室温下的反射、吸收谱数据进行比较,得到在电解液电反射谱中,不仅有青系.系n=1的激子效应,而且也包含n=2的激子效应.文中也做了不同抛光表面样品的电反射谱;发现它们有显着不同的光谱特征.(本文来源于《光学学报》期刊1988年10期）
孙长河,张丽云,刘晓敏,贾刚[8]（1987）在《用电调制反射光谱的方法确定能带中临界点的位置》一文中研究指出本文用通常的仪器和简单的方法,测量了半导体材料的电调制反射光谱,从而确定出能带中临界点的位置。其特点是把半导体二极管作为光电倍增管的负载以自动实现交、直流两种讯号相除的方法,测量了反射的相对调制(ΔR)/(R),并给出了由测量过程本身自洽地确定二极管的有效动态电阻区的方法。(本文来源于《物理实验》期刊1987年05期）
刘继光,江德生[9]（1986）在《GaAlAs薄层组份及其纵向分布的电调制光谱测量》一文中研究指出本文报道了用电调制反射光谱法测量GaA1As的能隙与组份的依赖关系,以及外延薄层和异质结界面处组份的纵向分布。利用样品在紫外区的吸收很大、透入深度较小的特点,结合阳极氧化和化学腐蚀剥层技术,测量了薄层和异质结固溶体样品组份的纵向分布。(本文来源于《红外研究(A辑)》期刊1986年06期）
电调制光谱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用化学气相沉积法在氧化硅衬底上合成大面积、高质量的单层MoS2二维材料,系统表征了材料的光学特性,并制备出高性能的n型场效应晶体管器件.进一步研究了外加电场对其荧光光谱特性的影响.结果表明:在室温条件下,单层MoS2的荧光光谱的最强特征峰由A-(带电激子态)、A(本征激子态)两个发光峰构成,并且二者的特征能量差约为35meV;通过调节底栅电压,测得发光峰随着栅压由负变正表现出明显的峰位红移和强度改变,且两个子峰的强度随栅压变化表现出相反的变化趋势;外加电场能够有效改变沟道中的载流子浓度,进而改变单层MoS2荧光光谱的强度和发光峰形状.为研究二维材料发光特性的物理机制提供了重要依据,此外这种器件的大规模制备为其应用于光电子学器件与系统提供了可能.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电调制光谱论文参考文献
[1].吴露.电调制光谱响应智能材料及器件研究[D].电子科技大学.2017
[2].王亚丽,林梓愿,柴扬,王胜.单层MoS_2的电调制荧光光谱特性[J].光子学报.2016
[3].王斌,徐晓轩,秦哲,宋宁,张存洲.金属-砷化镓界面的电调制反射光谱与Franz-Keldysh效应研究[J].光谱学与光谱分析.2008
[4].王引书,王若桢.镶嵌于玻璃中的CdSe_(1-x)S_x量子点的电调制光谱测量[J].光学技术.2002
[5].颜其礼,王引书,孙平,黄平,王若桢.LiNbO_3:Fe~(3+)晶体中Fe~(3+)离子的电调制光谱[C].加入WTO和中国科技与可持续发展——挑战与机遇、责任和对策（上册）.2002
[6].江德生,汤寅生,夏建白.量子阱光反射光谱的电调制机理[J].红外研究.1989
[7].王宜,王桂芬,张光寅,马根源,张存洲.Cu_2O室温电调制反射激子光谱[J].光学学报.1988
[8].孙长河,张丽云,刘晓敏,贾刚.用电调制反射光谱的方法确定能带中临界点的位置[J].物理实验.1987
[9].刘继光,江德生.GaAlAs薄层组份及其纵向分布的电调制光谱测量[J].红外研究(A辑).1986
论文知识图
