导读:本文包含了薄膜晶体管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜晶体管,介质,常数,甲基丙烯酸,稀土元素,材料,电学。
薄膜晶体管论文文献综述
孙明剑,董承远,林锡勋[1]（2019）在《薄膜晶体管平坦化层干法刻蚀工艺的研究》一文中研究指出为了降低薄膜晶体管的寄生电容,一种新型平坦化材料被引入。单独采用反应离子刻蚀(RIE)或增强电容耦合等离子刻蚀(ECCP)模式刻蚀该平坦化层均无法获得满意的工艺效果。为此,提出了将RIE和ECCP相结合的方法用于新型平坦化层的刻蚀。实验结果表明:当平坦化层厚度为2.0μm时,先以RIE模式7kW/20Pa条件刻蚀1.5μm,再以ECCP模式5kW+4kW/8Pa条件继续刻蚀平坦化层及其下方的氮化硅,刻蚀出的过孔图形表面光滑,氮化硅层无底切,平坦化层孔径均值6.12μm。本研究结果为后续采用该平坦层材料的高分辨率、低功耗产品的设计和生产打下了坚实基础。(本文来源于《液晶与显示》期刊2019年11期）
任锦华,沈杰,张群[2]（2019）在《稀土掺杂SnO_2薄膜制备及晶体管应用》一文中研究指出目前,无铟氧化物薄膜及其晶体管器件的研制成为人们关注的内容之一。Sn4+导带由5s轨道构成,具有较大的空间重迭性,电子有效质量小,即使材料在非晶状态下也能获得可观的迁移率,像ZnSnO、GaSnO以及SiSnO等高性能氧化物材料体系的开发为显示领域背板技术的发展注入了新的活力。因此,SnO2半导体是一种重要的非晶氧化物半导体薄膜晶体管的候选材料,我们实验室在SnO2材料及器件的研制方面开展了系列工作。稀土有工业"黄金"之称,能应用于激光、超导等高端技术领域,在SnO2基TFT器件掺杂和电学性能方面的报道还比较少。另外,稀土元素不易变价的特性在一定程度上避免了其它杂质相对薄膜的污染。因此,我们选择稀土作为掺杂剂,研究了它们对SnO_2半导体薄膜性质的影响,包括表面形貌、晶体结构、电学性质和光学性质。然后,我们将研究得到的薄膜应用于TFT器件的制备,获得了良好的器件性能。本工作中,我们选择重稀土作为掺杂源,研制SnXO薄膜(X=Er,Tm)。表征结果表明,稀土掺杂在SnO_2薄膜里面引入了更多的非晶相,同时薄膜的禁带宽度也得到了有效的拓宽(>3.8 eV)。另外,由于X-O键的结合能高于Sn-O键,稀土掺杂有效地抑制了氧空位施主的产生,这有助于改善TFT器件的电学性能。稀土掺杂还降低了SnO_2薄膜表面的粗糙度,有利于TFT电学性能的提高。我们尝试研制了SnXO薄膜晶体管器件,获得了良好的器件性能。本研究工作对稀土掺杂SnO_2基薄膜晶体管的开发具有一定的参考意义。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15）
张永春[3]（2019）在《IGZO/HfGdOx薄膜晶体管的制备及在逻辑电路中的应用》一文中研究指出本文采用无毒、环保的水溶液法,制备了稀土元素Gd掺杂的HfOX薄膜(HGO)。通过调整Gd的掺杂浓度来优化了HGO薄膜的微结构和电学性能。采用紫外可见光谱仪(UV/Vis)表征不同Gd掺杂浓度HGO薄膜的投射、吸收光谱并拟合光学带隙。发现Gd掺杂可以调节HGO薄膜的光学带隙,且不同掺杂浓度下HGO薄膜在可见光区域透射率达90%。采用X射线衍射光谱表征不同Gd掺杂浓度下HGO薄膜的结晶情况。发现Gd掺杂可以有效抑制HfOX薄膜结晶。当掺杂比大于5%时,450℃退火后的HGO薄膜呈现非晶态。采用XPS分析了不同Gd掺杂浓度HGO的化学成分和化学键态。发现15%Gd掺杂浓度的HGO薄膜中氧空位(VO)和金属-氢氧键(M-OH)含量占比最低,金属-氧键(O-M-O)含量占比最高,薄膜的氧化程度最高。为了解Gd掺杂对HGO薄膜电学性能的影响,还对HGO薄膜进行C-F和J-V分析。