导读:本文包含了发光效率论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:卤化物,常数,量子,效率,速率,光源,电子。
发光效率论文文献综述
余浩,郑畅达,丁杰,莫春兰,潘拴[1]（2019）在《InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响（英文）》一文中研究指出基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获得明显的效率提升。在35 A/cm~2的电流密度下,主波长为520 nm的LED外量子效率和光功率分别达到43.6%和362.3 mW,这是截至目前报道的最高记录。通过分析表明,其潜在的物理机制归结于p-AlGaN插入层能够提高空穴从V坑注入的效率。本文提供了一种有效提升发光效率的方法,尤其适合于含有V坑结构的InGaN/GaN LED。(本文来源于《发光学报》期刊2019年09期）
黄国斌,骆登峰,张茂升[2]（2019）在《多色高发光效率CsPbX_3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点的制备及其在发光二极管中的应用》一文中研究指出采用室温合成法制备出一系列具有高发光效率和多色发光的CsPbX_3钙钛矿量子点(PQDs),反应全过程快速简便,且通过调节不同的卤素组成(Cl,Br,I)可以实现CsPbX_3PQD的多色发光。通过表征证明,CsPbX_3PQDs呈立方晶型,平均粒径约为10 nm,发射光谱覆盖可见光波长范围为410～630 nm,半峰宽14～38 nm,荧光量子产率10%～90%。最后将CsPbX_3PQDs应用于发光二极管(LED)器件的制备中,在恒定电压下工作时,能保持LED器件的发光颜色、强度和颜色坐标不变。(本文来源于《应用化学》期刊2019年08期）
孟锡俊,李建婷,刘大为[3]（2019）在《GaN基外延结构中EBL层生长工艺对发光效率的影响》一文中研究指出根据量子限域电子溢出理论及极化场引起的能带弯曲理论,我们采用不同工艺的EBL层结构,通过控制Al组分分布,在不影响P-GaN层空穴的注入的情况下,提升电子限制能力,提升芯片的发光效率。(本文来源于《电子测试》期刊2019年12期）
王寓[4]（2019）在《过渡金属配合物激发态衰变机理的定量评价以及微调配体结构以提高其发光效率的理论研究》一文中研究指出有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLEDs)是一种自发光并具有广视角,强对比度等优点的高端显示屏。虽然OLED具有很多优势,但该显示技术仍然在蓝光、绿光、红光和白光的发光表现力和持久度上有待改进和提高。早期研制的荧光OLED材料被后来的磷光OLED材料逐渐取代,因为由电子态和自旋本身的性质决定了磷光发光效率是荧光发光效率的叁倍。在磷光材料中,过渡金属配合物有着不可取代的重要地位,这也是本论文的研究重点所在。在高性能的OLED器件中,除了制作工艺方面可以改善其应用,更重要的是组成OLED的电荷传输层材料和发光层材料的各自优越性能,以及组合到一起的相互协同有着广泛提升空间。其中本论文主要针对的是过渡金属Ir配合物分子在激发态衰变中的一些性质的计算研究,从定性和定量的计算方式评价了几种具有代表性的Ir配合物的发光效率。在辐射跃迁过程中,我们定量分析了不同单重激发态和叁重激发态之间的自旋轨道耦合常数的大小,从而判断电子在激发态中的系间窜越行为;在非辐射跃迁过程中,我们应用费米黄金规则和微扰理论等方法来定量计算了每个Ir配合物的非辐射跃迁速率常数,然后通过振动频率和重组能分析一类配合物中影响非辐射跃迁速率的由分子基团的振动方面原因,从而可以进行定向分子设计,最大程度地减小分子在激发态衰变过程中的振动弛豫。本文一共分为六章。第一章是前言,主要介绍了OLED的功能和组成架构,并简要概括了OLED的发展历程,以及研究OLED发光材料的重要性;第二章是理论基础部分,涵盖了量子力学基础,量子化学计算方法以及在基组选择方面的论述,由于本论文研究涉及电子的辐射与非辐射跃迁过程,因此在本章中还简述了理论评价两个跃迁过程中用到的基本原理和公式表达;第叁章到第六章是对不同种类的Ir配合物进行的定性和定量评价,在对已合成的分子详细的计算和分析作为对比,也对自行设计的分子进行了理论研究,其主要的研究内容如下:1.为了理论评价辐射和非辐射跃迁速率常数,我们整理了一套定量的理论方法。首先为了验证该方法的有效性,以最常见且应用最广泛的Ir苯基吡啶配合物fac-Ir(ppy)_3及其完备的实验数据作为参考。