受激辐射论文_周学宏

导读:本文包含了受激辐射论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:中子,激光,断层,层析,分子,射线,惠更斯。

受激辐射论文文献综述

周学宏[1](2019)在《有机半导体的受激辐射特性研究》一文中研究指出有机半导体激光器因其拥有较高的受激吸收和增益,较小的温度依赖性,可溶液加工,低成本,可柔性等优势,有望能满足研究与应用对高质量光源的需求。然而,尽管光泵浦的有机半导体激光器已得到相对充分的研究,但电泵浦的有机半导体激光器一直未能实现。电泵浦有机激光的研究是一个复杂的系统研究,不仅需要开发出具备高增益、低损耗和高迁移的增益材料体系,还需要设计出合适的谐振腔器件来实现高电流密度运转。理解增益介质的受激辐射特性是电泵浦有机激光的重要基础。研究有机半导体的光谱特性是理解它的结构、分子间的相互作用以及对外界环境响应的重要手段。因此,本论文基于对有机半导体的受激辐射特性的认识,运用了若干光谱技术详细地探讨了有机半导体电泵浦激光的关键问题,包括低损耗增益介质的开发及损耗来源的探索,和功能性界面用于优化增益介质的受激辐射性能等内容。在第二章中,主要简述了有机激光的产生原理及损耗机制,介绍了粒子数反转过程的定义,以及双分子湮灭和诱导吸收这两种主要损耗机制。并介绍了常用于研究增益介质的放大自发辐射效应(ASE)和瞬态吸收光谱测试。在第叁章中,考虑到增益介质的光学损耗,设计了一系列具有低阈值、低光学损耗等特点的无定型有机共轭小分子增益介质(OCBzC、OCPC、OCNzC、DF-Bz-DF)。以OCBzC分子为例,系统地表征了它的ASE效应,获得39.27μJ/cm~2的增益阈值,49.33cm~(-1)的增益系数和1.91 cm~(-1)的损耗系数。通过超快光谱的研究阐述了OCBzC分子具有简单的激发态弛豫行为,激发态损耗只源于单线态激子吸收与受激辐射之间的较小重迭。利用溶液加工的方法成功在石英光纤上构筑出OCBzC的微环谐振腔,获得品质因子约2700,半峰宽为0.2 nm的单模激光出射。以OCBzC为出发点,进一步探讨了发光核和侧链结构对受激辐射性能的影响,并得出激发态行为主导着受激辐射的形成和质量这一增益介质设计思路。在第四章中,结合第叁章里共轭聚合物F8BT的模型化合物OCBzC和DF-Bz-DF的ASE性能,研究了基于咔唑的结构性缺陷对增益介质受激辐射特性的影响。通过前线轨道的模拟和光谱的表征,识别出OCBzC内存在的咔唑-苯并噻二唑CT对缺陷,缺陷寿命约为1.47μs,数量密度约为4.57×10~(16) cm~(-3)。这种缺陷会与ASE过程相互竞争,并引入了多个额外的吸收过程,会影响到OCBzC的受激辐射。进一步考虑OCBzC与F8BT的共通点,可以发现CT缺陷以结构性缺陷存在,在高能量注入下容易与受激辐射过程产生竞争。在增益介质设计中需要避免它的引入。在第五章中,为降低对高性能增益材料的设计要求,利用了含金纳米粒子的PMMA热交联缓冲层(PMMA:AuNP)作为功能性界面层来优化了增益介质的ASE特性。对满足光谱选律的MEH-PPV体系可获得发射光强增强为原来的11.8倍,增益阈值降低40%,半峰宽减小16%的最佳增强效果,这归因于MEH-PPV与PMMA:AuNP之间存在的界面多重LSPR增强效应,不仅能增加MEH-PPV的吸收跃迁几率,减少它的非辐射跃迁损耗,而且还对它的ASE效应有额外的多次反射增强效果。除了多重LSPR效应外,PMMA:AuNP还能对偏离光谱选律的OCBzC体系产生ASE发射增强。对制备交联缓冲层过程中所涉及的各个组分进行对比分析,可以得出该交联缓冲层产生的孔隙能够降低PMMA的折射率,增大增益介质层与缓冲层之间的折射率差,从而进一步减少光学损耗。利用功能性界面层来优化了增益介质的受激辐射特性为将来有机激光的性能优化提供了一种良好的思路。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-09)

