导读:本文包含了磁畴结构论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:各向异性,条纹,取向,薄膜,涡旋,硅钢,磁共振。
磁畴结构论文文献综述
张建强,路飞平,赵小龙,何林芳[1]（2019）在《Fe基合金薄带磁畴结构的磁力显微镜观察》一文中研究指出采用单辊快焠法制备Fe_(73.3)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶合金薄带,经550℃自由退火和171 MPa张应力退火处理,利用磁力显微镜(MFM)观察了自由退火和应力退火薄带表面磁畴结构及横断面介观结构。结果表明,自由退火样品具有均匀分布的纳米晶粒及易磁化方向随机分布的迷宫畴,应力退火样品具有方向优势的颗粒团聚及易磁化轴在面内的带状畴,这两种磁畴结构的形成可能与晶粒的晶化行为密切相关。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2019年06期）
左淑兰[2]（2019）在《磁畴结构的原位透射电镜研究》一文中研究指出当前爆发式增长的海量数据对信息的读和写的速度、密度和能耗等均提出了更高更严格的要求,探索以更低的能耗、更高的读写速度实现信息的高密度存储的途径无疑是信息存储材料和技术的研究和开发必须面对的巨大挑战,也是必须完成的紧迫任务。磁性存储是非常重要的一种信息存储方式,在未来可预见的较长时期内,磁性存储介质和技术仍将是最主要的被广泛采用的海量信息存储方式。在新型磁性存储介质的探索方面,具有由非共线或非共面磁矩排列而呈现非平庸拓扑磁畴结构的材料,因其所具有的受拓扑对称性保护并且可利用低电流密度的自旋极化电流对其进行调控的纳米尺度的特殊磁矩构型,既有望突破传统磁存储介质的超顺磁性物理极限,也有望同时降低读和写的能量消耗,进而有望成为新一代高密度、高速度、低能耗的信息存储单元。从基础研究和实际应用的角度,对材料的拓扑磁畴结构的生成与调控机制的研究都具有非常重要的意义。基于此,本论文以洛伦兹透射电子显微镜为主要研究手段,对非晶CeFeB中的磁涡旋、Ni_(50)(Mn,In)_(50)合金中的斯格明子和NiMnGa(Y,C,In)合金中的磁泡等几种拓扑性质不同的磁畴结构及其在温度、电流和磁场等外场条件下的响应行为进行了系统研究,深化了对材料磁畴结构的拓扑性质的认识。主要研究内容和结果如下:1.非晶CeFeB合金中的磁涡旋态产生和外场调控。首次在非晶态CeFeB快淬带中发现了自发稳定存在的磁涡旋态。利用洛伦兹透射电子显微镜进行原位外场调控表明,磁涡旋态和反涡旋态在变温过程中成对地形核或湮灭,在一定的温度范围内,磁涡旋的密度随温度降低而升高。较低的电流密度可以驱动磁涡旋态,当电流密度超过某一临界值时,磁涡旋态和反涡旋态将出现周期性地形核现象,从而使得磁涡旋态的密度显着提高;在恒定的电流密度下,磁涡旋态和反涡旋态呈现持续的形核或湮灭的类弛豫行为。在面内磁场的作用下,磁涡旋态倾向于在缺陷处首先形核,当外磁场强度与材料的矫顽力相当时,磁涡旋态的密度最高;磁涡旋态随着材料接近磁化饱和而逐渐消失。非晶态CeFeB合金中自发磁涡旋态的发现为磁涡旋态的研究提供了一类新材料,既拓宽了高丰度稀土元素的应用范围,对磁涡旋态动力学行为的直接观测也对相关材料和器件的设计开发具有一定的指导意义。2.Ni_(50)(Mn,In)_(50)哈斯勒合金中的磁性斯格明子态与马氏体相变行为。利用洛伦兹透射电镜原位观测了Ni_(50)(Mn,In)_(50)哈斯勒合金中的磁畴结构和马氏体相变行为,分析了材料价电子浓度、晶粒尺寸和原子有序度等对相转变过程、磁畴结构和马氏体孪晶结构的影响。