铜箔表面化学刻蚀预处理对CVD法制备石墨烯的影响

论文摘要

铜箔上的杂质在化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯的过程中会形成氧化物颗粒,导致所制得的石墨烯质量降低。为解决这一问题,可以在CVD生长石墨烯之前对铜箔表面进行预处理来去除铜箔表面杂质并降低铜箔粗糙度。本研究使用过硫酸铵溶液和稀醋酸溶液分别对铜箔表面进行轻微刻蚀,以此作为预处理手段,研究其对CVD生长制备石墨烯的影响,并对铜箔和石墨烯使用拉曼光谱和霍尔效应测试等方法进行表征。研究发现这一化学预处理可以有效去除铜箔表面杂质,从而使制备得到的石墨烯电学性能得到改善,质量显著提高。

论文目录

• 1 前 言
• 2 实 验
•   2.1 铜箔预处理
•   2.2 石墨烯生长
•   2.3 石墨烯转移
•   2.4 石墨烯和铜箔的性能表征
• 3 结果与讨论
•   3.1 扫描电子显微镜分析
•   3.2 原子力显微镜表征
•   3.3 光学显微镜观察
•   3.4 拉曼光谱分析
•   3.5 石墨烯电学性能测试
• 4 结 论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 刘湘祁,尹建成,林正得

关键词: 化学气相沉积法,石墨烯,铜箔,预处理

来源: 材料科学与工程学报 2019年05期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 昆明理工大学材料科学与工程学院,中国科学院宁波材料技术与工程研究所

分类号: TQ127.11

DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.05.014

页码: 763-767

总页数: 5

文件大小: 1470K

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