刘毋凡,陈楚芳,潘文慧,熊佳,屈军乐[2](2019)在《受激辐射损耗超分辨荧光成像探针研究进展》一文中研究指出受激辐射损耗超分辨成像可突破光学衍射极限的限制,获得纳米尺寸结构的超精细图像,荧光探针发挥了重要作用。本文主要介绍了受激辐射损耗超分辨显微成像的相关概念,包括基础光学概念、受激辐射损耗超分辨成像原理、成像系统,总结了受激辐射损耗超分辨成像荧光探针及其应用等研究进展,相信本工作能帮助化学、化工领域相关工作者了解受激辐射超分辨成像研究及其生物成像应用,尤其是可以用于该成像技术的荧光探针的相关知识,为设计、制备有效的受激辐射超分辨荧光探针提供设计思路。本文为荧光探针在生物医学光学领域的应用提出了新的需求与机遇,为化学、化工领域相关研究方向与光学成像领域的深度交叉与融合提供了新的发展契机。(本文来源于《化工进展》期刊2019年02期)

孙思先[3](2018)在《芴基寡聚芴格子的分步纳米合成及受激辐射的研究》一文中研究指出有机电泵浦激光仍没有实现,因此研究不同材料和揭示其增益介质的分子结构与激光特性的关系,至关重要。除了侧基效应之外,形状效应及其格子化效应的相关报道甚少。有鉴于此,本文合成了一系列不同形状以及不同臂长的位阻型多臂寡聚芴、口字形格和日字形格,表征了其结构,并测试了ASE特性。具体如下:一、为了研究格子化效应,基于前期的工作,由于不同形状以及不同臂长的位阻型多臂寡聚芴的构效关系的研究较少,因此我们首先研究了开口的H-shape寡聚芴的光电性能,我们通过C-C偶联反应,成功合成出了H-shape/X-shape分子,并测试了其ASE性能。结果表明,X-shape的性能优于H-shape,而对于臂长的研究发现,臂长增加,性能会降低。二、口字型格芳烃是目前已知的单元格,我们通过分步的方法合成了A1-B1型的单一底物,与L型底物的合环方式相比,合环产率从21%提高到95%。并且我们有幸分离出Grid-DFCz-1,Grid-DFCz-2,Grid-DFCz-3,通过核磁等表征手段,基本确定了其构型。为了研究异构体和格子化效应,我们测试了其光电性能,结果表明,无明显的异构体和格子化效应。叁、日字型格芳烃同样也是目前已知的并格结构,我们通过分步的方法合成了A2-B2型的单一底物,与H型底物的合环方式相比,合环产率从9-26%提高到95%。通过核磁等表征手段,确定了其结构,并测试了其ASE性能,日字型格子的ASE阈值为3.59μJ/cm2,展现出较优异的ASE性能,为了研究格子化效应,我们测试了其基本光电性能和ASE性能,结果同样表明,无明显的格子化效应。(本文来源于《南京邮电大学》期刊2018-11-14)

黄珊,刘妮,梁九卿[4](2018)在《光腔中两组分玻色-爱因斯坦凝聚体的受激辐射特性和量子相变》一文中研究指出研究了单模光腔中两组分玻色-爱因斯坦凝聚的基态性质和相关的量子相变.通过利用自旋相干态变换将等效赝自旋哈密顿算符对角化并求得基态能量泛函.基态能量泛函对其经典场变量进行变分并取极小值,得到光子数解和相边界曲线.通过稳定性讨论发现系统除了出现正常相和超辐射相之外,还得到了多稳的宏观量子态;受激辐射来自于原子数反转的集体态,单组分的Dicke系统中并没有此现象;受激辐射只能从一组分的原子中产生,而另外的仍保持在普通超辐射状态.通过调整相关的原子-场耦合强度和频率失谐,超辐射和受激辐射态的顺序可以在原子的两个组分之间互换.(本文来源于《物理学报》期刊2018年18期)