计算表明这套整合的理论计算体系可以准确定量地描述该分子的激发态衰变行为。基于此,我们又将该方案套用到了另外叁个实验上已经合成的Ir配合物中,都得到了和实验结果极其吻合的结果。这四个已合成的分子都有一样的主配体,唯一的区别在于辅助配体上。其中配合物Ir(ppy)_2DBM(DBM=1,3-diphenyl-1,3-propanedione)在室温下不发光,通过计算我们找到了它不发光的原因,并设计出了改良辅助配体的Ir配合物,计算证明新设计的配合物发光效率得到了明显提升。2.在前述整合的理论计算思路基础上,我们拓展应用于评价一类Ir配合物其辅助配体上其取代基团的性质对整个分子发光性质的影响做了深入的研究和讨论。这类Ir配合物主配体是二氟取代的苯基吡啶,辅助配体的骨架部分是联咪唑,唯一不同是在联咪唑的对称位置上取代具有推电子或吸电子的取代基。计算结果表明在辅助配体上取代推电子基团的发光效率要高于取代吸电子基团。进一步分析振动模式对非辐射跃迁的贡献可以看出在辅助配体上取代吸电子基团会使辅助配体的振动幅度明显增加,从而增大了非辐射跃迁速率常数,导致发光效率的降低。3.我们又对主配体上的取代基性质对Ir配合物发光效率的影响进行了研究。我们选取了一类具有相同辅助配体——吡啶甲酸酯的Ir配合物,主配体是由不同取代基取代的二氟代联吡啶,不同之处在于主配体上的取代基。实验上已经证明不同性质的取代基会对发光效率有不同的影响,其中吸电子取代基会提高量子效率,而推电子取代基会降低量子效率。通过理论评价,定量描述了和实验一致的现象。我们设计了一个新的具有大体积吸电子取代基的配合物,理论计算表明在主配体上取代基的性质并不是影响分子发光效率的决定性因素,取代基团的体积大小同样会影响整体的发光效率。4.由于在非辐射跃迁过程中,分子的振动弛豫贡献了较大的非辐射跃迁成分,这一点在理论计算非辐射跃迁速率常数中也有所体现,其中重组能和黄昆因子就能定量反映出电子在两个态之间的跃迁引起的原子核位置的变化程度。基于这个事实,我们在已成功应用的几类Ir配合物上分别进行部分和整体的氢原子的氘同位代,通过不改变原子核电荷数,也就是不改变电子行为的同时增加原子核质量,使其振动幅度减小,从而达到减小非辐射跃迁速率常数的目的。通过理论计算,我们发现在主导电子跃迁的配体上进行同位素取代会有效抑制非辐射跃迁过程并能将原有的分子效率提高将近50%。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-06-01）
任杰[5]（2019）在《使用有机添加剂提高混和卤化物钙钛矿器件的发光效率》一文中研究指出最近几年,钙钛矿作为一种新兴材料受到极大的欢迎,对其的研究发展十分迅速。因为这种材料具有良好的光吸收性,更少的非辐射性复合,溶液加工方便,较低的载流子陷阱密度等特点,有望应用在太阳能电池,有机发光二极管,光电探测器,激光等领域。本文主要研究基于有机和无机杂化钙钛矿的发光二极管。在制作发光二极管方面,可以通过改变卤素阴离子种类来调节发光波长,例如CH_3NH_3PbBr_3发光波长为520 nm左右,CH_3NH_3PbCl_3发光波长为390 nm左右,而CH_3NH_3PbI_3发出的光为788 nm左右,是肉眼无法看到的红外光。调节这叁种卤素阴离子的种类和相对比例将会得到不同发光波长的器件,由于混合之后带隙可以连续调节,所以发光波长将会覆盖整个可见光区域。本文主要采用Br和I混杂钙钛矿材料制备红色发光器件,器件发光效率受到薄膜较低PLQE的限制。另外,这样混合的卤化物钙钛矿在激光照射的条件下或者是器件被通电流后,由于晶体表面的缺陷为卤离子迁移提供了条件,所以将会形成富I相,器件的发光波长将会产生红移,破坏器件发光效率和色稳定性。混和卤化物钙钛矿中如果产生这种卤化物相分离的情况,将会导致上述的优点变得没有意义。论文主要针对基于Br和I混杂钙钛矿材料发光器件的上述问题,通过使用SPPO13和TPBI添加剂的方法钝化钙钛矿晶体表面缺陷,提高器件发光效率和色稳定性。研究TPBI和SPPO13添加剂对钙钛矿的表面形貌,晶体颗粒的大小,钙钛矿的光物理特性的影响。在旋涂制作CH_3NH_3Pb(Br_(0.5)I_(0.5))_3薄膜样品的过程中,分别使用氯苯(CB)和使用浓度各为0.5 mg/ml,1 mg/ml,2 mg/ml的SPPO13或TPBI溶液作为反溶剂进行快速结晶。使用SEM对样品的表面形貌进行观察,发现随着添加剂溶液浓度的增加,样品表面的晶体颗粒变小,形貌变得更加平整和均匀。但是当添加剂溶液浓度增加到2 mg/ml时,样品表面会覆盖一层网状结构的SPPO13。