研究发现,Ni_(50)(Mn,In)_(50)哈斯勒合金的马氏体相变过程中磁畴结构和晶体结构的演化与材料的成分和原子有序度密切相关,且马氏体的磁畴随显微结构的不同而发生变化。在Ni_(50)Mn_(35)In_(15)块体合金中,马氏体相发生顺磁-铁磁转变,铁磁相的马氏体具有条纹畴,对其施加垂直磁场后演化为类似于双斯格明子的纳米磁畴结构;与块体材料不同,在Ni_(50)Mn_(35)In_(15)快淬带中,马氏体相出现了更加丰富的磁畴结构和显微结构,体现了马氏体相复杂的结构和磁性;对于组分略有不同的Ni_(50)Mn_(35.2)In_(14.8)块体合金,在其马氏体相变过程中出现了预马氏体,并且在马氏体的纳米孪晶中自发地形成了叁种自旋构型且零磁场稳定的斯格明子,这与预马氏体相的出现以及马氏体纳米孪晶结构的边界限制密切相关。含有预马氏体相的Ni_(50)Mn_(35.2)In_(14.8)合金中存在自发的磁性斯格明子,这一发现为磁性斯格明子的生成提供了一种崭新的应力调控机制和途径。3.MnNi(Ga,M)(M=Y,In)和MnNiGaC_?合金中的纳米尺度磁泡。利用原子半径较大的Y和In与原子半径较小的C等元素分别对MnNiGa合金进行替代/添加。研究表明,叁种原子的加入均能改变MnNiGa合金的磁晶各向异性和稳定因子Q等参数,使磁畴结构从MnNiGa合金中的双斯格明子转变为具有不同构型的磁泡。利用电流与磁场的协同调控,不仅在MnNi(Ga,Y)合金中实现了高密度且零场稳定的磁泡晶格,而且发现电流的自旋转移力矩效应可以干扰磁泡的形核过程,使其成为单一构型的高密度磁泡阵列。磁畴结构拓扑性质可调控性的发现为纳米尺度磁畴结构材料体系的设计提供了指导,利用电流与磁场协同作用产生的零场六角磁泡晶格不仅在未来非易失磁存储器中具有潜在的应用价值,还为理解磁矩与电子的相互作用提供了实验基础。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
储双杰,杨勇杰,和正华,沙玉辉,左良[3]（2019）在《基于磁畴结构交互作用的激光刻痕取向硅钢磁致伸缩系数计算》一文中研究指出基于取向硅钢磁畴结构与磁致伸缩系数的定量关系,综合考虑激光刻痕参数和取向偏差角对应力封闭畴与横向畴2种90°磁畴结构的影响,提出反映刻痕参数与取向偏差角交互作用的磁致伸缩系数计算模型。计算结果表明,取向偏差角的大小决定了激光刻痕条件下磁致伸缩行为是由横向畴还是应力封闭畴主导;激光刻痕产生的局部封闭畴与杂散磁场可降低取向偏差角引起的磁致伸缩系数。刻痕能量密度和刻痕线间距等参数对取向硅钢磁致伸缩系数影响的计算结果与实测结果相吻合,表明本工作所提模型可为降低激光刻痕取向硅钢的噪音提供理论基础。(本文来源于《金属学报》期刊2019年03期）
马晓琴,詹清峰,李金财,刘青芳,王保敏[4]（2018）在《倾斜溅射对CoFeB薄膜条纹磁畴结构与磁各向异性的影响》一文中研究指出利用倾斜溅射的方法制备了非晶Co Fe B磁性薄膜,研究了倾斜溅射对非晶Co Fe B磁性薄膜条纹磁畴结构、面内静态磁各向异性、面内转动磁各向异性、垂直磁各向异性的影响规律。结果表明,倾斜溅射可以有效地降低Co Fe B非晶薄膜条纹磁畴结构出现的临界厚度,无倾斜溅射时,Co Fe B薄膜出现条纹磁畴结构的临界厚度大于240 nm,倾斜溅射时,出现条纹磁畴结构的临界厚度小于240 nm。磁性测试结果表明,对于具有条纹磁畴结构的Co Fe B薄膜,倾斜溅射不仅可以提高磁性薄膜的面内静态磁各向异性的强度,同时还可以增强面内转动磁各向异性与垂直磁各向异性的强度。随着倾斜溅射角度的逐渐增大,磁各向异性的强度均呈现增大的趋势。XRD和TEM观测结果证明,Co Fe B薄膜趋于非晶结构,同时,SEM观察结果表明,Co Fe B薄膜虽然不存在长程有序的晶体结构,但依然可以形成柱状结构,由于倾斜溅射技术,形成的柱状结构呈倾斜状态,从而增强了薄膜的垂直磁各向异性,导致条纹磁畴结构的出现。(本文来源于《金属学报》期刊2018年09期）