胡喆皓,上官紫微,邱建榕,杨珊珊,鲍文[5](2018)在《基于受激辐射信号的谱域光学相干层析分子成像方法》一文中研究指出鉴于不同生理病理状态下组织复折射率实部的变化不大,传统光学相干层析(OCT)成像技术在分子特异性识别上存在先天不足.为此,本文提出了基于受激辐射信号的OCT成像方法,可在实现传统散射成像的同时,实现基于受激辐射信号的分子成像.在超高分辨率谱域OCT系统的基础上,通过增设光谱分光与调制抽运光支路,建立了基于单宽谱光源的抽运探测谱域OCT系统,详细推导了调制抽运下受激辐射信号的获取与成像公式.利用搭建的抽运探测谱域OCT系统,实现了瞬态受激辐射信号的相干探测.基于同时获取的受激辐射OCT信号和传统OCT信号,成功重构了氮化物粉末构建样品的基于受激辐射信号的分子对比OCT图像.(本文来源于《物理学报》期刊2018年17期)

赵亮[6](2018)在《基于D-D/D-T中子源的中子受激辐射计算机断层扫描成像系统的模拟研究》一文中研究指出本文对中子受激辐射计算机断层扫描成像(NSECT)系统进行了仿真计算,包括中子源的选择、准直屏蔽系统的设计、屏蔽墙和靶体的设置以及探测器的布置。对比研究了D(d,n)~3He和T(d,n)~4He反应获得的中子源在NSECT中的应用,建立了TiD_x/TiT_x靶、水体模内放置/未放置铁球四种计算模型,并利用MCNP程序分别模拟了D-D、D-T中子源产生2.5MeV、14MeV左右中子束在该系统中的中子输运过程,记录并获得了出射中子和特征γ射线通量分布及能谱图,该研究对中子成像方面中子源的选择及平台的搭建有指导作用。从出射中子和特征γ射线通量分布发现,激发的特征γ射线会保持与入射中子束同样的前倾方向,为了得到尽可能多的特征γ射线,确定了在D-D和D-T两种中子源成像中,实验上应该在Z=0的平面上与中子束传播方向呈43.6°~50.9°范围内布置γ射线探测器。D-D和D-T两种中子源的NSECT高能γ射线探测器的最佳放置位置稍有不同,但都需要保持在43.6°~50.9°范围内。从特征γ射线能谱发现,~(56)Fe、~(16)O对应的特征峰能量与模拟数据的激发能完全吻合,说明NSECT技术可以确定元素种类,很有可能在病灶的早期诊断以及研究活体(包括人体)分子过程中崭露头角。本论文还利用GATE程序模拟构建了NSECT探测系统的康普顿相机,获取并分析了成像探测器的仿真数据(如散射探测模块和吸收探测模块中射线作用的位置、能量、时间信息等),为将来中子断层成像实验平台的搭建作出理论指导。(本文来源于《兰州大学》期刊2018-06-01)

赵亮,范亚明,董明,李英帼,王天泉[7](2018)在《基于D-D/D-T中子源的中子受激辐射计算机断层扫描成像的比较研究》一文中研究指出对比研究了D-D和D-T中子源在中子受激辐射计算机断层扫描成像(NSECT)中的应用,建立了TiT/TiD靶、水体模内放置/未放置铁球4种计算模型,并利用MCNP程序分别模拟了D-D,D-T中子源产生2.5和14 MeV左右中子束在该系统中的中子输运过程,记录并获得了出射中子和特征γ射线通量分布及能谱图,该研究对中子成像方面中子源的选择及平台的搭建有指导作用.从出射中子和特征γ射线通量分布发现,激发的特征γ射线会保持与入射中子束同样的前倾方向,为了得到尽可能多的特征γ射线,确定了在D-D和D-T两种中子源成像中,实验上应该在Z=0的平面上与中子束传播方向呈43.6°–50.9°范围内布置γ射线探测器.D-D和D-T两种中子源的NSECT高能γ探测器最佳的放置位置稍有不同,但都需要保持在43.6°–50.9°的范围内.从特征γ射线能谱发现,~(56)Fe和~(16)O对应的特征峰能量与模拟数据的激发能完全吻合,证明了NSECT技术识别元素的能力,很有可能在追踪治疗过程以及研究活体(包括人体)分子过程中崭露头角.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2018年02期)

黄衍堂,彭隆祥,庄世坚,李强龙,廖廷俤[8](2017)在《掺钕微球的受激辐射激光和自受激拉曼散射》一文中研究指出采用溶胶-凝胶法在SiO_2微球表面覆盖上一薄层Nd~(3+)掺杂SiO_2,并经电极放电熔融后形成表面光滑的高Q值微球.采用锥光纤将808 nm的抽运激光耦合入钕离子掺杂的高Q值微球形成回廊模,激发产生了1080—1097 nm波段受激辐射激光.由于所产生的激光有足够高的功率密度,在高Q SiO_2微球中激发产生了波长为1120—1143 nm一级自受激拉曼散射激光.推导了锥光纤掺钕微球组合的自受激拉曼散射的输出功率和阈值公式.描述了输出激光的特性:阈值、输出功率、线宽、边模抑制比.(本文来源于《物理学报》期刊2017年24期)