XRD图谱中,在14.4°和29.2°这两个位置出现衍射峰,来源晶体的(100)和(200)晶面。随着SPPO13溶液浓度的增加,样品的结晶性减弱,与SEM测量结果一致。在405 nm的激光照射之后,使用CB制备的样品峰位变宽,并且强度降低,表明钙钛矿中产生了卤素相分离,存在富碘相。与之形成对比的是,使用SPPO13快速结晶的样品在被光照后峰位强度和半高宽变化很小,说明有机添加剂引入能够有效抑制卤素相分离。对经CB,SPPO13和TPBI处理的CH_3NH_3Pb(Br_(0.5)I_(0.5))_3样品进行PL测量,结果表明,SPPO13或TPBI处理将会提高钙钛矿的PL强度,PL强度随着SPPO13溶液浓度的增加而增加。使用1.0 mg/ml的SPPO13溶液制备的样品的PL强度约为采用CB制备样品PL强度的5.8倍。使用CB快速结晶的样品的PLQE值为0.2-0.3%,而使用SPPO13快速结晶的样品的PLQE值为0.8-1%。在405 nm激光的照射2分钟后,使用CB快速结晶的样品PL波峰从645 nm红移到653 nm。在被照射4分钟后,波峰进一步红移到665 nm,同时700 nm左右的峰位强度开始增加。而使用SPPO13快速结晶的样品在被照射2分钟后波峰位置只变化了1 nm,在被照射4分钟后,波峰位置变化了2 nm。以上结果同样表明SPPO13可以一定程度的抑制卤素相分离。经TPBI处理的样品PL光谱稳定性也有所改善。制作结构为ITO/PEDOT:PSS(70 nm)/CH_3NH_3Pb(Br_(0.5)I_(0.5))_3(150 nm)/TmPyPB(60 nm)/CsF(1 nm)/Al(100 nm)的发光器件,研究有机添加剂浓度对器件发光亮度、发光效率和电致发光光谱稳定性的影响。结果表明,使用CB快速结晶的样品最大发光亮度只有20 cd/m~2,发光效率只有0.05 cd/A,EQE为0.06%。而使用SPPO13溶液快速结晶的样品,最大发光亮度达到210 cd/m~2,发光效率为0.32 cd/A,EQE为0.42%,使用SPPO13溶液来对钙钛矿快速结晶可以使得器件的发光效率提高6倍。使用CB快速结晶的器件电致发光光谱波峰随着电流的增大而逐渐红移,器件在60和80 mA/cm~2下,波峰从645 nm红移到652和658nm,同时半峰宽变宽,位于700 nm的波长强度开始逐渐增加。在相同驱动条件下,使用SPPO13快速结晶的样品波峰峰位稳定在645 nm,电致发光光谱的半峰宽只是有稍微的变化,证明SPPO13的添加对钙钛矿的相分离起到了很好的抑制作用。当使用TPBI溶液来快速结晶时,器件发光效率和电致发光光谱稳定性也有所改善。证明使用路易斯碱来钝化缺陷,抑制卤素相分离过程是一种通用的方法。对路易斯碱抑制相分离的作用进行了分析,认为其未配位的铅原子与SPPO13中P=O部分之间产生路易斯酸碱相互作用,补偿卤素空位,减少了卤素离子的迁移途径,所以抑制了相分离过程。(本文来源于《西南大学》期刊2019-04-10）
李炳乾,罗明浩,俞理云,夏正浩,陈叶青[6]（2019）在《COB LED光源封装密度对发光效率的影响》一文中研究指出采用镜面率基板,制作了18 W、24 W和36 W等不同封装密度的COB LED光源,研究了脉冲驱动时不同封装密度COB LED光源发光效率的电流依赖关系和恒流驱动时的发光效率维持率。通过采用沉粉技术,提高了高密度封装COB光源的发光效率和恒流发光效率维持率。研究结果表明:随着封装密度的增加,光源的发光效率呈现下降趋势,恒流(300 m A)驱动时,24 W、36 W光源发光效率分别下降了1. 31%和10. 87%。相比于传统荧光粉涂覆工艺,恒流驱动时,发光效率初始值提高了1. 00%,表现出更好的光效维持率;在持续点亮30 min时,发光效率维持率达到97. 60%,高于传统荧光粉涂覆工艺2. 16%。(本文来源于《照明工程学报》期刊2019年01期）
李炳乾,罗明浩,俞理云,夏正浩,陈岩[7]（2019）在《沉粉工艺COB LED光源发光效率研究》一文中研究指出研究了常规荧光粉涂覆工艺和沉粉工艺COB封装白光LED的发光效率、色漂移及光通量等参数的电流依赖关系,对实验结果进行了理论分析。研究结果表明,采用沉粉工艺时,更多的荧光粉集中在LED芯片表面,理论上提供了更好的散热通道,但是LED芯片电光转换时产生的热量和荧光粉光致发光产生的热量均集中在芯片附近,导致芯片附近温度升高,在几种效应的共同作用下,沉粉工艺制作的COB LED的发光效率在不同电流下均低于常规工艺的3%～5%。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年01期）
