导读:本文包含了寄生参数论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:参数,电流,电容,栅极,等效电路,有限元,电压互感器。
寄生参数论文文献综述写法
李璇,吴士普,刘西超,李玉堃,王炎[1]（2019）在《考虑寄生参数的220 kV柱式电压互感器的暂态电路模型》一文中研究指出220kV柱式电压互感器是高压电网中重要的电气设备,建立高压柱式电压互感器的暂态电路模型对研究其快速暂态过电压分布具有重要意义。首先利用矢量网络分析仪测量得到了高压220kV柱式电压互感器的宽频阻抗参数,然后根据220kV柱式互感器的内部结构,建立了考虑寄生电感和杂散电容影响的互感器暂态电路模型,并将该暂态电路模型与测量得到的宽频阻抗参数进行对比,验证了互感器暂态电路模型的有效性;最后利用考虑寄生电感和杂散电容影响的暂态电路模型计算了在工频和雷电冲击电压作用下柱式电压互感器二次回路输出电压,获得了柱式电压互感器的宽频传递特性。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2019年29期）
范春帅,张扬,彭丽君[2]（2019）在《MOSFET栅极寄生电容对电参数测试影响》一文中研究指出在进行大功率MOSFET器件的IGSS参数测试时,时常会出现测试值随着采样延迟时间的增加而减小的情况,该种情况极易造成合格器件的误判。本文通过对MOSFET结构的分析,从原理上解释了上述现象的成因,并且提出了一种可以有效避免,由于栅极寄生电容干扰导致测试结果不准确的测试程序编写方法。(本文来源于《电子世界》期刊2019年17期）
何亚宁[3]（2019）在《一种用于功率半导体模块动态特性建模的封装寄生参数高效提取方法》一文中研究指出随着弧焊逆变电源向高频和高功率密度发展,更高电压及电流的变化率使寄生参数的影响更加突出。为解决系统设计者在缺乏芯片的工艺和电参数条件下建立功率半导体模块模型的普遍问题,推出一种高效实用的封装寄生参数提取方法——基于部分单元等效电路PEEC原理拆分互连导体,筛选出几何同构的一个单元,运用ANSYS Q3D进行准静态电磁场的数值计算,提取寄生电感电阻参数矩阵,合并与约减等效电路,构建包含封装寄生电感电阻电容的完整模块模型。以SKM200GB125D IGBT模块为例给出了模型参数,运用双脉冲测试法对开关特性进行实测和仿真,仿真波形与实测对比证实了模型的准确性与建模方法的有效性。(本文来源于《电焊机》期刊2019年06期）
王巍[4]（2019）在《RC寄生参数提取在数模混合IC设计中的应用》一文中研究指出目前的数模混合集成电路设计中,需要对模拟部分进行后版图仿真并对整体电路进行时序分析。版图后仿真需要进行晶体管级的寄生参数提取,芯片时序分析则需要对互连线进行寄生参数提取。RC寄生参数提取的精确度和效率在很大程度上影响着整体芯片设计的质量和效率。(本文来源于《中国集成电路》期刊2019年06期）
石浩,吴鹏飞,唐新灵,董建军,韩荣刚[5]（2019）在《封装寄生参数对并联IGBT芯片瞬态电流分布的影响规律》一文中研究指出大功率IGBT器件通过并联多个IGBT芯片来获得大电流等级,并联芯片动静态电流分布的一致性对于提高器件电流等级以及可靠性至关重要。首先介绍了大功率IGBT模块内部布局不一致导致的封装寄生参数差异性。其次,结合IGBT等效电路模型及其开关特性,分析了寄生参数差异性对于并联IGBT芯片瞬态电流分布特性的影响规律。最后,建立了并联IGBT芯片的等效电路模型,并应用Synopsys Saber软件建立了仿真电路,从封装寄生电感参数差异性、封装寄生电阻参数差异性,分析了参数差异对并联芯片的瞬态电流分布特性的影响。(本文来源于《中国电力》期刊2019年08期）
陈立川[6]（2019）在《基于SiC MOSFET功率模块的驱动电路寄生参数研究》一文中研究指出当前,随着电力系统的发展和智能电网的建立,电力电子设备的研发和应用逐渐成为了新一代电力技术的关键所在。而在电力电子技术中,功率开关器件占有极为重要的地位。作为功率变换器中的核心部分,功率开关器件的发展水平在很大程度上决定了电力电子设备的发展水平。目前,以硅(Si)型半导体为基础的MOSFET、IGBT等功率开关器件在行业里的应用最为广泛,但是由于Si材料自身的局限性,使其发展极为受限。Si型半导体的最高工作电压比较低且导通电阻较髙,使得基于Si材料的功率半导体器件的开关损耗较高。此外,Si器件的禁带宽度及导热率均较小,使得器件的最大功率和最大工作温度都受限。