导读:本文包含了等离子体辅助分子束外延论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:外延,等离子体,分子,薄膜,射线,射频,正电子。
等离子体辅助分子束外延论文文献综述
吴渊渊,郑新和,王海啸,甘兴源,文瑜[1]（2013）在《高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为》一文中研究指出采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域,Ga束流超过N的等效束流时,In组分不为零,即Ga并没有全部并入外延层;另外,稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.(本文来源于《物理学报》期刊2013年08期）
吕有明,孙建武,矫淑杰,申德振,张振中[2]（2007）在《利用等离子体辅助分子束外延制备ZnO：N薄膜的发光性质研究》一文中研究指出p 型 ZnO 是实现 ZnO 同质结的光发射器件和激光器的关键,其中 N 掺杂作为首选元素已经被广泛用作制备 p 型 ZnO 及其发光器件上。目前,关于 ZnO：N 薄膜中 N 相关的发光机制还存在许多争议,因此深入地研究 N 相关的发光性质对于弄清 N 在 ZnO 中行为是十分必要的。(本文来源于《第11届全国发光学学术会议论文摘要集》期刊2007-08-01）
杨广武[3]（2007）在《射频等离子体辅助分子束外延生长高质量Zno薄膜研究》一文中研究指出本论文的主要任务是研究在蓝宝石(0001)衬底上利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-MBE)系统生长出高质量的氧化锌(ZnO)单晶外延薄膜，为ZnO这一新颖的半导体材料在光电子器件方面得到应用打下基础。本文研究了锌(Zn)束流对薄膜质量的影响。在生长过程中，固定射频等离子体源功率为350W，氧气(O_2)流量为1.5SCCM，在10~(-8)-10-~(-6)mbar之间调整Zn束流在蓝宝石(0001)衬底上进行薄膜生长与表征。随着Zn束流的调整，在PL谱中可以看到位于紫外约376nm处的由自由激子复合产生的近带边发射得到增强，而位于可见光区域的由缺陷和杂质引起的深能级发射得到了有效的抑制，说明我们的采用的方法对于生长高质量ZnO薄膜是可行的。通过优化实验参数，在蓝宝石(0001)衬底上生长了ZnO薄膜。在X射线衍射(XRD)谱中除衬底的<006>峰外，只观察到ZnO薄膜的<002>衍射峰，其半高宽(FWHM)值为0.18°；在室温共振拉曼散射光谱中观测到叁个散射峰位1LO(575cm~(-1))、2LO(1149cm~(-1))和3LO(1724cm~(-1))，这些结果表明ZnO薄膜具有单一c轴取向和高质量的纤维锌矿晶体结构。在吸收光谱中观测到自由激子吸收和激子-LO声子吸收峰，这表明在室温下ZnO薄膜中存在稳定的激子。室温下在光致发光谱(PL)中仅观测到位于376nm处的自由激子发光峰，而没有观测到与缺陷相关的深能级发射峰，这表明ZnO薄膜具有较高的质量和低的缺陷密度。(本文来源于《天津工业大学》期刊2007-01-01）
梁红伟,颜建锋,吕有明,申德振,刘益春[4]（2004）在《用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜》一文中研究指出利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20°,证实为ZnO单晶薄膜。室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光。电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流于浓度为7×10~(16) cm~(-3),与体单晶ZnO中的载流子浓度相当。(本文来源于《发光学报》期刊2004年02期）
延凤平,简水生,尾形健一,小池一步,佐佐诚彦[5]（2004）在《ZnMgO薄膜的等离子体辅助分子束外延生长及其Mg组分分析》一文中研究指出利用电感耦合等离子体(ICP)及电子束探针微分析(EPMA)装置对等离子体辅助的分子束外延(MBE)法在蓝宝石衬底上生长的Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的Mg组分进行了测试,经理论分析,导出适合于生长过程中Zn过剩和Zn不足两种情况下进行Mg组分分析的理论模型,进一步针对Zn过剩的生长条件,得出表示薄膜的Mg组分与薄膜生长过程中Mg坩埚温度之间关系的数学表达式,并通过实验测试验证了这一表达式的正确性。(本文来源于《中国科学E辑:技术科学》期刊2004年03期）
曾兆权[6]（2004）在《射频等离子体辅助分子束外延（rf-MBE）制备高质量ZnO薄膜研究》一文中研究指出本文的工作主要是利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-MBE)系统研究如何在大失配的蓝宝石(0001)衬底上制备出高质量的ZnO单晶外延薄膜。研究发现，用以下叁个方案可以在蓝宝石(0001)衬底上制备出高质量的ZnO单晶外延薄膜。 1．对蓝宝石(0001)衬底进行O等离子体预处理之后，沉积一层很薄的金属Ga浸润层对衬底原子结构进行修正，然后在该浸涧层上外延ZnO薄膜。实验发现，Ga薄层的引入完全抑制了导致ZnO薄膜质量下降的旋转畴和倒反畴的形成。反射式高能电子衍射(RHEED)原位观察以及高分辨X射线衍射(HRXRD)、透射式电子显微法(TEM)和会聚束电子衍射(CBED)测试表明，该薄膜具有很高的晶体质量和单一Zn极性。