导读:本文包含了铁电存储器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:存储器,粒子,效应,剂量,空位,现象,质子。
铁电存储器论文文献综述
陈令刚,陈鸿跃,段祉鸿,朱曦曼[1]（2019）在《铁电存储器在捷联惯性导航系统中的应用研究》一文中研究指出采用铁电存储器(FM25V20)替换EEPROM(AT24CM01)作为捷联惯组内部导航参数的新存储载体,大量惯组参数可快速读取,惯组系统初始化参数读取时间由50s左右减少至1s以内,从而使惯组系统上电初始化总时间大为缩短,显着降低了系统对就绪准备时间的要求。该项技术已在多个产品上得到应用。(本文来源于《中国设备工程》期刊2019年11期）
王森[2]（2019）在《新型铁电存储器的研究及设计》一文中研究指出为了适应现代社会越来越多的数据需求,一种灵活快速的非易失性存储器必不可少。采用掺杂的氧化铪作为铁电介质材料的新型铁电存储器就是在这样的需求下被提出来的。新型铁电存储器的含义是采用新的铁电介质材料制造的铁电存储器,随着集成电路行业进入深亚微米时代,铁电存储器的铁电介质材料也需要更新来适应新工艺的要求。本文的创新点在于选择了掺杂的氧化铪作为铁电介质材料完成了铁电存储器的设计工作。首先,查阅了近年来实验室制备的掺杂氧化铪的工艺和性能,并且在400℃和550℃退火条件下制备了两组样品。分别测试了两组样品的电滞回线,发现550℃退火条件下得到的样品性能更好。为了研究两组样品的疲劳特性,分别对两组样品加上10 kHz的叁角波信号,经过确定的时间后重新测量两组样品的剩余极化强度,发现结果也是在550℃退火条件下得到的样品性能更好。根据对铁电电容的电滞回线测试数据,拟合得到电滞回线的近似函数模型,并据此进一步建立了铁电电容的HSIM仿真模型。对2T2C型铁电存储单元在连接不同的位线电容读出时位线上的电压差做了理论推导和定量计算,从计算结果来看,2T2C型铁电存储单元匹配的位线电容在2 pF左右存在一个最优值,使得读取数据时位线上的电压差达到最大,大约为773 mV。根据这个结果,完成了存储器的存储阵列设计,并且继续完成了存储器的全部电路设计。对设计好的电路在25℃、-55℃、150℃下进行功能仿真,发现铁电存储器能够完成预想的读写功能。根据设计好的电路图进行铁电存储器的版图设计,在版图的设计中,采用共用铁电电容底电极作为板线的方式简化了存储阵列的设计。由于制造工艺的线性偏差会导致差分的位线所处的电路环境不同,容易导致读写错误,相邻行读写操作对位线的干扰也会导致工作不正常。通过对版图中相邻行错位交换差分位线的设计方法,最大限度的避免了两个原因引起的同一行差分位线的电路环境不同,避免数据出错。本文对铁电存储器的原理,铁电电容工艺、测试,铁电存储器的电路设计,和铁电存储器的版图工作设计做了介绍,主要创新点在于采用新型铁电材料。本文的工作和后续流片的测试为后续的铁电存储器芯片的设计和改进提供依据。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
琚安安,郭红霞,张凤祁,郭维新,欧阳晓平[3]（2018）在《铁电存储器中高能质子引发的单粒子功能中断效应实验研究》一文中研究指出利用中国原子能科学研究院的中高能质子实验平台,针对两款商用铁电存储器开展了中高能质子单粒子效应实验研究,发现其中一款器件在质子辐照下发生了单粒子翻转和单粒子功能中断.本文主要针对单粒子功能中断效应展开了后续实验研究.首先通过改变质子能量对器件进行辐照,发现单粒子功能中断截面随质子能量的提高而增加.为进一步研究器件发生单粒子功能中断的机理,利用激光微束平台开展了辅助实验,对铁电存储器的单粒子功能中断效应的敏感区域进行了定位,最后发现铁电存储器单粒子功能中断是由器件外围电路发生的微锁定导致的.(本文来源于《物理学报》期刊2018年23期）