郝俊祥,杨青慧,张怀武,文岐业,白飞明[5]（2018）在《晶格失配应力对单晶(BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)膜磁畴结构的影响》一文中研究指出利用液相外延工艺在钆镓石榴石衬底上制得了单晶(BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)膜,研究了晶格失配应力对其磁畴结构的影响.研究发现,生长速率越快,膜的晶格常数越大;晶格失配应力可以在一定范围内调整膜的垂直各向异性;随着晶格失配应力由较大张应力逐渐转变为较大压应力,磁畴形状先由磁泡畴转变成迷宫畴,然后转变为过渡态部分弯曲的条状畴,最终转变为整齐排列的条状畴;失配应力同时对畴宽也有影响,膜受到的失配应力越大,畴宽越大.这一实验研究对基于控制晶格失配应力来调控单晶膜的各向异性和磁畴结构有指导意义.(本文来源于《物理学报》期刊2018年11期）
王婷婷[6]（2018）在《稀土/过渡族金属多层膜及其点阵的磁畴结构演化过程》一文中研究指出在稀土(RE)/过渡族(TM)元素(复合)多层膜体系中,由于RE的磁矩和TM的磁矩之间为反铁磁耦合,且REs磁矩随温度变化显着,因此可以通过改变多层膜的厚度、成分和温度,从而实现调控多层膜磁补偿点和磁各向异性的目的。以多层膜为基础,我们可以很容易地探索其在图案化和复合之后可能出现的拓扑磁畴结构如磁泡、磁性斯格明子和磁涡旋等,由于具有独特的翻转机制和拓扑稳定性,这些拓扑磁结构有着巨大的信息存储应用潜力。本文采用高真空磁控溅射的方法制备了 Fe/Gd多层膜和[Tb/Co]n/Ru/Co复合多层膜,并结合不同的微纳加工手段制备了相应的点阵结构:结合超薄双通的多孔阳极氧化铝模板、氩离子刻蚀技术制备了 Fe/Gd纳米点阵结构;结合紫外光刻技术(ultraviolet photolithography)和氩离子刻蚀技术制备了[Tb/Co]n/Ru/Co 的微米圆盘结构。我们采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、超导量子干涉仪(SQUID)和磁力显微镜(MFM)等手段对样品的形貌、磁性、磁畴结构进行了表征和研究。我们采用改进后的两步阳极氧化的方法,成功制备了 500 nm超大孔径的氧化铝模板,并结合磁控溅射、氧化铝模板工艺和氩离子刻蚀技术制备了具有周期性和尺寸均匀的Fe/Gd纳米点阵结构。磁性测量结果表明,随着多层膜的厚度增加,薄膜的垂直各向异性逐渐增大,并形成垂直磁化的磁畴结构;利用MFM技术对连续膜和点阵结构进行观测,发现与连续膜初始态为条形畴不同,点阵样品可以自发形成磁泡畴结构;在改变外场的条件下,我们对磁泡的形成和湮灭进行了观测,结果表明,点阵中磁泡的稳定是由于点阵中静磁能、各向异性能共同作用的结果;低温20 K下,体系的垂直各向异性显着增大,导致点阵中的磁泡畴结构不复存在,磁畴的磁化翻转机制类似于单畴翻转。我们结合紫外光刻技术和氩离子刻蚀技术制备了[Tb/Co]n/Ru/Co复合多层膜微米圆盘结构,通过调节中间隔离层厚度、软磁层厚度和温度,研究了微米圆盘中自发形成的拓扑双涡旋态结构。