导读:本文包含了脉冲功率调制论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:脉冲,磁控溅射,功率,功率放大器,激光器,峰值,连续光谱。
脉冲功率调制论文文献综述写法
杨超,蒋百灵,王迪,黄蓓,董丹[1]（2019）在《调制脉冲磁控溅射峰值靶功率密度对纯Ti镀层沉积行为的影响（英文）》一文中研究指出调制脉冲磁控溅射可通过改变强、弱离化阶段的脉冲强度和占空比等电场参量,大幅调控镀料粒子的离化率、沉积能量和数量,实现对沉积镀层形核与生长过程的精确把控。在非平衡闭合磁场条件下,采用调制脉冲磁控溅射技术,通过对其强离化脉冲阶段的脉冲宽度和靶功率进行调控获得持续增大的峰值靶功率密度,并在此条件下制备多组纯Ti镀层,对其微观形貌和力学性能进行了检测分析。结果表明,当强离化脉冲阶段的峰值靶功率密度由0.15 k W·cm-2持续增大至0.86 k W·cm~(-2)时,所制备的纯Ti镀层具有11 nm的平均晶粒尺寸,且较其他峰值靶功率密度条件下的制备镀层具有更为致密的组织结构、平整的表面质量(表面粗糙度Ra为11 nm)和良好的力学性能。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2019年11期）
李玉阁,袁海,蒋智韬,雷明凯[2]（2019）在《高功率调制脉冲磁控溅射沉积NbN涂层特征工艺参数研究》一文中研究指出目的研究不施加基片温度和固定Ar/N2流量比为64/16的条件下,微脉冲占空比、充电电压特征工艺参数与负偏压对NbN涂层相组成、微结构和力学性能的影响。方法采用高功率调制脉冲磁控溅射技术(MPPMS),通过控制微脉冲占空比、充电电压和负偏压等特征工艺参数,沉积一系列具有不同相组成的NbN涂层,通过X射线衍射仪、纳米压痕仪和维氏硬度计,分别表征NbN涂层的相组成、结构、硬度和韧性,并通过扫描电子显微镜(SEM)对NbN生长形貌和压痕形貌进行观察分析。结果改变微脉冲占空比和充电电压,所有NbN涂层均由δ-NbN和δ'-NbN组成,施加基片偏压后,NbN涂层主要由δ'-NbN组成。所有的NbN涂层均呈现致密柱状晶结构,且提高微脉冲占空比、充电电压和负偏压,制备的NbN涂层均更加致密。随微脉冲占空比升高,涂层硬度由25 GPa增至36 GPa,涂层的韧性逐渐增加。提高充电电压制备的Nb N涂层,其表现出与控制微脉冲占空比制备的涂层相似的规律。施加负偏压后,涂层主要由δ'-NbN组成,涂层的硬度和韧性均下降。结论两相结构和高致密性是使NbN涂层硬度和韧性同时增强的主要因素。(本文来源于《表面技术》期刊2019年08期）
李春伟,田修波,徐淑艳,郑权,张群利[3]（2018）在《工作参数对电场增强高功率脉冲磁控溅射的调制作用研究》一文中研究指出基于辅助阳极的电场增强高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术改善了常规Hi PIMS放电及镀膜过程。研究工作参数对电场增强Hi PIMS的调制作用可为该技术的应用提供理论依据。利用数字示波器收集Hi PIMS基体离子电流,分析了不同工作气压、靶基间距、脉冲频率和脉冲宽度等工作参数对基体离子电流的调制作用规律。利用扫描电镜观察了钒膜的截面形貌特征。结果表明:在相同的靶电压下,基体离子电流平均值随工作气压的增加而增加并逐渐达到饱和值;随靶基间距的增加基体离子电流平均值逐渐减小;随脉冲频率的增加基体离子电流平均值逐渐减小后趋于稳定;当脉冲宽度为150μs时的基体离子电流平均值高于脉冲宽度为200μs时的基体离子电流平均值。工作参数对膜层的制备具有调制作用,在适中的工作参数下,电场增强Hi PIMS获得的钒膜与基底结合良好、膜层致密完整。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2018年05期）