秦丽,郭红霞,张凤祁,盛江坤,欧阳晓平[4]（2018）在《铁电存储器~(60)Co γ射线及电子总剂量效应研究》一文中研究指出以型号为FM28 V100的铁电存储器为研究对象,进行了~(60)Co γ射线和2 Me V电子辐照实验.研究了铁电存储器不同工作方式、不同辐射源下的总剂量辐射损伤规律,用J-750测试部分直流参数和交流参数,分析了存储器敏感参数的变化规律.实验结果表明:对动态、静态加电、静态不加电叁种工作方式下的结果进行比较.其中静态加电工作方式下产生的陷阱电荷最多,是存储器最恶劣的工作方式;器件的一些电参数随总剂量发生变化,在功能失效之前部分参数已经失效;在静态加电这种最恶劣的工作方式下,得到~(60)Co γ射线比电子造成更加严重的辐照损伤.(本文来源于《物理学报》期刊2018年16期）
张元彬[5]（2018）在《铁电存储器的辐射效应测试方法研究》一文中研究指出空间环境中存在着大量宇宙射线和带电粒子,电子设备被要求具有良好的耐辐射性能,而存储器是航天电子系统中存放控制指令和重要数据的重要元件。辐射引起的存储器失效会引起系统重要指令丢失或者数据紊乱。铁电随机存储器被证明能满足电子设备小型化、低功耗和长寿命的空间应用要求,有着良好的空间应用前景潜力。大量的试验表明,铁电材料对辐射有很高的耐受性,因此铁电随机存储器被认为是空间应用中极具潜力的候选者。目前,铁电存储器的辐射效应在国内的研究起步不久,测试方法还不够完善。在铁电存储器辐射效应的测试流程、测试系统、失效模式和故障分析等方面还有很多问题等待研究和探索。准确、快捷和功能完善的铁电存储器辐射效应的测试系统是抗辐射的铁电存储器研究的基础,为航天存储器系统的器件选择提供重要的参考,是保障航天器空间应用可靠性的前提,具有重要的工程和经济意义。基于上述背景,本文对铁电存储器构造及工作原理、铁电存储器单粒子效应和总剂量效应及地面模拟试验测试方法进行了研究。具体内容如下:基于March C-进行的铁电存储器测试方法研究,完成了多种电气缺陷注入铁电存储器的存储单元出现的故障行为仿真分析,发现了2x2 1T1C铁电存储阵列的两个故障,改进的March C-算法可以更全面地覆盖铁电存储器故障类型,总结了故障类型和铁电存储器电气缺陷的对应关系。研究了铁电存储器重离子加速器单粒子测试方法,设计并制作完成了铁电存储器重离子加速器单粒子效应的测试系统,将改进的March C-算法应用于铁电存储器单粒子效应试验,对试验过程中发现的6种类型的铁电存储器故障进行了详细地介绍和故障定位推论分析。研究了铁电存储器总剂量效应测试方法,完成了总剂量效应测试系统的设计和搭建,进行了Co-60γ射线源、电子加速器、X射线微束叁种辐射源下铁电存储器总剂量效应试验,详细地分析了叁种测试辐射源的差异,细致地记录了叁种辐射源下铁电存储器的测试流程,对铁电存储器效应试验结果进行了比对分析,讨论了叁种辐射源下总剂量效应测试方法的差异和应用特点。(本文来源于《电子科技大学》期刊2018-03-30）
苏留帅[6]（2018）在《柔性或透明Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电存储器的研究》一文中研究指出发展柔性或透明的铁电存储器是一个在众多领域新兴的技术目标,这些领域包括电子皮肤、可穿戴设备以及柔性手持设备。钙钛矿氧化物铁电薄膜在电子工业中被广泛应用,但其在柔性或透明存储器中的应用却一直受到限制。而许多有机铁电薄膜虽然具有柔性和透明性,但其电学性能和温度稳定性远不如钙钛矿氧化物铁电薄膜。Bi3.25La0.75Ti3O12因其抗铁电疲劳特性而闻名遐迩,该特性源于其特殊的层状钙钛矿晶体结构,这使得其成为铁电存储器的最佳选择之一。