利用MFM技术观察了双涡旋态和单涡旋态在不同磁场下的演化,随着磁场增大,具有相反手性的双涡旋核的移动和双涡旋态向单涡旋态的转变。在低温下,由于硬磁层垂直各向异性的增强和软、硬磁层耦合增强,因此,我们没有观察到双涡旋态的移动。通过系列观测,我们证实了层间的静磁相互作用对复合结构中拓扑态形成的重要作用。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-05-01）
宋守许,刘涛,王文哲[7]（2017）在《弯曲形变对无取向硅钢磁畴结构和磁性能的影响》一文中研究指出以B35AV1900无取向硅钢为对象,研究了小幅度变形情况下,硅钢内部磁畴组织和磁性能的变化规律。采用软磁交/直流测试仪、Bitter粉纹法、X-射线应力仪、显微硬度计等分析手段,获取了不同弯曲形变下磁畴形貌、弯曲应力、硬度的变化和磁性能的影响规律。结果表明:随弯曲角度增大,硅钢交直流性能呈现明显下降趋势,在0°变化到18°时,硅钢损耗上升了23.2%,矫顽力增大,磁导率、剩余磁感应强度减小;弯曲应力随变形角度增大而增大,其硬度也呈现略微上升趋势;随变形角度增大,磁畴种类增多,相邻磁壁之间间距和磁壁宽度均缩小。(本文来源于《钢铁钒钛》期刊2017年06期）
李金财[8]（2017）在《叁种Fe基磁性薄膜的磁畴结构、磁各向异性及其高频性质的研究》一文中研究指出磁各向异性是磁性薄膜最重要的基本特征之一,它的强度决定了磁性薄膜的自然共振频率。利用传统的调控方法产生一个方向确定的静态磁各向异性。若该薄膜用于高频磁性器件时则表现出明显的方向性,当微波磁场偏离磁各向异性的垂直方向时,器件则无法达到最佳性能。然而,利用条纹磁畴的转动磁各向异性可以解决高频电子器件方向性的问题。本论文研究了多晶NiFe磁性薄膜、非晶CoFeB磁性薄膜的制备工艺参数对条纹磁畴结构及其磁性能的影响规律。并为了满足电子器件柔性化的发展需求,利用具有超弹性的聚二甲基硅氧烷衬底结合倾斜溅射与衬底预应变研究了柔性褶皱薄膜的表面形貌、静态及动态磁性能。首先,通过磁控溅射生长多晶的NiFe磁性薄膜,系统地研究了NiFe薄膜的厚度、溅射功率密度、溅射气压等制备工艺参数对条纹磁畴结构、面内静态磁各向异性、面内转动磁各向异性、垂直磁各向异性的影响规律。研究发现,高溅射功率密度可以降低薄膜出现条纹磁畴的临界厚度。NiFe薄膜的断面结构表明柱状晶的形成是表现出条纹磁畴结构的本质原因,高功率密度下低溅射气压有利于柱状晶结构的形成,表现出规整的条纹磁畴结构,高溅射气压会导致柱状晶纤细化,面内转动磁各向异性与面外垂直磁各向异性增强,条纹磁畴结构变得混乱。其次,利用倾斜磁控溅射的方法制备了非晶CoFeB磁性薄膜,并研究了通过改变倾斜溅射的角度对非晶CoFeB薄膜的磁畴结构、面内磁各向异性及其垂直磁各向异性的影响,并对非晶薄膜出现条纹磁畴结构的原因进行了分析。倾斜溅射可以诱导非晶的CoFeB薄膜出现条纹磁畴结构,并且随着倾斜角度的逐渐增大,薄膜的面内磁各向异性与垂直磁各向异性均呈现增加的趋势。通过对倾斜生长的薄膜进行断面结构分析,结果表明正是由于薄膜具有倾斜柱状结构的形状各向异性,从而导致薄膜的面内磁各向异性与垂直磁各向异性均显着增加。最终,利用具有超弹性的聚二甲基硅氧烷衬底研究了倾斜磁控溅射与衬底预应变对FeCoTa柔性褶皱薄膜的表面形貌、静态与动态磁性能的影响。在预拉伸的PDMS衬底上生长非磁性Ta释放拉伸后诱导形成表面呈现符合正弦函数的褶皱条纹结构。然后垂直于褶皱条纹方向倾斜溅射FeCoTa磁性薄膜,由于表面的褶皱条纹增强了倾斜溅射的自遮挡效应从而导致柔性磁性薄膜单轴各向异性和共振频率的增加。在柔性FeCoTa磁性薄膜中通过增大倾斜溅射角度与衬底预应变可以增强薄膜的单轴磁各向异性,从而致使薄膜的磁化机制偏向于畴壁形核。(本文来源于《湘潭大学》期刊2017-06-01）