在此背景下,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第叁代半导体器件开始崭露头角。其中SiC较GaN而言,电压等级和功率等级更高,因此在高电压和大功率的应用场合,SiC器件具有较大的优势。作为宽禁带器件,SiC的禁带宽度是Si的3倍,击穿场强是Si的10倍,热导率是Si的2.5倍,因此带来的击穿电压高、热导率高、开关频率高等良好的特性使得SiC MOSFET在近年来发展迅速,并广泛投入到商业化应用当中。目前,关于SiC MOSFET的研究主要集中在SiC MOSFET模型的建立及其优良性能的测试上,对SiC MOSFET驱动回路的模型和寄生参数影响极为有限。本文在总结现有驱动回路寄生参数相关研究的基础上,建立了SiC MOSFET驱动回路的模型,据此完成了驱动回路的仿真实验,分析了驱动回路各个寄生参数对驱动性能的影响。在此基础上,为1200V/120A的SiC MOSFET功率模块做出了相应的配套驱动方案设计,并通过实验验证其性能。(本文来源于《华中科技大学》期刊2019-05-01）
苑淑华[7]（2019）在《基于多面体网格的集成电路寄生参数提取》一文中研究指出随着集成电路的不断发展,特征尺寸不断减小,导致互连寄生效应愈加的显着,特别是当器件的特征尺寸降至纳米级后,互连寄生参数提取逐渐成为集成电路发展过程中面临的首要问题。在包含电磁场在内的各种工程场中,有限元法是应用最广泛、最重要的数值分析方法,其拥有成熟的算法理论,并且效率与精度都非常高。由于应用的多样化,出现了较为复杂几何结构,使用叁角形单元处理这类问题时,自由度数量多,计算变的复杂,导致数值计算的成本变大,因此提出了多边形有限元法。多边形有限元法是采用对偶网格节点上的电标量位作为未知量建立线性方程组,通过建立多边形上的插值函数,基于伽辽金法进行数值分析,从而研究在空间、时间上电场与磁场的分布及变化规律,最终利用后处理对各类器件以及系统上的电磁参数进行计算。此方法能够有效的避免使用矢量有限元而引入的相关复杂性。并且多边形网格有利于保持几何原有的形状,能够比较灵活应用于高阶有限元分析之中。其基于节点标量电位的特性有利于后处理的实施。所形成的线性矩阵具备良好的对称特性、稀疏特性,求解该方程所需的时间损耗及计算资源损耗均较少。本文首先针对非结构化网格离散空间上的电容提取算法进行了探讨,主要讨论了基于平均值坐标、Sibson坐标、Laplace坐标以及Wachspress坐标上的多边形有限元法。其次,有限元法建立稳定的代数系统需要协调性的网格来保证,因此,对多边形网格生成的方法进行了探讨,由于局部网格细化以及分离部件设计导致出现一些不匹配网格,本文又提出了一种通用的方法来处理不协调网格,该方法能够对各种网格进行连接,形成多边形单元,这些单元一般会退化为叁角形单元,然后基于有限元框架,通过分段插值得到单元网格上的插值函数。为了实现基于原始叁角化网格生成多边形网格,本文分别使用十二导体静电系统以及四导体静电系统为例,分析了多边形网格的生成过程。在二维空间中,将叁导体静电系统作为分析对象,验证了多边形有限元法的有效性和正确性。然后分别使用常规的有限元法以及多边形有限元法对不协调网格进行了处理。验证了多边形有限元法的实用性。总体上,多边形有限元法是将对偶网格单元上各个节点的电标量位作为未知量,建立多边形上的插值函数,基于伽辽金法进行数值分析,此算法对于处理分部分设计的合并计算、拓扑优化计算、多种网格的统一计算有着重要的意义。(本文来源于《安徽大学》期刊2019-05-01）
钱雅云[8]（2019）在《基于网格上随机行走法的集成电路寄生参数提取》一文中研究指出目前集成电路的信号频率在不断地提高,同时工艺特征尺寸也在不停地缩小。在集成电路发展初期很多不受关注的物理效应逐渐地影响了集成电路电路性能的提升,其中的代表性因素就是互连寄生效应。再加之某些工艺会对芯片平整度有一定的需求,需要增加悬浮导体解决。而悬浮导体的增加也会导致寄生效应的增强,因而寄生参数的提取显得尤为重要。现有的寄生参数提取方法中各有优劣,其中浮动随机行走法理论精度最高,没有离散误差,可以高度并行化,但收敛速度慢,对于复杂的几何外形、复杂的材料难以适应,对于非曼哈顿结构的处理效率不高。而离散几何法、有限元法等方法是基于体离散的方法,能够天然地适应复杂形状和复杂材料,然而该类方法形成的线性方程组却很难并行化计算。