本文通过研究,在云母(Mica)衬底上分别成功制备了结构为SrRuCO3(底电极)/Bi3.25La0.75Ti3O12(铁电层)/Pt(上电极)柔性铁电存储器和结构为ITO(底电极)/Bi3.25La0.75Ti3O12(铁电层)/ITO(上电极)透明存储器。本文研究了柔性铁电存储器和透明铁电存储器的制备工艺和性能表征,包括以下叁个方面:(1)在超薄云母衬底上成功制备了 Mica/SrRu03/Bi3.25La0.75Ti3O12/Pt柔性存储器(Mica/SRO/BLT/Pt)。该柔性存储器在平整状态、弯曲半径为2.2mm的状态和弯曲半径为1.4 mm的状态下铁电存储性能优异且保持一致,如饱和极化强度约为20 μC/cm2,介电调制约为84%,且在1OOKHz下经过疲劳翻转1.33×109次后,其铁电性能没有衰减。(2)在云母衬底上成功制备了 Mica/ITO/Bi3.25La0.75Ti3O12/ITO透明存储器(Mica/ITO/BLT/ITO)。该透明存储器透光率在可见光波段高于80%且铁电存储性能优异,如饱和极化强度约为20μC/cm2并具有超过80%的介电调制。(3)Mica/SrRu03/Bi3.25La0.75Ti3012/Pt 柔性存储器和 Mica/ITO/Bi3 25La00.75Ti3O12/ITO透明存储器均能耐高温、抗光照辐射,可以在20℃-150℃或在光照辐射(206 nm-650 nm)条件下正常工作。总之,这些柔性、透明铁电存储器存储性能优异且具有耐高温、抗辐射等特性,因而是新型高性能可穿戴设备或光电器件的理想选择之一。(本文来源于《南京理工大学》期刊2018-03-01）
张兴尧,郭旗,李豫东,文林[7]（2018）在《不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应》一文中研究指出对两款商用铁电存储器进行了钴源辐射试验,研究了不同偏置条件下铁电存储器的总剂量效应。使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的直流、交流、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。研究表明,将铁电存储器置于不同的偏置条件下,铁电存储器的功能失效阈值不同,原因可能是偏置不同造成了辐射损伤的短板电路模块不同。(本文来源于《太赫兹科学与电子信息学报》期刊2018年01期）
蔡苏宁[8]（2017）在《铁电存储器老化的可控性研究》一文中研究指出氧化物材料中最常见的氧空位缺陷对铁电材料的物理性质和器件使用有着显着的时效影响。这种铁电时效效应的显着特征就是铁电体经过一段时间后,原来的单电滞回线就会转变成双电滞回线,这将会使铁电存储器不再保有非挥发性。因此,如果我们能够调控时效效应,无疑将会对铁电材料的理论研究和实际应用产生深远影响。本论文研究了不同半径离子掺杂的钛酸钡BaTiO_3(BT)材料中的时效(老化)现象。实验表明,大半径离子的掺杂有利于时效效应的出现,而小半径离子的掺杂则抑制时效效应的出现,这主要跟晶格畸变有关。因此我们可以根据实际需要,通过利用不同的离子半径来控制晶格畸变,影响氧空位的运动空间,进而达到调控氧空位迁移运动的目的,实现对铁电材料老化现象的可控性操作。另一方面,我们研究了外加电场对受主掺杂钛酸钡材料老化现象的可控性影响。结果表明,不管受主离子的价态和离子半径如何,经过时效处理的所有样品在小的测试电场下都会呈现出相似的双电滞回线。然而,如果增大测试电场,原来在小电场下测得的双电滞回线就会逐渐地打开,这说明了铁电老化效应在大的测试电场下变弱了。在不同受主离子掺杂的钛酸钡陶瓷中的这种相同的铁电老化现象或许可以用一个普适的机制来解释:大的测试电场会使得一小部分氧空位发生迁移,所以有氧空位及缺陷偶极子提供的回到稳定的初始铁电态的力量就会减弱,自然也就产生了弱的铁电老化效应。(本文来源于《南京邮电大学》期刊2017-10-26）
