导读:本文包含了场增强因子论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:微间隙,IEC安全火花试验装置,短路放电,模拟电荷法
场增强因子论文文献综述
钟久明,刘树林,王玉婷,韩长端,刘锦涛[1]（2016）在《基于模拟电荷法的微间隙场增强因子研究》一文中研究指出运动电极下的微间隙是国际电工委员会推荐安全火花试验装置(IEC-STA)短路火花放电体系的核心组成部分,也是研究装置短路放电特性、揭示短路放电机理的关键性难点.为研究其短路放电特性,运用扫描电镜对其电极进行了扫描分析,重构了最危险打火情形下的电极表面形貌模型.基于模拟电荷法建立了阴极表面场强的数学模型,并对传统模拟电荷法进行了改进,给出了其参数设置、算法流程及病态矩阵处理方法,并对场增强因子进行了数值计算.数值计算结果表明,对于给定的微凸起高度,场增强因子与微凸起密度并不成简单的单调关系,而是存在使场增强因子最大的微凸起密度;对于给定的微凸起密度,在电极间距较大的情况下,场增强因子随间距成单调递减关系,反之,则随间距的减小而增大.数值计算结果为IEC-STA短路放电特性研究奠定了基础.(本文来源于《电子学报》期刊2016年04期）
钟久明,刘树林,段江龙,王玉婷[2]（2015）在《短间隙短路放电的场增强因子研究》一文中研究指出运用扫描电镜对IEC安全火花试验装置电极系统的微观表面形貌进行了扫面测试,测试结果表明镉盘电极表面存在高度和半径均为微米量级的微凸起,而钨丝电极表面无明显微凸起;以镉盘为阴极,建立了电极系统的短路放电物理模型以及单个微凸起的圆柱形等势阱模型。运用分离变量解法,推导得出阴极金属表面微凸起引起场增强因子β0的解析表达式。根据电极表面电物理的微观不均匀性,推导出了微附加物作用下场增强因子β1的计算公式。指出该放电过程中,进行场增强因子计算时,须综合考虑电极表面微凸起及微附加物的作用,综合场增强因子β在数值上等于上述两增强因子之积,即β=β0β1。运用IEC安全火花试验装置进行了电容短路放电实验,实验结果验证了理论分析及计算公式的正确性。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2015年09期）
霍海波,麻华丽,丁佩,曾凡光[3]（2014）在《基于有限元轴对称分析的碳纳米管场增强因子建模与计算》一文中研究指出通过采用二维建模而后旋转成为叁维模型的轴对称分析,提出了一种基于有限元轴对称分析的碳纳米管建模方法,并计算了不同长径比的碳纳米管的场增强因子。通过对比轴对称模型与立体模型分析结果,证明轴对称模型在提高了网格划分精度的同时减小了计算量,提高了计算效率,并为类似的具有旋转对称特性的模型分析提供了一种切实可行的建模方法。相关计算表明,碳纳米管的场增强因子与其长径比的函数关系为β=h/ρ+2.00。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2014年12期）
雷达,孟根其其格,梁静秋,王维彪[4]（2014）在《一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算》一文中研究指出建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极,基于电场迭加原理,利用镜像电荷法对其进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场增强因子。在此基础上,进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响。分析表明,碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度,其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍,靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大。除了碳纳米管的长径比之外,栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影响:栅极越宽,场增强因子越大;而栅极厚度、栅极间距越大,场增强因子就越小。(本文来源于《发光学报》期刊2014年02期）
雷达,王维彪,曾乐勇,梁静秋[5]（2009）在《栅极调制纳米线的场增强因子计算》一文中研究指出利用悬浮球模型和镜像电荷法计算了栅极调制纳米线的顶端表面电场,给出了场发射增强因子表达式β=1/2(3.5+L/r0+W),式中L与r0分别是纳米线长度与顶端表面曲率半径,W是由栅孔半径R、阴极与栅极间距d以及纳米线自身几何参数所决定的函数.结果表明,纳米线长径比对场增强因子的影响很显着;当阴极与栅极间距较近时,场增强因子随d的增加而减小,而当栅极处于无穷远时,纳米线场增强因子的表示式变成β0=3.5+L/r0;栅孔半径越小,场增强因子就越大,当栅孔半径趋于零时,场增强因子为β=β0+1.202(L/d)3.(本文来源于《物理学报》期刊2009年05期）
戴剑锋,姚东,王青,李维学,乔宪武[6]（2008）在《六角排列碳纳米管阵列的场增强因子的计算》一文中研究指出通过求解Laplace方程得到六角排列的碳纳米管(CNTs)阵列的管尖端电场强度和场增强因子,具体研究CNTs的自身线度、阵列密度及阵列形状对CNTs的场增强因子的影响.研究结果表明,场增强因子随CNTs长径比的增加而增加,对于长径比一定的CNTs阵列,对应着一个最佳阵列密度,如管长为6μm、管径分别为5 nm、13 nm、20 nm的CNTs阵列对应的最佳阵列密度为3.05×1011cm-2、4.83×1010cm-2、2.12×1010cm-2.在相同的阵列密度下,六角排列CNTs阵列的场发射性能要优于四方排列的CNTs阵列.计算得到六角排列CNTs阵列上端面的电势分布曲线.(本文来源于《兰州理工大学学报》期刊2008年05期）