发现Gd掺杂可以有效调节电容密度和抑制漏电流,且在15%Gd掺杂浓度时,HGO薄膜的漏电流最小(5.8×10~(-9)A·cm~(-2),VGS=2V时),电容密度(COX)最大(526pF/cm~2)。15%Gd掺杂浓度时的HGO薄膜呈现非晶结构、较高氧化程度、较低漏电流密度、较高电容密度的特征,是栅介质的理想材料。本研究还在15%Gd掺杂浓度时的HGO薄膜上溅射生长非晶态铟镓锌氧(α-IGZO)沟道层制备薄膜晶体管(HGO/α-IGZO TFT)。薄膜晶体管具有较大的饱和载流子迁移率(μ_(sat))为17.3 cm~2v~(-1)s~(-1),高的开关电流比(Ion/Ioff)～107,低的亚阈值摆幅0.08 V/decade。为确定其在逻辑电路中的潜在应用,构建了基于HGO/α-IGZO TFT的电阻负载型反相器,获得了14.8的高电压增益和稳定的全摆幅特性。结果表明,水诱导HGO高K薄膜在高分辨率平板显示器件和超大规模集成逻辑电路中具有潜在的应用前景。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15）
岳兰,董泽刚,孟繁新[4]（2019）在《无机氧化物沟道层/有机介质层混合型薄膜晶体管》一文中研究指出基于低成本溶液法的浸渍提拉成膜工艺以无机In-Al-Zn-O(IAZO)为沟道层,以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层,研制了无机/有机混合型薄膜晶体管(TFT),探究了PMMA厚度对IAZO TFT电学特性和电学稳定性的影响。结果表明,具备较薄PMMA介质层的TFT呈现出更优越的工作特性(饱和迁移率大于20 cm~2·V~(-1)·s~(-1),电流开关比高于10~4),然而随着介质层厚度的减薄,经过疲劳测试后的器件电学稳定性却明显退化。此外,有机PMMA介质层(厚度390 nm)迭加于无机IAZO沟道层有一定的增透效果:IAZO/PMMA双层薄膜在可见光区(波长400～700 nm)的平均透过率(95.0%)高于单层IAZO的平均透过率(93.0%),表明所选用的IAZO和PMMA材料在制备全透明器件方面具备一定的应用潜力。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年11期）
张奇,项徽清,刘建国,曾晓雁[5]（2019）在《喷墨打印制备高性能薄膜晶体管的材料体系》一文中研究指出作为有源电子器件的基本构筑元件,薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)近年来受到深入研究并在高性能材料研发和器件多功能应用等方面取得了长足的进展。喷墨打印作为一种新兴的加成法制备技术,因其具有成本低、环境友好、无需掩膜等优点,在电子功能器件制备等领域受到了广泛关注。本文概述了可用于喷墨打印制备TFT的材料体系,并依照材料的种类和功能,分别较详细地介绍了喷墨打印制备TFT所用的半导体材料、绝缘材料和电极材料,深入分析了不同材料对TFT器件性能的影响,并对喷墨打印制备TFT的材料体系进行了展望,为制备高性能的TFT提供了可能的材料方向。(本文来源于《化学进展》期刊2019年10期）
陆璐,杨小天,沈兆伟,周路,王超[6]（2019）在《基于喷墨打印的圆形电极结构薄膜晶体管制备与研究》一文中研究指出近年来,随着高密度、低能耗的电子器件迅速发展,对薄膜晶体管(TFT)器件的电极结构设计提出了更高的要求.其中,圆形电极结构不仅可减少在TFT器件中所占版图面积,而且又能较好地解决传统不闭环结构电极中央与端部之间机械和电学行为不同的问题,成为了未来微型显示驱动领域的研究热点.此外,传统薄膜晶体管电极的制备需要通过掩膜版光刻来形成图案化的电极,这不仅导致步骤数量增加而且图案化电极性能直接受到刻蚀剂等废液的影响.而喷墨打印工艺具备独特的非接触式加工方式、受环境影响小和高效率等优点,可打印较为复杂的结构,受到TFT器件制备领域研究人员的广泛关注.本文结合上述两者的优点,采用喷墨打印的方式制备圆形电极,并研究了改变圆形电极沟道宽度对所制备TFT器件电学性能的影响.结果表明,适当减小圆形电极的沟道宽度可有效提升TFT器件性能,当同心圆型沟道宽度为50μm时,所制备的TFT器件性能较好,开关比可达4.3×10~5,阈值电压为4 V.(本文来源于《吉林建筑大学学报》期刊2019年05期）