侯鹏飞[9]（2017）在《硅工艺兼容型铁电存储器的多逻辑态存储研究》一文中研究指出基于双稳态极化来存储数据的铁电存储器(FRAM)具有工作温度范围宽、读写速度快、抗疲劳、功耗低、强抗辐射性等优点,已经被应用在卫星、深空探测器等多种航天器中。但目前的FRAM仍然存在与Si工艺难兼容和存储密度过小等问题,限制了其在民用领域的应用。为促进FRAM的应用,本论文探索了在Pt及Si衬底上制备多晶铁电超薄膜的工艺,研究了制备的铁电超薄膜的铁电性能及其在多逻辑态存储的应用,并分析了多逻辑态存储机理。该研究为解决FRAM与Si工艺的兼容和存储密度低等问题提供了一种新途径,能促进FRAM的商业化应用。本论文的具体工作和相应结果如下:1.通过采用不同的制备参数来调控Pt衬底上超薄PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)薄膜的铁电性能,从厚膜开始入手逐步实现了具有良好铁电性能的多晶PZT铁电超薄膜制备,并研究了基于PZT铁电超薄膜的Pt/PZT/Pt可翻转二极管的开关特性。通过制备参数的调制实现了具有较好电滞回线的多晶铁电超薄膜制备,当PZT薄膜厚度低于50 nm时,随薄膜厚度降低,尽管PZT超薄膜的剩余极化强度逐渐降低,但是当薄膜厚度降低至29 nm时仍保持明显的铁电性能。另外基于所制备的多晶铁电超薄膜制备了Pt/PZT/Pt可翻转二极管单元,其开关比随PZT薄膜厚度的减小而逐渐降低。当铁电薄膜的厚度薄至13 nm时,该可翻转二极管开关特性依然明显,表明超薄多晶铁电薄膜依然可应用于存储器件中。2.设计了一种铁电忆阻器存储单元,通过使用活性电极来调控铁电薄膜中的氧空位浓度,并通过电场控制氧空位的迁移距离等实现高低阻态电流的高比值。通过调控薄膜制备氧压生长了具有不同初始氧空位浓度的PZT薄膜,并制备了Ag/PZT/Pt存储单元。研究了PZT氧空位的浓度与存储单元忆阻行为的相关性。当制备氧压为10 Pa时,该单元可以实现六个逻辑态的存储;当制备氧压为20 Pa时,该单元可以实现四个逻辑态的存储,此时最高阻态和最低阻态之间的比值最高,可以达到107~108%。这些器件具有很高的开关比和良好的保持性能,用作两逻辑态存储时可以保持105 s以上,表明其在非挥发性铁电忆阻器中具有巨大的应用潜力。3.设计了一种基于ZnO:Mn/PZT复合薄膜的多逻辑态存储单元,通过逐层控制薄膜的电阻状态,开发了一种基于控制Ag离子迁移、铁电极化翻转以及氧空位迁移来实现四逻辑态存储的单元器件。研究了Ag/ZMO/PZT/Pt复合薄膜存储单元的多逻辑态存储行为,该存储单元综合了Ag/PZT(8 nm)/Pt和Ag/ZMO(20 nm)/Pt两种存储单元的阻变机理,在不同电压激励下能逐步实现Ag离子迁移、铁电极化翻转和氧空位迁移,进而实现了四逻辑态存储。该复合薄膜存储单元具有较好的重复写入性能,能在较短的时间内保持其逻辑态。该研究表明通过不同原理组合来构建新型多逻辑态存储器的设想是可行的,为新型多逻辑态存储器件研发提供了新思路。4.构建了Pt/PZT/SiOx/Si铁电隧道结单元,通过隧道结中铁电极化翻转和氧空位迁移实现了多逻辑态存储,探索了多晶铁电超薄膜应用于多逻辑态存储时与Si工艺的兼容性。在Si衬底上沉积的不同厚度PZT超薄膜具有较好的铁电性能;当使用Pt顶电极将其制备成Pt/PZT/SiOx/Si铁电隧道结单元时,其开关比随着PZT薄膜厚度的增加先增大后减小;当存储单元中PZT厚度为2.5 nm时可实现8态存储,在100 s内其各逻辑态保持性较好,且具有较好的可重复写入性能。