导读:本文包含了高压液封直拉法论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:高压,拉法,电学,光谱,参数,论文,InP。
高压液封直拉法论文文献综述
吴灵犀,刘巽琅,叶式中,孟庆惠,李永康[1]（1984）在《高压液封直拉InP单晶的低温光致发光研究》一文中研究指出研究了高压液封直拉InP 单晶在 4.2 K、1.8K和 4.2至～40K叁种温区的光致发光谱.除看到了1.416eV处的近带边峰和1.1-1.2eV处与P空位有关的络合物峰外,还观察到1.377eV(A峰)和1.368eV处(B峰)的两个峰及它们在低能方向的一级、二级、叁级声子伴线.初步确定A峰、B峰分别与受主杂质Zn、Cd有关.实验测定了InP中纵向光学声子(Lo)的能量约为43meV,并给出了电子、声子耦合强度s值.(本文来源于《半导体学报》期刊1984年02期）
邓志杰,俞斌才,刘锡田[2]（1980）在《高压液封直拉法生长GaP单晶》一文中研究指出利用国产ZFL 018型高压单晶炉和液封直拉(LEC)法生长了掺碲(硫)GaP单晶,其常温电学参数为;n_(Te,s)～(2～15)×10~(17)cm~(-3);μ_n～(86～134)cm~2/sv;位错密度(1～4)×10~4cm~(-2)。(本文来源于《发光与显示》期刊1980年05期）
高压液封直拉法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用国产ZFL 018型高压单晶炉和液封直拉(LEC)法生长了掺碲(硫)GaP单晶,其常温电学参数为;n_(Te,s)～(2～15)×10~(17)cm~(-3);μ_n～(86～134)cm~2/sv;位错密度(1～4)×10~4cm~(-2)。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高压液封直拉法论文参考文献
[1].吴灵犀,刘巽琅,叶式中,孟庆惠,李永康.高压液封直拉InP单晶的低温光致发光研究[J].半导体学报.1984
[2].邓志杰,俞斌才,刘锡田.高压液封直拉法生长GaP单晶[J].发光与显示.1980
论文知识图
