论文摘要
通过改进的垂直布里奇曼法(MVB),引入铟(In)元素掺杂,在Te过量条件下生长CdTe:In和CdZnTe:In晶体,对比研究了两种晶体的质量、电学性能与光学性能之间的关联.结果表明,晶体的结晶质量和电学性能优劣可通过晶体光学性能结果给出定性评价.一方面,CdZnTe:In晶体的红外透过率高,达到了63%,接近于理论值,同时晶体中富Te相的形貌与尺寸相似、分布均匀,故CdZnTe:In晶体的结晶质量较好,相应的晶体电阻率达到了10~9数量级,电学性能较好.另一方面,CdZnTe:In晶体的光致发光谱中出现的(D~0,X)峰较尖锐,半峰宽约为8.6 meV,且谱峰中相邻的FE峰清晰可见,这表明CdZnTe:In晶体中Te夹杂/沉淀数量少,晶体具有高阻特性.
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 李涛,南瑞华,坚增运,李晓娟,李金华,朱金花
关键词: 改进的垂直布里奇曼法,掺杂,光学性能
来源: 化学研究 2019年02期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,基础科学
专业: 物理学,化学
单位: 西安工业大学材料与化工学院,河南大学化学化工学院
基金: 国家自然科学基金(51502234,51602242),陕西省自然科学基础研究计划(2018JM5097)
分类号: O734
DOI: 10.14002/j.hxya.2019.02.009
页码: 159-164
总页数: 6
文件大小: 1236K
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标签：改进的垂直布里奇曼法论文; 掺杂论文; 光学性能论文;