该铁电隧道结单元的多逻辑态存储是由铁电极化翻转和氧空位迁移共同引起的。该研究结果为开发与Si工艺兼容的铁电存储器提供了新思路。5.使用BiFeO3(BFO)铁电材料来制备直接沉积在Si衬底上的多逻辑态铁电隧道结单元,研究了Pt/BFO/SiOx/Si铁电隧道结单元的存储性能,然后使用数值计算的方法对构建的存储机理模型进行了验证。研究结果表明,所制备的多逻辑态铁电隧道结单元的存储机理和可存储逻辑态的数量均与BFO薄膜的厚度相关:当采用的BFO薄膜的厚度在2 nm时,存储单元的存储行为由氧空位的迁移引起,可以实现2态存储;当厚度在3.5 nm及以上时,存储行为由氧空位和极化翻转共同引起,可以实现4态及以上的存储。所制备的BFO铁电隧道结单元保持性优于PZT铁电隧道结单元,各个逻辑态在10 min内都可以较好地保持。另外数值计算结果验证了铁电隧道结单元在不同电压激励以后引起的铁电极化翻转和氧空位迁移导致势垒高度和宽度变化的模型是正确的。该研究为开展提高与Si工艺兼容型铁电存储器的保持性能研究提供了指导。(本文来源于《湘潭大学》期刊2017-05-01）
魏佳男[10]（2017）在《铁电存储器单粒子效应关键影响因素研究》一文中研究指出航天任务中,半导体存储器在信息获取和保存方面具有重要作用。随着航天技术的发展,相关行业对高性能存储器的需求日益增大。此外,航天电子器件还将面临多种辐射效应的威胁,其中单粒子效应是导致存储器故障的主要辐射效应之一,因此必须开展备选器件的单粒子效应研究以采取必要的加固措施。铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FRAM)是一种新型非挥发性存储器,具有高读/写耐久性、高速烧写及超低功耗等多种优点,且铁电薄膜具有较好的抗辐射能力,非常适合在空间环境中使用。目前,国外多家研究机构已开展了大量铁电存储器的单粒子效应地面模拟和星载试验,但国内相关的研究鲜有报道。针对以上现状,本文从铁电存储器单粒子敏感区定位和不同频率、温度及辐射环境等影响因素作用下单粒子敏感性变化等方面开展了研究,内容包括:1.利用脉冲激光单粒子模拟装置获取了铁电存储器各功能模块单粒子锁定阈值能量和锁定截面曲线。结果表明同一器件不同模块间锁定敏感性有巨大差异。同时分析了静态和动态模式下锁定引发数据翻转的情况,发现动态模式下的翻转截面大于静态模式。2.提出了一种脉冲激光实验背辐照定位方法,在没有红外成像系统的条件下实现了器件正面待测区域的背部定位,形成了背部敏感节点到正面版图的映射。进一步采用脉冲激光装置开展了铁电存储器背辐照实验,分析了被测器件翻转截面的频率依赖特性,认为单个读出周期内使能信号有效时间对翻转敏感性有重要影响。同时对比了不同使能信号占空比下被测器件的翻转截面,验证了实验结论。3.开展了不同温度下铁电存储器的单粒子翻转和锁定实验。给出了存储单元和外围电路翻转敏感性与温度的关系。分析认为温度对外围电路翻转的影响集中在阈值能量附近,而对存储单元翻转的影响应归因于铁电电容剩余极化和矫顽电场的变化。同时给出了各功能模块锁定阈值和锁定截面与温度的关系,分析认为阱区电阻率随温度升高是造成锁定阈值降低和非饱和区锁定截面增大的主要因素,而饱和锁定截面增大是由非注入节点的电荷扩散收集导致的灵敏体积扩展导致。4.利用60Co源、209Bi离子和脉冲激光分析了铁电存储器在不同累积剂量下的单粒子翻转敏感性。发现随累积剂量和测试图形不同,被测器件翻转截面有不同的变化趋势。分析认为无偏状态下电离辐射导致的外围电路性能退化十分微弱,单粒子翻转敏感性的变化主要归因于电离辐射导致的铁电电容的类疲劳和类印记现象。(本文来源于《湘潭大学》期刊2017-05-01）
