导读:本文包含了非晶态半导体论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶态,半导体,波导,效应,薄膜,矩阵,光学。
非晶态半导体论文文献综述
林合山[1]（2011）在《As_2S_8非晶态半导体薄膜波导的光学性质研究》一文中研究指出硫系半导体玻璃因具有较大的非线性折射率、宽的红外透过窗口和良好的成玻能力,是优良超快全光开关器用最佳材料之一,在红外波段电光调制器、光通信波段全光开关器等光电子集成器件领域具有广阔应用前景。本文研究了As2S8非晶态半导体薄膜波导在光照和热处理作用下的光学性质,主要表现在其折射率和膜厚变化。本文着重实验研究了As2S8非晶态半导体薄膜波导在光照和热处理作用下的折射率和膜厚变化。As2S8非晶态半导体薄膜在紫外光辐照作用下,观察了折射率增大的效应,随着辐照时间的延长,折射率增大趋于饱和,在70分钟以后折射率增量达到饱和状态。另外,采用退火处理工艺,研究了沉积态的As2S8非晶态半导体薄膜的折射率增大效应,实验发现当退火温度超过160℃后,退火引起As2S8薄膜折射率明显增大。同时,在以上紫外光辐照与热处理过程中,观察As2S8薄膜的膜厚改变,发现光照与退火处理均导致As2S8薄膜的膜厚减小。光照引起膜厚的减小量在光照时间45分钟以后趋于不变,而退火引起膜厚的减小在退火温度高于160℃以后,更加明显。此外,实验研究了光照饱和态的As2S8薄膜经过退火处理,发现在退火温度低于160℃时,薄膜折射率基本不变,而当退火温度高于160℃后,薄膜折射率明显减小,即在光照与退火关联作用下,As2S8薄膜折射率发生可逆现象。此外,研究了在退火-光照饱和-退火关联作用下,As2S8薄膜折射率的变化；以及在退火-光照未饱和-退火关联作用下,As2S8薄膜折射率的变化。基于以上实验数据,最后实验试制了As2S8玻璃条波导,并通过As2S8薄膜波导的光传输特性实验,显示出良好的导模特性,其传输损耗约0.76dB/cm。(本文来源于《南昌大学》期刊2011-06-01）
王中健,王龙彦,马仙梅,付国柱,荆海[2]（2009）在《透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展》一文中研究指出透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。(本文来源于《液晶与显示》期刊2009年02期）
邹林儿,陈抱雪,杜丽萍,袁一方,浜中广见[3]（2008）在《非晶态As_2S_8半导体薄膜的光致结构变化效应研究》一文中研究指出实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象·采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象·实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者要小一个数量级,约为0.0057·淀积态和退火态两种膜系紫外光照后,体积缩小,这与As2S3非晶态薄膜的情况不同,体积变化率分别为-3.5%和-2.1%·实验还显示,退火态的As2S8薄膜存在折射率完全可逆现象·(本文来源于《光子学报》期刊2008年05期）
齐吉泰,刘丽敏[4]（2008）在《非晶态半导体的阈值开关机理》一文中研究指出从理论上定性地分析了非晶态半导体的阈值开关机理。利用非均匀模型、热与热电理论和电子开关模型等,从3个方面描述非晶态半导体的阈值开关形成的原因,给出非晶态半导体的阈值开关的"开态"和"关态"时的形成过程,对不同状态下载流子的运动规律、电场强度、电导率进行了较详尽的分析,从而论述非晶态半导体的阈值开关机理。(本文来源于《现代电子技术》期刊2008年04期）
邹林儿,陈抱雪,杜丽萍,刘小青,浜中广见[5]（2007）在《非晶态As_2S_8半导体薄膜波导的热处理效应》一文中研究指出研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.(本文来源于《半导体学报》期刊2007年08期）
邹林儿,陈抱雪,陈林,袁一方,浜中广见[6]（2007）在《非晶态As_2S_8半导体薄膜的光激励现象的研究及应用》一文中研究指出实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在紫外汞灯和He_Cd激光照射下的光诱导现象,证实了光照射后的As2S8薄膜的折射率增大,体积缩小,可见光吸收谱的吸收带蓝移。在此基础上,应用光折变效应试制了As2S8条波导,观测到As2S8条波导的光阻断效应,实现了光_光效应的开关功能。(本文来源于《光学技术》期刊2007年01期）
齐吉泰,侯冰心[7]（2006）在《非晶态半导体的光吸收》一文中研究指出光与非晶态半导体作用所产生的光吸收包括本征吸收、激子吸收、自由载流子吸收、声子吸收及杂质吸收等,由于吸收方式不同,它们分别发生在不同的光谱波段。(本文来源于《绥化学院学报》期刊2006年06期）