李金财,詹清峰,潘民杰,刘鲁萍,杨华礼[9]（2016）在《具有条纹磁畴结构的NiFe薄膜的制备与磁各向异性研究》一文中研究指出具有条纹磁畴结构的磁性薄膜表现出面内转动磁各向异性,对于解决高频电子器件的方向性问题起着至关重要的作用.本文采用射频磁控溅射的方法,研究了NiFe薄膜的厚度、溅射功率密度、溅射气压等制备工艺参数对条纹磁畴结构、面内静态磁各向异性、面内转动磁各向异性、垂直磁各向异性的影响规律.研究发现,在功率密度15.6 W/cm~2与溅射气压2 mTorr(1 Torr=1.33322×102Pa)下生长的NiFe薄膜,表现出条纹磁畴的临界厚度在250 nm到300 nm之间.厚度为300 nm的薄膜比250 nm薄膜的垂直磁各向异性场增大近一倍,从而磁矩偏离膜面形成条纹磁畴结构,并表现出面内转动磁各向异性.高溅射功率密度可以降低薄膜出现条纹磁畴的临界厚度.在相同功率密度15.6 W/cm~2下生长300 nm的NiFe薄膜,随着溅射气压由2 mTorr增大到9 mTorr,NiFe薄膜的垂直磁各向异性场逐渐由1247.8 Oe(1 Oe=79.5775 A/m)增大到3248.0 Oe,面内转动磁各向异性场由72.5 Oe增大到141.9 Oe,条纹磁畴周期从0.53μm单调减小到0.24μm.NiFe薄膜的断面结构表明柱状晶的形成是表现出条纹磁畴结构的本质原因,高功率密度下低溅射气压有利于柱状晶结构的形成,表现出规整的条纹磁畴结构,高溅射气压会导致柱状晶纤细化,面内转动磁各向异性与面外垂直磁各向异性增强,条纹磁畴结构变得混乱.(本文来源于《物理学报》期刊2016年21期）
徐飞[10]（2016）在《c轴取向的hcp-CoIr软磁薄膜的溅射制备及微观磁畴结构研究》一文中研究指出磁畴和畴壁在磁学中占有重要的地位。材料中磁畴结构和畴壁形态是影响材料的性质及其应用的重要因素。在最近几十年中,软磁薄膜得到了广泛的应用,如:垂直磁记录、磁传感器、高频电感器件、微型传感器、噪声抑制器及自旋阀等。在这些应用中,材料的畴结构及畴壁的形态起到了举足轻重的作用。在垂直磁记录中,软磁衬底层要满足薄膜足够厚且磁矩仍基本躺在面内的要求,也就是说软磁薄膜的畴壁在较高的厚度下仍然是Néer壁;在高频应用中,为了提高性能,也会要求薄膜足够的厚且没有条纹畴。但是传统的单层Fe-基,FeCo-基软磁薄膜都不能很好的满足这些条件。大量的科研工作者在这方面做出了许多的工作并提出了解决这个问题的方法:绝缘层隔开的多层膜、反铁磁耦合方式,然而在这些方式下,薄膜的样品制备工艺相对繁琐,且会导致磁性层薄膜整体不均匀。如果能在单一软磁薄膜中解决上述问题,不仅能实现制备工艺的简化,还能达到磁性薄膜整体均匀的目的。通过调节软磁薄膜的内禀参数来实现更高的Néer壁转变厚度及抑制条纹畴的出现就是一种很好的方法,具有可控垂直薄膜平面负磁晶各向异性的hcp-CoIr软磁薄膜就是一种可行的材料。本文的工作是通过磁控溅射方式制备高c轴取向的hcp-Co Ir软磁薄膜,并研究了气压、功率、厚度等溅射条件对该薄膜取向度的影响,以及薄膜厚度、成分对微观磁畴结构的影响,得到以下主要的结果:(1)溅射制备的hcp-Co Ir软磁薄膜的取向度的高低与衬底层的制备条件密切相关,要获取高(002)取向的hcp-CoIr软磁薄膜的先决条件是制备高(111)取向的Au衬底层。