导读:本文包含了跃迁能量论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:能量,量子,公式,多量,同位素,组态,电场。
跃迁能量论文文献综述
华心仲,蒋刚,王潇,邓邦林[1]（2013）在《中性硅3s~23P~2 ~3P_2,~1D_2→3s3p~3 ~3D_3~o跃迁能量,超精细结构常数与同位素移动的MCDHF计算》一文中研究指出本文使用多组态Dirac-Hartree-Fock方法计算了~(29)Si的3s~23p~2 ~3P_2,~1D_2→3s3p~3D_3~0跃迁能量和~3P_2,~3D_3~0超精细结构A常数以及Si同位素~(29)Si,~(30)Si和~(31)Si相对于~(28)Si在3s~23p~2 ~3P_2→3s3p~3 ~3D_3~0跃迁的同位素移动.通过尝试双电子激发(SD)和叁电子激发(SDT),分别考虑VV相关,CV相关和CC相关产生各种不同的扩展组态波函数得到的计算结果和实验值的比较,推测了对于中性硅原子这两个组态,内壳层2p2s,1s电子活动到外壳层的概率较小,而3s3p壳层中的电子都比较活跃,但主要是在n=3,4的壳层内活动,活动到更高n壳层的概率则比较小.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2013年01期）
郭海峰,哈斯花,朱俊[2]（2011）在《应变GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱中电子的跃迁能量》一文中研究指出考虑电场及隧穿效应的影响,基于常微分数值计算方法,并利用量子阱系统边界条件自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得电子本征态。以典型的GaN/AlxGa1-xN量子阱为例,计算了势阱中电子的本征能级和带内跃迁能。结果表明,电子在量子阱中的能量是量子化的,内建电场促使能级间距增大;调节阱宽及组分可以获得不同能级并改变跃迁能。(本文来源于《功能材料》期刊2011年S2期）
张俊,谭平恒,赵伟杰[3]（2010）在《利用径向呼吸模及其倍频模的共振特性精确测定单壁碳纳米管的电子跃迁能量》一文中研究指出提出一个根据拉曼基频模及其倍频模的斯托克斯和反斯托克斯拉曼成分的不同共振行为来探测样品与激光共振的系统能级的方法.此方法被应用到不均匀单壁碳纳米管束样品中某一径向呼吸模频率为219波数的金属型碳纳米管.通过分析呼吸模及其倍频模和切向模的共振行为,获得了该碳纳米管的电子跃迁能量,并获得纳米管C-C最近邻重迭积分因子为2.80eV.此数值可以很好的解释单壁碳纳米管径向呼吸模的共振行为.(本文来源于《物理学报》期刊2010年11期）
张鹏,王慧,赵昆,肖景林[4]（2009）在《半导体量子点中极化子的跃迁能量》一文中研究指出研究了半导体量子点中极化子的激发态性质。采用Huybrechts线性组合算符和幺正变换方法,计算了量子点中极化子的振动频率、基态能量、第一激发态能量、由第一激发态向基态的跃迁能量和跃迁频率。分别讨论了电子-LO声子在强弱两种耦合情况下极化子的跃迁能量和跃迁频率。数值计算结果表明,跃迁能量ΔE和跃迁频率ω均随量子点有效受限长度l0的增加而减少,且随电子-声子耦合强度α的增加而减少。(本文来源于《发光学报》期刊2009年04期）
吴涌汶[5]（2004）在《劳动价值论的跃迁:能量价值论(下)》一文中研究指出①本文上篇见本刊今年第1期.②价值计算不过是基于客观规律的一个理论抽象,商品价值的实际形成过程并不是通过精确的计算来实现的,而是如同前面所讲的“思想实验"一样,是通过直观的类比机制而形成的劳动价值论的跃迁:能量价值论(下)@吴涌汶$中共重庆市委党校!重庆400041(本文来源于《探索》期刊2004年02期）
吴涌汶[6]（2004）在《劳动价值论的跃迁:能量价值论(上)》一文中研究指出本文根据方程组有解的判别定理证明,在投入和产出均以生产价格计量的条件下,价值转形问题是一个不可解的问题。继而,分析了马克思把商品价值仅仅归结为劳动的原因。在此基础上提出,动力源的能量耗费是商品价值的实体,商品的价值量取决于生产过程中动力源所作的平均功;并对这一假说在不同历史时代的具体表现方式以及在新的范式下关于利润平均化的解释进行了探讨。最后,就生产力水平的度量、资本的剥削以及社会主义分配的公平性问题,提出了几点看法。(本文来源于《探索》期刊2004年01期）
郭子政,梁希侠,班士良[7]（2002）在《Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数》一文中研究指出考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ -Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数 ,特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好 ,而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。(本文来源于《量子光学学报》期刊2002年03期）