邹林儿[8]（2006）在《硫化砷非晶态半导体薄膜的光致效应技术研究》一文中研究指出硫系非晶态半导体材料在近远红外域有很好的透光性,具有较低的本征损耗,以及有制备光波导的优点等。因此,近些年来,人们对非晶硫化物半导体的研究越来越多,特别是在光的作用下,能产生许多光致效应,它在光波导、光电子集成器件、热成像、远距离传感、耦合器制作、以及光学计算机用光学部件的制作等领域有着广泛的应用。本论文主要围绕硫系As_2S_8非晶态半导体材料在集成光学领域的应用开展研究工作的。论文首先扼要地介绍了平板波导的基础理论,着重阐述棱镜耦合理论,并详细地讨论了使用棱镜耦合技术测量薄膜波导的折射率和厚度。在As_2S_8薄膜分子结构上,认为As_2S_8蒸镀膜的分子结构模型存在亲价对C3 + C1?、孤对电子、链式结构S-S及稳定的金字塔结构As-S,导致在能级结构上存在缺陷态或局域态能级,建立了As_2S_8能带模型。对照其它分子结构,如As2S3、As1S9、As3S7,合理地解释了只在As_2S_8材料中观察到得的显着的光阻断效应。光阻断效应除了跟光抽运作用有关,还可能取决于硫原子活动性强弱以及由此造成的次能级容易程度和次能级密度大小有关。在光阻断效应中,带隙光和窄带隙光扮演不同的角色,分别起着“积累”和“消耗“次能级电子的作用。在As_2S_8薄膜的光致结构变化效应方面的研究,主要考察了光照作用、退火处理以及光照与退火的关连作用下, As_2S_8薄膜波导的折变效应和薄膜厚度的变化情况。蒸镀的As_2S_8薄膜在紫外光照下,折射率增大,最后达到饱和状态。退火态的As_2S_8薄膜在玻璃化温度下退火,折射率存在可逆现象。淀积态和退火态两种膜系的As_2S_8薄膜光照后,薄膜厚度变薄,呈现体积缩小。非晶As_2S_8半导体材料在光波导领域的研究:首先实验研究制备As_2S_8条形波导的工艺,提出了光激励法制备硫系非晶态半导体条形波导的技术;在此基础上,实验考察了As_2S_8条形波导的光阻断效应,发现As_2S_8条形波导的光阻断效应存在,并具有光光开关功能。在As_2S_8光波导的应用方面,基于As_2S_8条波导的光阻断效应特点,初步成功地制作了一种新型的As_2S_8波导型光截止器件。同时,提出LiNbO3-As_2S_8复合波导型光截止器的设计,可以实现光学神经元突触权重效应中的正值、零值和负值叁种状态。实验初步研究了As_2S_8薄膜的光生伏特效应,指出存在的“增强”现象与光阻断效应的机理是一致的,应用这种现象,增加额外的辅助抽运光可能改善光阻断恢复时间特性。(本文来源于《上海理工大学》期刊2006-06-01）
齐吉泰,于长兴,印志强,王春红[9]（2005）在《非晶态半导体载流子的漂移迁移率》一文中研究指出在分析非晶态半导体的电导时应考虑以下两个特点:第一,晶态半导体的导电主要靠导带中的电子或价带中的空穴;而在非晶态半导体中存在着扩展态、尾部定域态、禁带中的缺陷定域态等,这些状态中的电子或空穴都可能对电导有贡献,因此需要同时进行分析;第二,晶态半导体中的费(本文来源于《绥化学院学报》期刊2005年05期）
齐吉泰,于长兴[10]（2004）在《非晶态半导体的电学特性分析》一文中研究指出对非晶态半导体的禁带中缺陷定域态 ,导带 (或价带 )扩展态 ,导带 (或价带 )带尾部定域态中的载流子导电的规律性进行了定性和定量的分析 ,给出了电导率和温度的关系。(本文来源于《绥化师专学报》期刊2004年02期）
非晶态半导体论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
非晶态半导体论文参考文献
[1].林合山.As_2S_8非晶态半导体薄膜波导的光学性质研究[D].南昌大学.2011
[2].王中健,王龙彦,马仙梅,付国柱,荆海.透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展[J].液晶与显示.2009
[3].邹林儿,陈抱雪,杜丽萍,袁一方,浜中广见.非晶态As_2S_8半导体薄膜的光致结构变化效应研究[J].光子学报.2008
[4].齐吉泰,刘丽敏.非晶态半导体的阈值开关机理[J].现代电子技术.2008
[5].邹林儿,陈抱雪,杜丽萍,刘小青,浜中广见.非晶态As_2S_8半导体薄膜波导的热处理效应[J].半导体学报.2007
[6].邹林儿,陈抱雪,陈林,袁一方,浜中广见.非晶态As_2S_8半导体薄膜的光激励现象的研究及应用[J].光学技术.2007
[7].齐吉泰,侯冰心.非晶态半导体的光吸收[J].绥化学院学报.2006
[8].邹林儿.硫化砷非晶态半导体薄膜的光致效应技术研究[D].上海理工大学.2006
[9].齐吉泰,于长兴,印志强,王春红.非晶态半导体载流子的漂移迁移率[J].绥化学院学报.2005
[10].齐吉泰,于长兴.非晶态半导体的电学特性分析[J].绥化师专学报.2004
论文知识图
