单电子效应论文_董慧杰

导读:本文包含了单电子效应论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶体管,电子,效应,存储器,方程,偶极矩,隧道。

单电子效应论文文献综述

董慧杰^[1]（2015）在《单电子和多电子原子里德堡态的Stark效应》一文中研究指出里德堡原子由于其许多独特的性质,比如巨大的电偶极矩、较长的寿命以及对外场的高度敏感性等特性,使得它成为研究外场效应的理想体系,是目前原子物理研究的一个重要课题。高里德堡态原子在外场中的Stark效应在偶极偶极相互作用、量子信息和量子调控等方面具有潜在的应用前景。目前关于里德堡原子Stark效应的研究已经很多,但大部分是关于氢原子、碱金属和碱土金属原子的研究,对于其它原子的研究报道还很少。本文主要研究工作如下：1.采用矩阵对角化,通过Mathematic软件编程,数值计算了单电子体系锂原子、铯原子和镓原子以及多电子体系氪原子高里德堡态的Stark效应。详细分析了单电子体系和多电子体系原子高里德堡态角动量耦合机制的不同以及两种体系原子在外电场中角度矩阵元的不同展开形式。2.在计算的Stark效应的基础上,选取锂原子为研究对象,突破一般的二阶微扰理论计算原子电偶极矩的方法,采用矩阵对角化计算了锂原子在外电场中的电偶极矩。为了验证计算方法的准确性,采用数值积分法,利用所计算的电偶极矩反过来计算了锂原子的Stark能级,通过与矩阵对角化法计算的锂原子Stark能级的比较,从而验证了矩阵对角化计算电偶极矩的正确性。3.通过比较计算过程中非线性拟合的原子各态量子亏损随主量子数的变化,仔细分析了原子序数、主量子数和角量子数对量子亏损的影响,发现了镓原子能级顺序不同于其它原子的一个特性,为相关的研究工作提供了重要的参考数据。(本文来源于《山西大学》期刊2015-06-01）

冯朝文,蔡理,康强,彭卫东,柏鹏^[2]（2011）在《基于单电子晶体管-金属氧化物场效应晶体管电路的离散混沌系统实现》一文中研究指出提出了一种利用单电子晶体管与金属氧化物半导体的混合结构(SET-MOS)实现离散混沌系统的方法.研究了两个并联结构的单电子晶体管在电流源偏置下的传输特性,并建立其相应的S形分段线性函数模型.基于该模型实现了一维离散映射系统,分析了它的动力学特性,包括一维映射过程、分岔图和Lyapunov指数等.最后利用SET-MOS混合电路设计出该离散混沌系统的电子电路,验证了理论分析和实现方法的正确性.研究结果表明,该方法不仅可行,而且物理实现结构简单,利于集成.(本文来源于《物理学报》期刊2011年11期）

刘奎,丁宏林,张贤高,余林蔚,黄信凡^[3]（2008）在《量子点浮置栅量子线沟道叁栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟》一文中研究指出通过建立二维薛定谔方程和泊松方程数值模型,对基于硅量子点浮置栅和硅量子线沟道叁栅结构单电子场效应管(FET)存储特性进行了研究.通过在不同尺寸、栅压和不同写入电荷条件下,对硅量子线沟道中电子浓度的二维有限元自洽数值求解,研究了在纳米尺度下硅量子线沟道中量子限制效应和电荷分布对于器件特性的影响.模拟结果发现,沟道的导通阈值电压随着尺寸的缩小而提高,并随浮置栅内存储的电子数目的增加而明显升高.然而,这样的增加趋势在受到纳米尺度沟道中高电荷密度的影响下将出现非线性饱和趋势.进一步研究发现,当沟道尺寸较小时,沟道内的强量子限制效应能够有效地抑制非线性饱和趋势.另外,由于沟道阈值电压偏移量能灵敏地反映出浮置栅内电子数目的变化,这也为多值存储功能提供了可能.(本文来源于《物理学报》期刊2008年11期）

崔业梅^[4]（2006）在《单电子盒的库伦阻塞效应》一文中研究指出文章论述了单电子盒中的库伦阻塞对电子输运性质的影响,主要考虑盒中静电荷与外部电压的关系以及晶体管能量对外部条件变化的响应。(本文来源于《百色学院学报》期刊2006年03期）