张文通,高晓红[7]（2019）在《退火气氛对ZnO薄膜晶体管电学稳定性的影响》一文中研究指出在低温条件下(90℃)使用射频磁控溅射在表面长有100 nm厚的氧化硅绝缘层的硅衬底上沉积ZnO薄膜,并制备成薄膜晶体管器件,然后放入不同气氛下进行退火.研究不同的退火气氛对ZnO薄膜晶体管(TFT)的电学性能的影响,并对ZnO薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试和光致发光(PL)测试,使用场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面形貌.实验结果表明,不同的退火气氛对ZnO薄膜晶体管的性能有着显着的影响,在N_2氛围下进行退火的器件性能最优,电流开关比达到了5.88×10~7,滞回稳定性ΔV_(TH)仅为0.2 V,界面态密度DIT为3.34×10~(12)cm~(-2)eV~(-1).(本文来源于《吉林建筑大学学报》期刊2019年05期）
裴智慧,秦国轩[8]（2019）在《栅介质材料及尺寸对薄膜晶体管性能影响研究》一文中研究指出系统地对基于高介电常数材料HfO_2和传统的介质材料SiO_2这两种不同栅介质层材料的硅薄膜晶体管进行建模并对不同尺寸和温度条件下的薄膜晶体管的工作特性进行了研究.获得了不同沟道长度和沟道宽度,不同栅介质层厚度和不同温度条件下的薄膜晶体管的工作特性曲线.通过对比发现,薄膜晶体管的饱和电流与沟道长度和栅介质层厚度成反比,与沟道宽度成正比,与理论计算一致.随着温度的升高,薄膜晶体管的载流子迁移率和阐值电压都在逐渐减小,因而饱和电流值逐渐减小;在相同栅介质层尺寸和温度条件下,基于HfO_2的薄膜晶体管相对于基于SiO_2的薄膜晶体管具有更高的电流开关比,更低的阈值电压和更小的泄漏电流.因此,基于高介电常数栅介质材料的薄膜晶体管相对于基于SiO_2的薄膜晶体管具有更好的性能.(本文来源于《南京大学学报(自然科学)》期刊2019年05期）
韩代云,李源彬[9]（2019）在《绝缘栅双极晶体管表面电沉积镍基石墨烯薄膜的制备及其散热性能研究》一文中研究指出将镍基石墨烯薄膜应用在IGBT模块散热方面,提出了镍基石墨烯薄膜的制备工艺,并利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪等对镍基石墨烯薄膜进行表征。结果表明,当电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄膜中的有大量的Ni和C元素,镍基石墨烯薄膜中的石墨烯平均粒径为32.5 nm。当脉冲电流密度为1 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S1芯片的散热效果较好。当脉冲电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S2芯片的散热效果最好,其最大散热量为14.9℃。(本文来源于《功能材料》期刊2019年09期）
