论文摘要
采用磁控溅射法,用In2O3靶、Ga2O3靶、Mg靶在Si片上制备出InxGa1-xN薄膜和Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜。薄膜中的In组分随着Mg的掺杂而减少,因为Mg的掺杂抑制了In-N键的形成,并增加了Ga进入薄膜的机会。通过EDS对Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜的分析表明,有1.4%的Mg组分被成功地掺入InxGa1-xN薄膜。电学性能分析表明In0.84Ga0.16N和Mg掺杂的In0.1Ga0.9N薄膜导电类型由n型转变为p型,而且Mg掺杂的In0.1Ga0.9N薄膜的空穴浓度和电子迁移率分别为2.65×1018cm-3和3.9 cm2/（V·s）。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 王雪文,吴朝科,高海波,翟春雪,李振杰,张志勇,贺琳
关键词: 薄膜,磁控溅射法,掺杂,电学性能
来源: 稀有金属材料与工程 2019年04期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 材料科学,工业通用技术及设备
单位: 西北大学
基金: National Natural Science Foundation of China(61405159,61076002),Natural Science Foundation of Education Commission of Shaanxi Province(2012JK848)
分类号: TB383.2
页码: 1074-1078
总页数: 5
文件大小: 716K
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