本文利用浮动随机行走法在每次行走之间几乎没有相关性,可高度并行化的特点,将其引入能够适应多媒质复杂结构的离散外微分框架之中,从待考察空间点出发在空间随机行走并在到达边界终止,用数理统计的方法统计出终止在各边界上的概率,并以其作为权重计算出目标空间点的场分布,并最终获得各种物理量值。该方法虽然精度也取决于网格,但是求解仍保持高效,且其占用存储空间非常少,并在求解局部场分布、大规模并行计算方面有显着的优势。本文实验结果证明,随着网格数量的增加,基于网格的随机行走法计算效率更显优势。在10546个节点的情况下,其计算效率是有限元法的2.3倍。该方法可用于对悬浮导体的处理之上。由于悬浮导体具有表面电势未知,且其表面电荷量为零的特点,传统方法在处理含有大量悬浮导体的系统时处理效率明显受到影响。本文提出的方法与传统方法相比,可以在保证精度的前提下具有更快的提取速度。本文中还探讨了采用离散外微分框架下的随机行走法用于敏感度分析的问题。通过对转移矩阵求偏导得到的电势对工艺参数的敏感度,进而求解寄生参数对工艺参数的敏感度。(本文来源于《安徽大学》期刊2019-02-01）
殷英,徐小宇,闫帅,吕鹏飞,任卓翔[9]（2019）在《寄生参数提取中不协调有限元网格的分析》一文中研究指出纳米尺度的超大规模集成电路结构复杂,对集成电路设计带来巨大的挑战。互联线寄生参数提取是设计中的重要课题之一,须借助有限元法等电磁场求解器。有限元法需要协调性网格来保证稳定地建立代数系统。然而由于分离部件设计、局部网格细化等原因,经常会出现不匹配网格的情况。本文提出了一种灵活通用的方法来高效地粘连与分析不协调网格。该方法自然地连接起各种网格,形成多边形或多面体单元,这些单元经常退化成诸如叁角形或四面体的单纯型,然后基于有限元法框架,通过退化的广义重心坐标和分段插值处理这些单元,得到网格单元上的分段形函数。此方法避免了对网格的重新划分,避免其他重心坐标法的复杂性,并获得良好的精度。论文选用位于衬底上方的叁导体静电系统的电容参数提取作为算例,验证了所述方法的可行性与准确性。(本文来源于《电子设计工程》期刊2019年01期）
李宇雄,陈材,康勇[10]（2018）在《基于极低寄生参数SiC模块的传导EMI噪声抑制》一文中研究指出为减小碳化硅(SiC)器件的高频电磁干扰(EMI),提出一种具有低寄生电感和对地电容的混合封装结构SiC功率模块来抑制传导EMI。构建了两个具有同样功率回路和驱动电路的Buck变换器进行实验验证。两个变换器分别采用所提功率模块和TO-247封装的商用器件。实验证明低寄生电感可大幅增加开关速率但对EMI影响甚微;而低对地电容能有效减小地面电流。考虑到软开关也能减小EMI,在此进一步对比两个变换器在两种工况下的EMI噪声,证明所提结构功率模块在两种工况下均可有效抑制共模噪声。(本文来源于《电力电子技术》期刊2018年08期）
寄生参数论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在进行大功率MOSFET器件的IGSS参数测试时,时常会出现测试值随着采样延迟时间的增加而减小的情况,该种情况极易造成合格器件的误判。本文通过对MOSFET结构的分析,从原理上解释了上述现象的成因,并且提出了一种可以有效避免,由于栅极寄生电容干扰导致测试结果不准确的测试程序编写方法。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
寄生参数论文参考文献
[1].李璇,吴士普,刘西超,李玉堃,王炎.考虑寄生参数的220kV柱式电压互感器的暂态电路模型[J].科学技术与工程.2019
[2].范春帅,张扬,彭丽君.MOSFET栅极寄生电容对电参数测试影响[J].电子世界.2019
[3].何亚宁.一种用于功率半导体模块动态特性建模的封装寄生参数高效提取方法[J].电焊机.2019
[4].王巍.RC寄生参数提取在数模混合IC设计中的应用[J].中国集成电路.2019
[5].石浩,吴鹏飞,唐新灵,董建军,韩荣刚.封装寄生参数对并联IGBT芯片瞬态电流分布的影响规律[J].中国电力.2019
[6].陈立川.基于SiCMOSFET功率模块的驱动电路寄生参数研究[D].华中科技大学.2019
[7].苑淑华.基于多面体网格的集成电路寄生参数提取[D].安徽大学.2019
[8].钱雅云.基于网格上随机行走法的集成电路寄生参数提取[D].安徽大学.2019
[9].殷英,徐小宇,闫帅,吕鹏飞,任卓翔.寄生参数提取中不协调有限元网格的分析[J].电子设计工程.2019
[10].李宇雄,陈材,康勇.基于极低寄生参数SiC模块的传导EMI噪声抑制[J].电力电子技术.2018