唐文婧[4]（2018）在《基于电光/饱和吸收体双损耗调制高峰值功率单锁模脉冲激光特性研究》一文中研究指出高峰值功率、超短脉冲激光也被称为超短超强激光,而对超短超强激光的探索是本世纪以来激光技术领域一个非常重要的方向。超短超强脉冲激光器的研究,不仅是激光技术领域的重大突破,也促进了许多新学科的建立,此外,在工业、军事及医学等领域也具有极大的应用价值。为了获得超短超强激光,研究人员不断地进行激光技术的创新。根据过去的研究经验,激光器的总输出能量不变时,脉冲宽度越短,对应的脉冲峰值功率越高,因此,激光器的脉冲宽度与峰值功率是两个相互关联的参数。纵观超短超强激光器的发展方向,一是锁模技术不断进步,推动着激光器向着超短脉冲方向发展;二是激光峰值功率的不断攀升,为深入研究超快超强现象提供了强有力的工具。但是,对于全固态连续锁模脉冲激光器来讲,压缩脉宽,往往就会带来重复频率的大大增加,导致单个锁模脉冲的能量难以提升,如何进一步提高脉冲激光器的单脉冲峰值功率,依然是非常重要的研究课题。基于现有的调Q锁模(QML)激光技术,本论文提出了一种新型的低重频亚纳秒锁模脉冲序列输出方法,可以实现脉冲峰值功率的大幅度提高和脉冲重复频率的可控操作。采用主被动双损耗调制组合方法,基于主动调Q和可饱和吸收体被动锁模机理,压缩QML激光的调Q包络的脉冲宽度,并最终实现每个包络下只剩一个亚纳秒量级的锁模脉冲振荡,使得整个调Q包络的脉冲能量集中到该单个锁模脉冲。此方法也被称为单锁模脉冲调制技术,与单一损耗调制的调Q、QML和连续锁模技术相比,该方法能够大大提高脉冲的峰值功率,且单锁模脉冲的重复率依赖于主动调制的调制频率。在理论分析中,建立了主被动双损耗调制的调Q锁模激光运转的耦合速率方程组,通过数值模拟方程组获得单锁模脉冲的振荡条件,理论模拟与实验结果相符;在选择可饱和吸收体时,除了常用的饱和吸收体Cr~(4+):YAG、半导体可饱和吸收镜(Semiconductor saturable absorber mirror,SESAM)、碳纳米管(CNTs)外,还考虑到二维材料作用波段范围大以及制作简单等优点,首次将多种基于新型二维材料的可饱和吸收体应用于单锁模激光系统中。论文的具体研究内容及创新点总结如下:(1)基于电光开关(EOM)和中间镜式半导体可饱和吸收镜(C-SESAM)双损耗调制,KTP晶体内腔倍频,实现了 532 nm高峰值功率亚纳秒Nd:Lu0.5Y0.5VO4/KTP激光的单锁模脉冲输出。随着电光调制频率的变化,研究了该双损耗调制激光的输出特性,在1 kHz调制频率时,获得了 460 ps的最窄脉宽和378.3 kW的最大单脉冲峰值功率。根据光强起伏机制和速率方程理论,以高斯分布近似为前提,推导出了双损耗调制QML激光运转速率方程组,对脉冲能量、脉冲宽度和波形进行了数值模拟,理论模拟与实验结果相符。(2)基于电光开关和Cr~(4+):YAG可饱和吸收体被动吸收双损耗调制,KTP晶体内腔倍频,实现了 532 nm双损耗调制高峰值功率亚纳秒Nd:Lu0.15Y0.85VO4/KTP激光的单锁模脉冲输出。