徐平[8]（2019）在《GaN基LED芯片发光效率提升研究》一文中研究指出本研究的GaN基LED外延生长方法中通过通入大量的NH3进行裂解,将N原子附着在生长的P型GaN上,在NH3进行裂解处理的同时,对生长好的P型GaN进行短暂的退火处理,让其晶格在热作用下,得到新的规则排列,获得整齐的表面。并在低H元素浓度环境下,再次通入TEGa裂解Ga元素,使得可电离的Mg元素浓度增加。本研究方法能够减少外延层P结构的N空位,减少Mg-H键,提高P结构Mg的电离率,提高P结构的空穴,提高LED芯片发光效率。(本文来源于《科技创新导报》期刊2019年02期）
刘丹,朱洁,龚千寻,彭婕,WILLIS,A.C.Maureen[9]（2018）在《利用8-羟基喹啉锂作电子注入层以提高有机发光器件的发光效率》一文中研究指出8-羟基喹啉锂用作有机电致发光器件的电子注入层能够提高阴极功函数,进而提高器件的发光效率。10的Liq薄膜足以降低有机电致发光器件中的开启电压并能有效提高器件效率,该现象可与LiF/Al作阴极的器件性能相比拟。利用不同阴极材料制作器件,讨论了8-羟基喹啉锂的电子注入机制,发现把Liq薄膜引入到Alq3和不同阴极之间后,器件的电流密度与所用阴极材料的种类无关。为了讨论电子在分界面上注入势垒的变化情况,对器件进行饱和光伏测试。测试发现Alq3/Liq/Al的分界面上真空能级的移动降低了电子注入势垒。推测此现象是由于在界面上形成了强偶极子,这也可能是有机电致发光器件中电子注入效率提高的机理之一。(本文来源于《光散射学报》期刊2018年04期）
李玉强,刘超,柴永灏,牛萍娟,于莉媛[10]（2018）在《量子阱厚度和势垒掺杂对大功率AlGaInP LED发光效率衰减特性的影响》一文中研究指出GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显着改善大功率LED的高温衰减特性.(本文来源于《聊城大学学报(自然科学版)》期刊2018年04期）
发光效率论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用室温合成法制备出一系列具有高发光效率和多色发光的CsPbX_3钙钛矿量子点(PQDs),反应全过程快速简便,且通过调节不同的卤素组成(Cl,Br,I)可以实现CsPbX_3PQD的多色发光。通过表征证明,CsPbX_3PQDs呈立方晶型,平均粒径约为10 nm,发射光谱覆盖可见光波长范围为410～630 nm,半峰宽14～38 nm,荧光量子产率10%～90%。最后将CsPbX_3PQDs应用于发光二极管(LED)器件的制备中,在恒定电压下工作时,能保持LED器件的发光颜色、强度和颜色坐标不变。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
发光效率论文参考文献
[1].余浩,郑畅达,丁杰,莫春兰,潘拴.InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响（英文）[J].发光学报.2019
[2].黄国斌,骆登峰,张茂升.多色高发光效率CsPbX_3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点的制备及其在发光二极管中的应用[J].应用化学.2019
[3].孟锡俊,李建婷,刘大为.GaN基外延结构中EBL层生长工艺对发光效率的影响[J].电子测试.2019
[4].王寓.过渡金属配合物激发态衰变机理的定量评价以及微调配体结构以提高其发光效率的理论研究[D].吉林大学.2019
[5].任杰.使用有机添加剂提高混和卤化物钙钛矿器件的发光效率[D].西南大学.2019
[6].李炳乾,罗明浩,俞理云,夏正浩,陈叶青.COBLED光源封装密度对发光效率的影响[J].照明工程学报.2019
[7].李炳乾,罗明浩,俞理云,夏正浩,陈岩.沉粉工艺COBLED光源发光效率研究[J].半导体光电.2019
[8].徐平.GaN基LED芯片发光效率提升研究[J].科技创新导报.2019
[9].刘丹,朱洁,龚千寻,彭婕,WILLIS,A.C.Maureen.利用8-羟基喹啉锂作电子注入层以提高有机发光器件的发光效率[J].光散射学报.2018
[10].李玉强,刘超,柴永灏,牛萍娟,于莉媛.量子阱厚度和势垒掺杂对大功率AlGaInPLED发光效率衰减特性的影响[J].聊城大学学报(自然科学版).2018
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