戴闻^[5]（2005）在《单电子效应用于电流强度的计量标准》一文中研究指出安培(A)是国际单位制(SI)7个基本单位之一,它是依据真空中通电长直导线之间的相互作用力定义的.计量学的发展促使人们寻找关于电流强度更为基本的定义,例如通过对电子的计数(在单位时间内)测量电流,即电流i=ef,其中e是电子电荷,f是1s内流过的单电子数(本文来源于《物理》期刊2005年12期）

张志勇,王太宏^[6]（2003）在《单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件》一文中研究指出传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制 ,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值 ,并且MOSFET使单电子晶体管 (SET)的峰值和谷值电流大小受其源漏电压的影响减小 .利用这种多峰值负微分电阻器件实现了多值存储器 ,该存储器原理上是无穷多值的 .并且利用它的折迭的I V特性 ,实现了一个 4位的FlashA D转换器 ,与传统的FlashA D转换器相比 ,SET MOSFET的A D转换器大大地简化了电路 .(本文来源于《物理学报》期刊2003年07期）

程子川,蒋建飞,蔡琪玉,赵小林^[7]（2000）在《单电子晶体管的研制和室温下单电子效应的观察》一文中研究指出用扫描隧道显微镜(SIN)在以Si为衬底的Ti膜上加工成单电子晶体管结构,在室温下观察到单电子库仑阻塞效应,库仑台阶及振荡现象.在栅端加不同电压,通过STS测试得到栅控的Ⅰ-Ⅴ特性.对实验结果进行了初步分析.(本文来源于《第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集》期刊2000-11-01）

郭靖,蒋建飞,蔡琪玉^[8]（2000）在《单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析》一文中研究指出基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作，以半经典的单电子正统理论为基础，采用计算机数值模拟的方法，分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性．提出了存储单元中分别以叁结电容耦合单电子晶体管和单电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构，其主要思想是通过增加单电子器件中的串联隧道结数来抑制各种噪声．模拟结果表明，新结构的系统性能，特别是抗噪声性能有一定提高．(本文来源于《上海交通大学学报》期刊2000年02期）

郭靖,蒋建飞,蔡琪玉^[9]（2000）在《单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析》一文中研究指出基于背景电荷不敏感单电子晶体管/场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管/常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性.提出了存储单元中分别以叁结电容耦合单电子晶体管和单电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联隧道结数来抑制各种噪声.模拟结果表明,新结构的系统性能,特别是抗噪声性能有一定提高(本文来源于《上海交通大学学报》期刊2000年01期）

戴松涛,金雷,陈瓞延^[10]（1997）在《单电子效应及其应用》一文中研究指出本文总结了单电子器件的工作，同时也讨论了作为此类器件设计基础的库仑阻塞效应。分析了制备单电子器件的关键技术，并介绍了器件的应用前景及目前研制动态(本文来源于《光电子·激光》期刊1997年02期）

单电子效应论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

提出了一种利用单电子晶体管与金属氧化物半导体的混合结构(SET-MOS)实现离散混沌系统的方法.研究了两个并联结构的单电子晶体管在电流源偏置下的传输特性,并建立其相应的S形分段线性函数模型.基于该模型实现了一维离散映射系统,分析了它的动力学特性,包括一维映射过程、分岔图和Lyapunov指数等.最后利用SET-MOS混合电路设计出该离散混沌系统的电子电路,验证了理论分析和实现方法的正确性.研究结果表明,该方法不仅可行,而且物理实现结构简单,利于集成.

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

单电子效应论文参考文献

[1].董慧杰.单电子和多电子原子里德堡态的Stark效应[D].山西大学.2015

[2].冯朝文,蔡理,康强,彭卫东,柏鹏.基于单电子晶体管-金属氧化物场效应晶体管电路的离散混沌系统实现[J].物理学报.2011

[3].刘奎,丁宏林,张贤高,余林蔚,黄信凡.量子点浮置栅量子线沟道叁栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟[J].物理学报.2008

[4].崔业梅.单电子盒的库伦阻塞效应[J].百色学院学报.2006

[5].戴闻.单电子效应用于电流强度的计量标准[J].物理.2005

[6].张志勇,王太宏.单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件[J].物理学报.2003

[7].程子川,蒋建飞,蔡琪玉,赵小林.单电子晶体管的研制和室温下单电子效应的观察[C].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000

[8].郭靖,蒋建飞,蔡琪玉.单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析[J].上海交通大学学报.2000

[9].郭靖,蒋建飞,蔡琪玉.单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析[J].上海交通大学学报.2000

[10].戴松涛,金雷,陈瓞延.单电子效应及其应用[J].光电子·激光.1997

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