本文详细讨论了Ga浸润层在ZnO薄膜的极性选择以及缺陷密度的减少等方面所起的作用，并通过一个双层Ga原子模型分析了单一Zn极性生长的机理。 2．对蓝宝石(0001)衬底进行O等离子体预处理之后，先生长MgO缓冲层，再生长ZnO薄膜。RHEED原位观察和HRXRD测试表明没有旋转畴的存在，该薄膜为单一O极性。本文详细讨论了MgO缓冲层在提高ZnO外延薄膜质量以及极性选择等方面所起的作用。 3．对蓝宝石(0001)衬底进行N化后，在蓝宝石表面生成一AIN薄层之后外延ZnO薄膜。AIN薄层的形成可以从清晰的RHEED图案得到证实。AIN薄层对ZnO在蓝宝石上的外延起到了重要的作用，晶格失配由18.4％(ZnO(0001)和蓝宝石(0001)之间)降到4.5％(ZnO(0001)和AIN(0001)之间)。在AIN薄层和ZnO薄膜中都没有旋转畴的存在，而且，衬底N化工艺还可以控制薄膜的极性。最后，本文也讨论了AIN薄层在高质量ZnO薄膜外延中所起的作用。 总之，我们已经发展了叁个在蓝宝石(0001)衬底上制备高质量的ZnO薄膜的工艺技术，也研究了衬底表面修正和缓冲层对旋转畴和倒反畴的抑制作用，为ZnO基光电子器件的研制奠定了坚实的基础。(本文来源于《曲阜师范大学》期刊2004-03-01）
白人骥,赵杰[7]（2001）在《用正电子湮没方法研究氦离子等离子体辅助分子束外延InP( InGaAsP)/InP结构》一文中研究指出用氦离子等离子体辅助分子束外延（ＰＡＭＢＥ）方法生长了ＩｎＰ（ＩｎＧａＡｓＰ）／ＩｎＰ结构。研究 结果发现，ＰＡＭＢＥ外延层具有很高的电阻率和很快的光反应特性。用慢正电子湮没方法研究了 这一外延层，测量结果说明这些特性与等离子体造成的缺陷及缺陷随温度变化有直接关系。(本文来源于《核技术》期刊2001年02期）
李联合,潘钟,张伟,林耀望,王学宇[8]（2001）在《离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响(英文)》一文中研究指出研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和 Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响 .研究表明离子损伤是影响 Ga NAs和 Ga In NAs量子阱质量的关键因素 .去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子 .对于使用去离子磁场生长的 Ga NAs和 Ga In NAs量子阱样品 ,X射线衍射测量和 PL 谱测量都表明样品的质量被显着地提高 .Ga In As量子阱的 PL 强度已经提高到可以和同样条件下生长的 Ga In As量子阱相比较 .研究也表明使用的磁场强度越强 ,样品的光学质量提高越明显(本文来源于《半导体学报》期刊2001年01期）
白人骥,赵杰[9]（2000）在《用正电子湮没方法研究氦离子等离子体辅助分子束外延InP(InGaAsP)/InP结构》一文中研究指出用氦离子等离子体辅助分子束外延（PAMBE）方法生长了InP（InGaAsP）／IuP结构。结果发现，PAMBE外延层具有很高的电阻率和很快的光反应特性。用慢正电子湮没方法研究了这一外延层，测量结果说明这些特性与等离子体造成的缺陷及缺陷随温度变化有直接关系。(本文来源于《核技术》期刊2000年06期）
等离子体辅助分子束外延论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
p 型 ZnO 是实现 ZnO 同质结的光发射器件和激光器的关键,其中 N 掺杂作为首选元素已经被广泛用作制备 p 型 ZnO 及其发光器件上。目前,关于 ZnO：N 薄膜中 N 相关的发光机制还存在许多争议,因此深入地研究 N 相关的发光性质对于弄清 N 在 ZnO 中行为是十分必要的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
等离子体辅助分子束外延论文参考文献
[1].吴渊渊,郑新和,王海啸,甘兴源,文瑜.高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为[J].物理学报.2013
[2].吕有明,孙建武,矫淑杰,申德振,张振中.利用等离子体辅助分子束外延制备ZnO：N薄膜的发光性质研究[C].第11届全国发光学学术会议论文摘要集.2007
[3].杨广武.射频等离子体辅助分子束外延生长高质量Zno薄膜研究[D].天津工业大学.2007
[4].梁红伟,颜建锋,吕有明,申德振,刘益春.用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜[J].发光学报.2004
[5].延凤平,简水生,尾形健一,小池一步,佐佐诚彦.ZnMgO薄膜的等离子体辅助分子束外延生长及其Mg组分分析[J].中国科学E辑:技术科学.2004
[6].曾兆权.射频等离子体辅助分子束外延（rf-MBE）制备高质量ZnO薄膜研究[D].曲阜师范大学.2004
[7].白人骥,赵杰.用正电子湮没方法研究氦离子等离子体辅助分子束外延InP(InGaAsP)/InP结构[J].核技术.2001
[8].李联合,潘钟,张伟,林耀望,王学宇.离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱的影响(英文)[J].半导体学报.2001
[9].白人骥,赵杰.用正电子湮没方法研究氦离子等离子体辅助分子束外延InP(InGaAsP)/InP结构[J].核技术.2000
论文知识图