李慧津,董俊辰,郁文,韩德栋,张盛东[10]（2019）在《低温制备的双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管》一文中研究指出在低温下制备了叁氧化二铝/二氧化硅双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管。原子力显微镜图显示双层栅介质薄膜具有良好的均一性。经过200℃真空退火处理,双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管表现出良好的转移特性和输出特性,器件的亚阈值摆幅SS为177 mV/dec,电流开关比为1.9×10~8。低温下制备的双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管有希望应用于柔性电子。(本文来源于《光电子技术》期刊2019年03期）
薄膜晶体管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
目前,无铟氧化物薄膜及其晶体管器件的研制成为人们关注的内容之一。Sn4+导带由5s轨道构成,具有较大的空间重迭性,电子有效质量小,即使材料在非晶状态下也能获得可观的迁移率,像ZnSnO、GaSnO以及SiSnO等高性能氧化物材料体系的开发为显示领域背板技术的发展注入了新的活力。因此,SnO2半导体是一种重要的非晶氧化物半导体薄膜晶体管的候选材料,我们实验室在SnO2材料及器件的研制方面开展了系列工作。稀土有工业"黄金"之称,能应用于激光、超导等高端技术领域,在SnO2基TFT器件掺杂和电学性能方面的报道还比较少。另外,稀土元素不易变价的特性在一定程度上避免了其它杂质相对薄膜的污染。因此,我们选择稀土作为掺杂剂,研究了它们对SnO_2半导体薄膜性质的影响,包括表面形貌、晶体结构、电学性质和光学性质。然后,我们将研究得到的薄膜应用于TFT器件的制备,获得了良好的器件性能。本工作中,我们选择重稀土作为掺杂源,研制SnXO薄膜(X=Er,Tm)。表征结果表明,稀土掺杂在SnO_2薄膜里面引入了更多的非晶相,同时薄膜的禁带宽度也得到了有效的拓宽(>3.8 eV)。另外,由于X-O键的结合能高于Sn-O键,稀土掺杂有效地抑制了氧空位施主的产生,这有助于改善TFT器件的电学性能。稀土掺杂还降低了SnO_2薄膜表面的粗糙度,有利于TFT电学性能的提高。我们尝试研制了SnXO薄膜晶体管器件,获得了良好的器件性能。本研究工作对稀土掺杂SnO_2基薄膜晶体管的开发具有一定的参考意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
薄膜晶体管论文参考文献
[1].孙明剑,董承远,林锡勋.薄膜晶体管平坦化层干法刻蚀工艺的研究[J].液晶与显示.2019
[2].任锦华,沈杰,张群.稀土掺杂SnO_2薄膜制备及晶体管应用[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019
[3].张永春.IGZO/HfGdOx薄膜晶体管的制备及在逻辑电路中的应用[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019
[4].岳兰,董泽刚,孟繁新.无机氧化物沟道层/有机介质层混合型薄膜晶体管[J].半导体技术.2019
[5].张奇,项徽清,刘建国,曾晓雁.喷墨打印制备高性能薄膜晶体管的材料体系[J].化学进展.2019
[6].陆璐,杨小天,沈兆伟,周路,王超.基于喷墨打印的圆形电极结构薄膜晶体管制备与研究[J].吉林建筑大学学报.2019
[7].张文通,高晓红.退火气氛对ZnO薄膜晶体管电学稳定性的影响[J].吉林建筑大学学报.2019
[8].裴智慧,秦国轩.栅介质材料及尺寸对薄膜晶体管性能影响研究[J].南京大学学报(自然科学).2019
[9].韩代云,李源彬.绝缘栅双极晶体管表面电沉积镍基石墨烯薄膜的制备及其散热性能研究[J].功能材料.2019
[10].李慧津,董俊辰,郁文,韩德栋,张盛东.低温制备的双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管[J].光电子技术.2019
论文知识图