(2)Lorenz-TEM及MFM测试表明55 nm高取向hcp-Co83Ir17软磁薄膜的畴壁在退磁状态及磁化反转过程中都是Néer壁,薄膜在面内难易轴方向的变场Lorenz-TEM的测试结果与薄膜对应磁滞回线符合得很好。(3)理论计算表明在软磁薄膜中引入负磁晶各向异性,能显着提升薄膜Bloch壁的总能量密度,同时不会改变薄膜Néer壁的总能量密度,而这结果必然会提高薄膜的Néer壁转变厚度。理论计算和实验都表明了取向hcp-Co81Ir19软磁薄膜的Néer壁转变厚度高达130 nm,远远高于传统的Fe-基,FeCo-基软磁薄膜的Néer壁转变厚度。(4)通过同步调节Ir片的位置,可以制备出不同成分的高取向度hcp-Co1-xIrx薄膜。磁力显微镜的观测显示随着Ir成分的增加,取向hcp-Co Ir软磁薄膜的磁畴结构逐渐从条纹畴转变到Bloch壁,最后转变到Néer壁。这表明了可以通过调节材料的成分实现对微观磁畴结构及畴壁形态的调控。(本文来源于《兰州大学》期刊2016-04-01）
磁畴结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
当前爆发式增长的海量数据对信息的读和写的速度、密度和能耗等均提出了更高更严格的要求,探索以更低的能耗、更高的读写速度实现信息的高密度存储的途径无疑是信息存储材料和技术的研究和开发必须面对的巨大挑战,也是必须完成的紧迫任务。磁性存储是非常重要的一种信息存储方式,在未来可预见的较长时期内,磁性存储介质和技术仍将是最主要的被广泛采用的海量信息存储方式。在新型磁性存储介质的探索方面,具有由非共线或非共面磁矩排列而呈现非平庸拓扑磁畴结构的材料,因其所具有的受拓扑对称性保护并且可利用低电流密度的自旋极化电流对其进行调控的纳米尺度的特殊磁矩构型,既有望突破传统磁存储介质的超顺磁性物理极限,也有望同时降低读和写的能量消耗,进而有望成为新一代高密度、高速度、低能耗的信息存储单元。从基础研究和实际应用的角度,对材料的拓扑磁畴结构的生成与调控机制的研究都具有非常重要的意义。基于此,本论文以洛伦兹透射电子显微镜为主要研究手段,对非晶CeFeB中的磁涡旋、Ni_(50)(Mn,In)_(50)合金中的斯格明子和NiMnGa(Y,C,In)合金中的磁泡等几种拓扑性质不同的磁畴结构及其在温度、电流和磁场等外场条件下的响应行为进行了系统研究,深化了对材料磁畴结构的拓扑性质的认识。主要研究内容和结果如下:1.非晶CeFeB合金中的磁涡旋态产生和外场调控。首次在非晶态CeFeB快淬带中发现了自发稳定存在的磁涡旋态。利用洛伦兹透射电子显微镜进行原位外场调控表明,磁涡旋态和反涡旋态在变温过程中成对地形核或湮灭,在一定的温度范围内,磁涡旋的密度随温度降低而升高。较低的电流密度可以驱动磁涡旋态,当电流密度超过某一临界值时,磁涡旋态和反涡旋态将出现周期性地形核现象,从而使得磁涡旋态的密度显着提高;在恒定的电流密度下,磁涡旋态和反涡旋态呈现持续的形核或湮灭的类弛豫行为。在面内磁场的作用下,磁涡旋态倾向于在缺陷处首先形核,当外磁场强度与材料的矫顽力相当时,磁涡旋态的密度最高;磁涡旋态随着材料接近磁化饱和而逐渐消失。非晶态CeFeB合金中自发磁涡旋态的发现为磁涡旋态的研究提供了一类新材料,既拓宽了高丰度稀土元素的应用范围,对磁涡旋态动力学行为的直接观测也对相关材料和器件的设计开发具有一定的指导意义。2.Ni_(50)(Mn,In)_(50)哈斯勒合金中的磁性斯格明子态与马氏体相变行为。