实验分别采用了叁种不同小信号透过率的Cr~(4+):YAG晶体,研究了双调Q锁模激光及单锁模脉冲的输出特性随调制频率及泵浦功率的变化。在调制频率为1 kHz时,,获得了 349 ps的最窄脉宽和1.063 MW的最大单脉冲峰值功率。同时,以高斯分布近似为前提,给出了双损耗调制QML激光运转耦合速率方程组,并进行了数值模拟,得到的模拟结果与实验值相符。(3)基于结构不同的一维纳米材料CNTs和电光开关双损耗调制,首次实现了 1064 nm高峰值功率亚纳秒Nd:Lu0.15Y0.85VO4激光的单锁模脉冲输出。实验分别采用了单壁、双壁和多壁CNTs作为可饱和吸收体,在LD泵浦达到10.72 W时,利用双壁CNTs调制得到的单脉冲的最大峰值功率为1.312 MW。(4)作为新型的可饱和吸收体,二维材料具有优良的可饱和吸收性能,可作用波段范围广且制作简单,成本较低。为了进一步提高实验所能获得的最大的单脉冲峰值功率,首次采用叁种新型二维材料(Graphene/WS2/BP)作为可饱和吸收体,分别实现了电光和二维材料双损耗调制高峰值功率亚纳秒Nd:Lu0.15Y0.85VO4激光的单锁模脉冲输出。其中,利用电光/BP作为双损耗调制器件,获得了高达3.89 MW的峰值功率输出。(本文来源于《山东大学》期刊2018-05-15）
李超[5]（2018）在《功率放大器脉冲调制波形产生方法研究与实现》一文中研究指出本文介绍了脉冲调制波形对脉冲调制功率放大器的重要性,提出了一种新的脉冲调制功率放大器脉冲调制波形的产生方法,对该方法进行实现并且在L波段某型通信系统中应用。(本文来源于《电子世界》期刊2018年09期）
沈杰,何勇,潘绪超,陈鸿,贲驰[6]（2018）在《用于脉冲功率调制电路的电爆炸丝研究》一文中研究指出为了得到适应脉冲调制要求的电爆炸丝,利用PSpice电路仿真软件建立了电爆炸丝的电路模型,并通过电爆炸丝实验验证了仿真模型的合理性。对以电爆炸丝为断路开关的电感储能脉冲调制电路进行了仿真计算,得到了电爆炸丝数量和几何尺寸等参数对电爆炸切断时间与峰值电压的影响规律。研究结果表明,电爆炸丝的电爆炸时刻随着根数、直径的增大而推迟,随着充电电压的增大而提前;电爆炸峰值电压随着电爆炸丝长度的增大而减小,随着充电电压的增大而增大。(本文来源于《现代应用物理》期刊2018年01期）
甘育麟,易恬安,陈秉岩,文波,朱昌平[7]（2017）在《体积DBD光电参数和脉冲功率密度调制特性研究》一文中研究指出由于介质阻挡放电(DBD)产生的大量丝状微放电具有时空不确定性,DBD反应器在不同供电参数的高压电源激励下的等效电容和能量损耗特性不尽相同。本文设计了平板状DBD电极结构的体积放电反应器,使用激励脉冲个数可调整的功率密度调制高压交流电源激励反应器产生放电。研究了不同功率密度和供电电压激励下的DBD反应器供电能量计算方法、反应器等效电容和放电发射光谱量子产率等特性。将DBD电反应器的供电电压固定为30k V,供电激励脉冲个数从4个加到12个时,通过李萨茹图形法获得了一个功率密度调制周期内的放电能量以及整个放电工作时间内的电能消耗量。结果发现,随着供电周期个数的增加,供电能量的变化趋势类似于一次函数曲线,在改变供电周期个数时,整个系统的供电效率在60-70%之间浮动;当单个放电功率调制周期内的平均供电能量不断增加时,DBD反应器中介质电容Cd、气隙电容Cg和两者构成的总电容C的等效电容的变化呈现类似正态分布函数,且电容值的变化量大约为10%到17%之间;另外,放电发射光谱相对强度随着供电能量的增加而增加,但是放电光量子产率的能效比随着供电能量的增加而呈现先增加后减少的趋势,其变化趋势与等效电容变化趋势一致。实验中所采用的诊断方法能有效测量DBD的光电特性,并且对DBD放电能量的测试具有一定的指导意义。(本文来源于《第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集》期刊2017-07-26）
