β-Ga2O3单晶腐蚀坑形貌研究

论文摘要

详细介绍了（100）、（010）和（■01）三种不同晶面的β-Ga2O3单晶腐蚀坑形貌状态及不同形貌的演变过程。所用β-Ga2O3单晶样品均为导模法（EFG）制备,且经过研磨、化学机械抛光（CMP）,表面质量良好。以质量分数为85%的分析纯H3PO4溶液为腐蚀液,腐蚀时间为1.5 h,腐蚀温度为90℃时,（100）、（010）和（■01）晶面腐蚀坑密度分别约为6.9×104cm-2、2.3×104cm-2和7.7×104cm-2。通过光学显微镜和扫描电子显微镜（SEM）观察,结果表明（100）面腐蚀坑形状为非对称六边形,（010）面腐蚀坑形貌为菱形,（■01）面腐蚀坑形貌为倾斜的五边形,并确定了（100）面、（010）面、（■01）面的最终腐蚀坑状态,腐蚀坑的不同形状可能与不同晶向β-Ga2O3表面状态的耐化学腐蚀差异有关。

论文目录

• 0 引言
• 1 实验
• 2 结果与讨论
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 杨丹丹,金雷,张胜男,练小正,孙科伟,程红娟,徐永宽

关键词: 导模法,单晶,位错密度,腐蚀坑形貌,扫描电子显微镜

来源: 微纳电子技术 2019年06期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学,无线电电子学

单位: 中国电子科技集团公司第四十六研究所,深圳大学光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室

基金: 国家自然科学基金资助项目(51702297),天津市科技计划项目(17YFZCGX00520,17ZXCLGX00020)

分类号: O614.371;TN304

DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.06.003

页码: 435-439

总页数: 5

文件大小: 1147K

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