李中华,吴崇试[8]（2000）在《A≈150区超形变带跃迁能量中振荡起伏的扣除和自旋指定》一文中研究指出在用 ａｂ公式指定 Ａ≈ １５０区超形变带的自旋值时，考虑了跃迁能量中存在着的振荡起伏的问题．讨论了几个典型超形变带的自旋指定。(本文来源于《高能物理与核物理》期刊2000年01期）
吴崇试[9]（1998）在《跃迁能量的光滑化与A～150区超形变带的自旋指定》一文中研究指出采用ａｂ拟合及其各种改进方案，系统地探讨了Ａ～１５０区超形变带的自旋指定问题．研究表明适当扣除跃迁能量中的振荡起伏后，自旋值指定的精度有所提高(本文来源于《宁夏大学学报(自然科学版)》期刊1998年04期）
王晓亮,孙殿照,孔梅影,侯洵,曾一平[10]（1998）在《In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化》一文中研究指出本文研究了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱中激子跃迁能量随Ｉｎ组分的变化．用国产ＧＳＭＢＥ设备生长了五个样品，这五个样品的阱宽均为５ｎｍ，垒宽均为２０ｎｍ，唯一的不同之处是阱层中的Ｉｎ组分不同，Ｉｎ组分从０．３９变化到０．６８．用Ｘ射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际Ｉｎ组分．用光致发光谱（ＰＬ）、吸收谱（ＡＳ）、光伏谱（ＰＶ）确定出了样品中的激子跃迁能量．对量子阱中的激子跃迁能量随Ｉｎ组分的变化进行了理论计算．结果表明：对给定阱宽的量子阱，随着Ｉｎ组分的增大，量子阱中１１Ｈ和１１Ｌ激子跃迁能量减小．１１Ｈ与１１Ｌ激子吸收峰间距随Ｉｎ组分的变化而变化，对５ｎｍ的量子阱，当ｘ＝０．４２时，ｎ＝１的重、轻空穴量子化能级简并．当ｘ＜０．４２时，１１Ｌ激子跃迁能量小于１１Ｈ激子跃迁能量；当ｘ＝０．４２时，１１Ｌ激子跃迁能量与１１Ｈ激子跃迁能量相等；当ｘ＞０．４２时，１１Ｌ激子跃迁能量大于１１Ｈ激子跃迁能量．实验结果与理论计算结果符合得很好(本文来源于《半导体学报》期刊1998年06期）
跃迁能量论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
考虑电场及隧穿效应的影响,基于常微分数值计算方法,并利用量子阱系统边界条件自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得电子本征态。以典型的GaN/AlxGa1-xN量子阱为例,计算了势阱中电子的本征能级和带内跃迁能。结果表明,电子在量子阱中的能量是量子化的,内建电场促使能级间距增大;调节阱宽及组分可以获得不同能级并改变跃迁能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
跃迁能量论文参考文献
[1].华心仲,蒋刚,王潇,邓邦林.中性硅3s~23P~2~3P_2,~1D_2→3s3p~3~3D_3~o跃迁能量,超精细结构常数与同位素移动的MCDHF计算[J].原子与分子物理学报.2013
[2].郭海峰,哈斯花,朱俊.应变GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱中电子的跃迁能量[J].功能材料.2011
[3].张俊,谭平恒,赵伟杰.利用径向呼吸模及其倍频模的共振特性精确测定单壁碳纳米管的电子跃迁能量[J].物理学报.2010
[4].张鹏,王慧,赵昆,肖景林.半导体量子点中极化子的跃迁能量[J].发光学报.2009
[5].吴涌汶.劳动价值论的跃迁:能量价值论(下)[J].探索.2004
[6].吴涌汶.劳动价值论的跃迁:能量价值论(上)[J].探索.2004
[7].郭子政,梁希侠,班士良.Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数[J].量子光学学报.2002
[8].李中华,吴崇试.A≈150区超形变带跃迁能量中振荡起伏的扣除和自旋指定[J].高能物理与核物理.2000
[9].吴崇试.跃迁能量的光滑化与A～150区超形变带的自旋指定[J].宁夏大学学报(自然科学版).1998
[10].王晓亮,孙殿照,孔梅影,侯洵,曾一平.In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化[J].半导体学报.1998
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