邓倩岚,陈炜,辛康[8]（2017）在《基于频谱仪的脉冲调制信号功率校准技术研究》一文中研究指出脉冲调制信号是雷达和数字通信系统中的一类重要信号。本文主要研究脉冲调制信号的功率测量方法,讨论并分析了脉冲调制信号的频谱特点,提出使用频谱分析仪实现脉冲调制信号的平均功率和峰值功率的测量,并采用正弦调幅法对频谱分析仪的测量结果进行验证。实验表明使用频谱仪测量脉冲调制信号功率简单易行且具有较高的测量精度。(本文来源于《宇航计测技术》期刊2017年03期）
师红星[9]（2017）在《基于调制半导体技术的高功率脉冲光纤激光器及中红外源》一文中研究指出高功率光纤激光器具有良好的散热性能、高的光光转化效率、优秀的光束质量和紧凑的结构等优点,受到国际各研究单位的广泛关注。其中人眼安全的2μm掺铥光纤激光器在激光手术、空间光通信、激光雷达、光电对抗等领域具有重要的应用前景,这是因为其输出波长落在大气传输窗口中、且和大气中的水分子吸收峰重合,同时高能量2μm脉冲激光器也是利用非线性晶体产生中红外2-12μm激光的理想泵源。这大大地激发了人们对高功率脉冲掺铥光纤激光器的研究兴趣。本论文主要研究内容为基于调制半导体技术的高功率纳秒和皮秒脉冲掺铥光纤激光器及其在产生中红外超连续光谱方面的应用。在本论文的第一部分工作中,研究了采用基于直接调制半导体技术的掺铥光纤脉冲激光器,实现了最大平均功率100 W、峰值功率83 kW的纳秒脉冲输出(见第二章)。在对普通波形的脉冲进行功率放大的时候,由于增益饱和会导致其脉宽变窄,从而使得激光器在较低的平均输出功率水平下,就会因为非线性效应而破坏其输出的稳定性;本工作利用由于直接调制半导体技术可以产生任意形状脉冲的特点,通过脉冲整形调整脉冲前、后沿的能量分布从而缓解低平均功率下的增益饱和现象,最终实现了平均功率240 W的稳定纳秒脉冲输出(见第二章)。利用上面的纳秒掺铥光纤脉冲激光器,对光纤零色散波长在~2μm的、透中红外软玻璃(碲酸盐玻璃和氟化物玻璃)非线性光纤进行泵浦,分别实现了平均功率为5.1 W和22 W的2-4微米宽带、高效中红外超连续激光输出(见第叁章)。相比于利用直接调制的半导体技术产生纳秒激光脉冲,增益开关半导体技术可以实现更窄的脉宽,因此该技术有利于实现更高峰值功率的脉冲输出。在本论文的第二部分工作中,研究了采用基于增益开关半导体技术的掺铥光纤脉冲激光器,实现了最大平均功率81.5 W、峰值功率38.9 kW的皮秒脉冲输出(见第四章)。在使用半导体调制技术之外,论文的第叁部分工作研究了具有飞秒脉宽的孤子向长波方向的自平移现象(见第五章)。实验中,首先利用锁模的掺铥光纤脉冲激光器产生超快孤子,并研究了其在石英光纤、碲酸盐光纤、氟化物光纤中传播时的演化过程。在石英光纤中,获得了2-2.25μm的可调谐拉曼孤子,最窄脉冲宽度达到了166 fs,峰值功率达到了140 kW;在碲酸盐光纤中获得了2.4μm的可调谐拉曼孤子;在ZBLAN光纤中获得了2.7μm中红外拉曼孤子。(本文来源于《北京工业大学》期刊2017-05-01）