利用洛伦兹透射电镜原位观测了Ni_(50)(Mn,In)_(50)哈斯勒合金中的磁畴结构和马氏体相变行为,分析了材料价电子浓度、晶粒尺寸和原子有序度等对相转变过程、磁畴结构和马氏体孪晶结构的影响。研究发现,Ni_(50)(Mn,In)_(50)哈斯勒合金的马氏体相变过程中磁畴结构和晶体结构的演化与材料的成分和原子有序度密切相关,且马氏体的磁畴随显微结构的不同而发生变化。在Ni_(50)Mn_(35)In_(15)块体合金中,马氏体相发生顺磁-铁磁转变,铁磁相的马氏体具有条纹畴,对其施加垂直磁场后演化为类似于双斯格明子的纳米磁畴结构;与块体材料不同,在Ni_(50)Mn_(35)In_(15)快淬带中,马氏体相出现了更加丰富的磁畴结构和显微结构,体现了马氏体相复杂的结构和磁性;对于组分略有不同的Ni_(50)Mn_(35.2)In_(14.8)块体合金,在其马氏体相变过程中出现了预马氏体,并且在马氏体的纳米孪晶中自发地形成了叁种自旋构型且零磁场稳定的斯格明子,这与预马氏体相的出现以及马氏体纳米孪晶结构的边界限制密切相关。含有预马氏体相的Ni_(50)Mn_(35.2)In_(14.8)合金中存在自发的磁性斯格明子,这一发现为磁性斯格明子的生成提供了一种崭新的应力调控机制和途径。3.MnNi(Ga,M)(M=Y,In)和MnNiGaC_?合金中的纳米尺度磁泡。利用原子半径较大的Y和In与原子半径较小的C等元素分别对MnNiGa合金进行替代/添加。研究表明,叁种原子的加入均能改变MnNiGa合金的磁晶各向异性和稳定因子Q等参数,使磁畴结构从MnNiGa合金中的双斯格明子转变为具有不同构型的磁泡。利用电流与磁场的协同调控,不仅在MnNi(Ga,Y)合金中实现了高密度且零场稳定的磁泡晶格,而且发现电流的自旋转移力矩效应可以干扰磁泡的形核过程,使其成为单一构型的高密度磁泡阵列。磁畴结构拓扑性质可调控性的发现为纳米尺度磁畴结构材料体系的设计提供了指导,利用电流与磁场协同作用产生的零场六角磁泡晶格不仅在未来非易失磁存储器中具有潜在的应用价值,还为理解磁矩与电子的相互作用提供了实验基础。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
磁畴结构论文参考文献
[1].张建强,路飞平,赵小龙,何林芳.Fe基合金薄带磁畴结构的磁力显微镜观察[J].磁性材料及器件.2019
[2].左淑兰.磁畴结构的原位透射电镜研究[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2019
[3].储双杰,杨勇杰,和正华,沙玉辉,左良.基于磁畴结构交互作用的激光刻痕取向硅钢磁致伸缩系数计算[J].金属学报.2019
[4].马晓琴,詹清峰,李金财,刘青芳,王保敏.倾斜溅射对CoFeB薄膜条纹磁畴结构与磁各向异性的影响[J].金属学报.2018
[5].郝俊祥,杨青慧,张怀武,文岐业,白飞明.晶格失配应力对单晶(BiTm)_3(GaFe)_5O_(12)膜磁畴结构的影响[J].物理学报.2018
[6].王婷婷.稀土/过渡族金属多层膜及其点阵的磁畴结构演化过程[D].中国科学技术大学.2018
[7].宋守许,刘涛,王文哲.弯曲形变对无取向硅钢磁畴结构和磁性能的影响[J].钢铁钒钛.2017
[8].李金财.叁种Fe基磁性薄膜的磁畴结构、磁各向异性及其高频性质的研究[D].湘潭大学.2017
[9].李金财,詹清峰,潘民杰,刘鲁萍,杨华礼.具有条纹磁畴结构的NiFe薄膜的制备与磁各向异性研究[J].物理学报.2016
[10].徐飞.c轴取向的hcp-CoIr软磁薄膜的溅射制备及微观磁畴结构研究[D].兰州大学.2016
论文知识图