陈佳琦,袁国秋,王孟,曹敏[9](2018)在《表面等离激元受激辐射方向性调控研究进展》一文中研究指出金属微纳结构中有关光与原子、分子和量子点等物质的相互的作用研究是微纳光学领域的一个核心科学问题。近年来,得益于迅速发展的纳米材料制备方法和纳米加工技术,国内外学者在表面等离激元受激辐射的实现以及等离激元激光器的研制方面取得了许多重要进展。总结了基于金属微纳结构共振腔的表面等离激元受激辐射的出射方向性研究进展,归纳了可以提高方向性的共振腔结构,分别阐述了其中的物理机制,对于不同共振腔结构的特点与性质进行了分类比较。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2018年03期)

李忱[10](2017)在《随机介质受激辐射过程引起光随机游走现象的研究》一文中研究指出随机激光区别于传统激光的产生过程及技术应用前景广大,成为物理学的热门话题之一,对随机激光的各种原理和解释也层出不穷。本文通过原子受激辐射的理论,引入相位超前的概念,利用惠更斯原理,对光子与散射工作物质的相互作用上进行理论分析,以此来解释随机激光的随机路径问题。(本文来源于《通讯世界》期刊2017年16期)

受激辐射论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

受激辐射损耗超分辨成像可突破光学衍射极限的限制,获得纳米尺寸结构的超精细图像,荧光探针发挥了重要作用。本文主要介绍了受激辐射损耗超分辨显微成像的相关概念,包括基础光学概念、受激辐射损耗超分辨成像原理、成像系统,总结了受激辐射损耗超分辨成像荧光探针及其应用等研究进展,相信本工作能帮助化学、化工领域相关工作者了解受激辐射超分辨成像研究及其生物成像应用,尤其是可以用于该成像技术的荧光探针的相关知识,为设计、制备有效的受激辐射超分辨荧光探针提供设计思路。本文为荧光探针在生物医学光学领域的应用提出了新的需求与机遇,为化学、化工领域相关研究方向与光学成像领域的深度交叉与融合提供了新的发展契机。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

受激辐射论文参考文献

[1].周学宏.有机半导体的受激辐射特性研究[D].华南理工大学.2019

[2].刘毋凡,陈楚芳,潘文慧,熊佳,屈军乐.受激辐射损耗超分辨荧光成像探针研究进展[J].化工进展.2019

[3].孙思先.芴基寡聚芴格子的分步纳米合成及受激辐射的研究[D].南京邮电大学.2018

[4].黄珊,刘妮,梁九卿.光腔中两组分玻色-爱因斯坦凝聚体的受激辐射特性和量子相变[J].物理学报.2018

[5].胡喆皓,上官紫微,邱建榕,杨珊珊,鲍文.基于受激辐射信号的谱域光学相干层析分子成像方法[J].物理学报.2018

[6].赵亮.基于D-D/D-T中子源的中子受激辐射计算机断层扫描成像系统的模拟研究[D].兰州大学.2018

[7].赵亮,范亚明,董明,李英帼,王天泉.基于D-D/D-T中子源的中子受激辐射计算机断层扫描成像的比较研究[J].中国科学:物理学力学天文学.2018

[8].黄衍堂,彭隆祥,庄世坚,李强龙,廖廷俤.掺钕微球的受激辐射激光和自受激拉曼散射[J].物理学报.2017

[9].陈佳琦,袁国秋,王孟,曹敏.表面等离激元受激辐射方向性调控研究进展[J].激光与光电子学进展.2018

[10].李忱.随机介质受激辐射过程引起光随机游走现象的研究[J].通讯世界.2017

论文知识图

交叉增益调制(a)交叉增益调制原理与1122nm波长激光透过率比较掺Yb3+双包层光纤激光器的结构示意图有机半导体激发态能级和激发态弛豫过...光纤激光器结构示意图满足粒子数反转条件的半导体材料中的...

标签:;  ;  ;  ;  ;  ;  ;  

受激辐射论文_周学宏
下载Doc文档

猜你喜欢