安博,王六定,施易军,陈景东[7]（2008）在《碳纳米管场增强因子计算模型的研究》一文中研究指出场增强因子(β)是评价碳纳米管场发射性能的重要参数之一。本文介绍了几种计算β的模型,分析了各种因素对β的影响。通过对所得β表达式进行比较,总结了不同模型中影响场增强因子的主要因素。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2008年04期）
施易军,王六定,陈景东[8]（2008）在《开口碳纳米管电子发射场增强因子的研究》一文中研究指出利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2(2h/ρ+1)/[ln16(1+16R2/ρ2)]-1。结果表明:外加电场与纳米管的几何参数会影响其顶端的局域电场,从而影响电子场发射;γ与长厚比h/ρ和径厚比R/ρ有关。特别,当管长h一定时,管壁厚度ρ比管的有效半径R对γ的影响更加显著。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2008年03期）
陈景东,王六定,施易军[9]（2008）在《碳纳米管电荷分布对电子发射场增强因子影响的研究》一文中研究指出本文通过分析碳纳米管的电荷分布规律,巧妙地将处于外电场中且端口封闭的金属性碳纳米管等效成电荷非均匀分布的球面,获得了包括端部球面电荷、管壁电荷与镜像电荷共同作用的场增强因子为β=1.14h/R+2.62。结果表明:场增强因子是碳纳米管长径比h/R的线性函数,并与电荷分布密切相关。在此基础上,研究发现35%的管壁电荷对碳纳米管电子发射的场增强因子贡献约为9.7%,但仍远大于镜像电荷的影响。根据模型中电荷非均匀分布导致碳纳米管各处局域电场大幅度变化,解释了仅在球面的一定区域才大量发射电子且发射电流密度不均匀的实验现象。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2008年02期）
雷达,曾乐勇,夏玉学,陈松,梁静秋[10]（2007）在《带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究》一文中研究指出场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k11/2(N~2.(L-d_1)~2+[1/k_1+(L-d_1)]~2),且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明,纳米线突出栅孔的部分(L-d1)与栅孔半径越大,则场增强因子越大;而纳米线半径越小,则场增强因子越大;当L远大于d1时满足β∝L/r0.其中N=N1(k1r0)/N0(k1r0),N0(k1r0)和N1(k1r0)分别代表零阶和一阶Neumann函数,k1=0.8936/R,R为栅孔半径,L为纳米线长度,r0为纳米线半径,d1表示阴极与栅极间距.(本文来源于《物理学报》期刊2007年11期）
场增强因子论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
运用扫描电镜对IEC安全火花试验装置电极系统的微观表面形貌进行了扫面测试,测试结果表明镉盘电极表面存在高度和半径均为微米量级的微凸起,而钨丝电极表面无明显微凸起;以镉盘为阴极,建立了电极系统的短路放电物理模型以及单个微凸起的圆柱形等势阱模型。运用分离变量解法,推导得出阴极金属表面微凸起引起场增强因子β0的解析表达式。根据电极表面电物理的微观不均匀性,推导出了微附加物作用下场增强因子β1的计算公式。指出该放电过程中,进行场增强因子计算时,须综合考虑电极表面微凸起及微附加物的作用,综合场增强因子β在数值上等于上述两增强因子之积,即β=β0β1。运用IEC安全火花试验装置进行了电容短路放电实验,实验结果验证了理论分析及计算公式的正确性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
场增强因子论文参考文献
[1].钟久明,刘树林,王玉婷,韩长端,刘锦涛.基于模拟电荷法的微间隙场增强因子研究[J].电子学报.2016
[2].钟久明,刘树林,段江龙,王玉婷.短间隙短路放电的场增强因子研究[J].真空科学与技术学报.2015
[3].霍海波,麻华丽,丁佩,曾凡光.基于有限元轴对称分析的碳纳米管场增强因子建模与计算[J].人工晶体学报.2014
[4].雷达,孟根其其格,梁静秋,王维彪.一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算[J].发光学报.2014
[5].雷达,王维彪,曾乐勇,梁静秋.栅极调制纳米线的场增强因子计算[J].物理学报.2009
[6].戴剑锋,姚东,王青,李维学,乔宪武.六角排列碳纳米管阵列的场增强因子的计算[J].兰州理工大学学报.2008
[7].安博,王六定,施易军,陈景东.碳纳米管场增强因子计算模型的研究[J].人工晶体学报.2008
[8].施易军,王六定,陈景东.开口碳纳米管电子发射场增强因子的研究[J].人工晶体学报.2008
[9].陈景东,王六定,施易军.碳纳米管电荷分布对电子发射场增强因子影响的研究[J].人工晶体学报.2008
[10].雷达,曾乐勇,夏玉学,陈松,梁静秋.带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究[J].物理学报.2007
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