于洋[10]（2016）在《微波固态功率放大器脉冲调制技术的研究》一文中研究指出本研究设计完成了一款高速微波固态功率放大器漏极脉冲调制电路,脉冲前后沿小于50ns。主要采用高速大电流低内阻的PMOS管为微波固态功率放大器设计了漏极脉冲调制控制电路,较传统电路有很大改进,固态功率放大器的工作状态可随意变换,有功率容量大、效率高、隔离性高等优点。最终基于该调制电路设计了一款C波段高速微波功率放大器,放大器工作频率在5.5GHz±200MHz,放大器实现了低功耗工作,输出信号前后沿小于50ns,降低了工作热损耗。(本文来源于《甘肃科技》期刊2016年14期）
脉冲功率调制论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
目的研究不施加基片温度和固定Ar/N2流量比为64/16的条件下,微脉冲占空比、充电电压特征工艺参数与负偏压对NbN涂层相组成、微结构和力学性能的影响。方法采用高功率调制脉冲磁控溅射技术(MPPMS),通过控制微脉冲占空比、充电电压和负偏压等特征工艺参数,沉积一系列具有不同相组成的NbN涂层,通过X射线衍射仪、纳米压痕仪和维氏硬度计,分别表征NbN涂层的相组成、结构、硬度和韧性,并通过扫描电子显微镜(SEM)对NbN生长形貌和压痕形貌进行观察分析。结果改变微脉冲占空比和充电电压,所有NbN涂层均由δ-NbN和δ'-NbN组成,施加基片偏压后,NbN涂层主要由δ'-NbN组成。所有的NbN涂层均呈现致密柱状晶结构,且提高微脉冲占空比、充电电压和负偏压,制备的NbN涂层均更加致密。随微脉冲占空比升高,涂层硬度由25 GPa增至36 GPa,涂层的韧性逐渐增加。提高充电电压制备的Nb N涂层,其表现出与控制微脉冲占空比制备的涂层相似的规律。施加负偏压后,涂层主要由δ'-NbN组成,涂层的硬度和韧性均下降。结论两相结构和高致密性是使NbN涂层硬度和韧性同时增强的主要因素。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
脉冲功率调制论文参考文献
[1].杨超,蒋百灵,王迪,黄蓓,董丹.调制脉冲磁控溅射峰值靶功率密度对纯Ti镀层沉积行为的影响（英文）[J].稀有金属材料与工程.2019
[2].李玉阁,袁海,蒋智韬,雷明凯.高功率调制脉冲磁控溅射沉积NbN涂层特征工艺参数研究[J].表面技术.2019
[3].李春伟,田修波,徐淑艳,郑权,张群利.工作参数对电场增强高功率脉冲磁控溅射的调制作用研究[J].真空科学与技术学报.2018
[4].唐文婧.基于电光/饱和吸收体双损耗调制高峰值功率单锁模脉冲激光特性研究[D].山东大学.2018
[5].李超.功率放大器脉冲调制波形产生方法研究与实现[J].电子世界.2018
[6].沈杰,何勇,潘绪超,陈鸿,贲驰.用于脉冲功率调制电路的电爆炸丝研究[J].现代应用物理.2018
[7].甘育麟,易恬安,陈秉岩,文波,朱昌平.体积DBD光电参数和脉冲功率密度调制特性研究[C].第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集.2017
[8].邓倩岚,陈炜,辛康.基于频谱仪的脉冲调制信号功率校准技术研究[J].宇航计测技术.2017
[9].师红星.基于调制半导体技术的高功率脉冲光纤激光器及中红外源[D].北京工业大学.2017
[10].于洋.微波固态功率放大器脉冲调制技术的研究[J].甘肃科技.2016