铁电存储器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了适应现代社会越来越多的数据需求,一种灵活快速的非易失性存储器必不可少。采用掺杂的氧化铪作为铁电介质材料的新型铁电存储器就是在这样的需求下被提出来的。新型铁电存储器的含义是采用新的铁电介质材料制造的铁电存储器,随着集成电路行业进入深亚微米时代,铁电存储器的铁电介质材料也需要更新来适应新工艺的要求。本文的创新点在于选择了掺杂的氧化铪作为铁电介质材料完成了铁电存储器的设计工作。首先,查阅了近年来实验室制备的掺杂氧化铪的工艺和性能,并且在400℃和550℃退火条件下制备了两组样品。分别测试了两组样品的电滞回线,发现550℃退火条件下得到的样品性能更好。为了研究两组样品的疲劳特性,分别对两组样品加上10 kHz的叁角波信号,经过确定的时间后重新测量两组样品的剩余极化强度,发现结果也是在550℃退火条件下得到的样品性能更好。根据对铁电电容的电滞回线测试数据,拟合得到电滞回线的近似函数模型,并据此进一步建立了铁电电容的HSIM仿真模型。对2T2C型铁电存储单元在连接不同的位线电容读出时位线上的电压差做了理论推导和定量计算,从计算结果来看,2T2C型铁电存储单元匹配的位线电容在2 pF左右存在一个最优值,使得读取数据时位线上的电压差达到最大,大约为773 mV。根据这个结果,完成了存储器的存储阵列设计,并且继续完成了存储器的全部电路设计。对设计好的电路在25℃、-55℃、150℃下进行功能仿真,发现铁电存储器能够完成预想的读写功能。根据设计好的电路图进行铁电存储器的版图设计,在版图的设计中,采用共用铁电电容底电极作为板线的方式简化了存储阵列的设计。由于制造工艺的线性偏差会导致差分的位线所处的电路环境不同,容易导致读写错误,相邻行读写操作对位线的干扰也会导致工作不正常。通过对版图中相邻行错位交换差分位线的设计方法,最大限度的避免了两个原因引起的同一行差分位线的电路环境不同,避免数据出错。本文对铁电存储器的原理,铁电电容工艺、测试,铁电存储器的电路设计,和铁电存储器的版图工作设计做了介绍,主要创新点在于采用新型铁电材料。本文的工作和后续流片的测试为后续的铁电存储器芯片的设计和改进提供依据。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
铁电存储器论文参考文献
[1].陈令刚,陈鸿跃,段祉鸿,朱曦曼.铁电存储器在捷联惯性导航系统中的应用研究[J].中国设备工程.2019
[2].王森.新型铁电存储器的研究及设计[D].电子科技大学.2019
[3].琚安安,郭红霞,张凤祁,郭维新,欧阳晓平.铁电存储器中高能质子引发的单粒子功能中断效应实验研究[J].物理学报.2018
[4].秦丽,郭红霞,张凤祁,盛江坤,欧阳晓平.铁电存储器~(60)Coγ射线及电子总剂量效应研究[J].物理学报.2018
[5].张元彬.铁电存储器的辐射效应测试方法研究[D].电子科技大学.2018
[6].苏留帅.柔性或透明Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电存储器的研究[D].南京理工大学.2018
[7].张兴尧,郭旗,李豫东,文林.不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应[J].太赫兹科学与电子信息学报.2018
[8].蔡苏宁.铁电存储器老化的可控性研究[D].南京邮电大学.2017
[9].侯鹏飞.硅工艺兼容型铁电存储器的多逻辑态存储研究[D].湘潭大学.2017
[10].魏佳男.铁电存储器单粒子效应关键影响因素研究[D].湘潭大学.2017
论文知识图
