导读:本文包含了反铁磁论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:霍尔,电子学,量子,磁电,晶格,磁控溅射,效应。
反铁磁论文文献综述
刘知琪[1]（2019）在《反铁磁材料及电场调控》一文中研究指出反铁磁材料相比铁磁材料在信息存储器件应用方面有叁大优势:抗磁场、自旋动力学更快从而数据写入速度可以更快、由于没有零散磁场从而数据位的集成密度可以更高。但是,反铁磁自旋轴的操控更具挑战性。在此报告中,我将简要介绍我们小组以及国际同行近年来通过压电材料对反铁磁自旋进行调控的工作。这些初(本文来源于《第十届国际（中国）功能材料及其应用学术会议、第六届国际多功能材料与结构学术大会、首届国际新材料前沿发展大会摘要集》期刊2019-11-23）
周效枫,潘峰,宋成[2]（2019）在《反铁磁Mn_2Au及其相关自旋力矩》一文中研究指出随着信息技术的进步,存储器件正朝高密度、高速度和低功耗的目标发展。反铁磁材料具有净磁矩为零,抗干扰能力强,超快擦写速度等优势,在下一代高密度信息存储领域具有竞争潜力。操控和探测反铁磁磁矩是实现反铁磁存储信息写入与读出技术的关键。具有两亚晶格自旋相反特点的Mn_2Au是一种独特的体心四方反铁磁金属材料,可以用类场力矩效应翻转其磁矩到垂直于电流方向。我们用简单的磁控溅射方法生长了准外延的(103),(101)和(204)Mn_2Au薄膜。在室温下施加一个短电流脉冲,分别翻转了制备的各个取向Mn_2Au磁矩,发现由于各取向Mn_2Au的磁晶各向异性能不同,不同取向的Mn_2Au表现出迥异的翻转特征。此外,在Pt/Mn_2Au体系中,发现霍尔电阻的变化方向与纯Mn_2Au相反,而Mn_2Au的各向异性磁电阻效应可以体现磁矩翻转的过程和状态,说明Pt/Mn_2Au体系与纯Mn_2Au体系的磁矩翻转方向相反,磁矩被翻转到平行于电流方向,此时Mn_2Au磁矩翻转的主要机制为抗阻尼力矩。除了实现Mn_2Au磁矩翻转的基本功能,首次在反铁磁材料中发现取向相关的自旋轨道力矩翻转特征,以及多种力矩机制对Mn_2Au磁矩的翻转,是实现反铁磁材料电学调控的重要一步。我们不仅可以使用直流电流直接引起反铁磁Mn_2Au磁矩翻转,也可以向Mn_2Au/Py双层膜中通入交流电流,在Mn_2Au中转化为自旋流,产生自旋力矩作用于Py,产生与自旋极化方向平行的自旋流。在传统的中心对称的晶体材料中,电流只能转化为与自旋极化方向垂直的自旋流。而在全局中心对称和亚晶格中心反演对称性破缺共存的Mn_2Au中,电流还可以转化为与自旋极化方向平行的自旋流。这种自旋电荷转换的新物理机制是实现无场辅助翻转Mn_2Au上垂直磁化铁磁材料的基础,对自旋电子学的发展具有重要意义。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15）
宋成,潘峰[3]（2019）在《反铁磁薄膜材料与高密度信息存储》一文中研究指出信息技术的进步要求存储器件朝超高密度、低功耗和高速度方向发展。反铁磁材料相比铁磁,由于其没有铁磁残余场、对磁场扰动不敏感和本征频率高等诸多优势,在超高密度信息存储和THz等领域有广阔的应用前景。实现反铁磁磁矩的有效操控和电学探测成为实现反铁磁存储技术信息写入与读出的关键。我们利用高性能铁电基片和具有自旋轨道力矩效应的反铁磁材料Mn_2Au构造铁电/反铁磁异质结,成功实现电场调控反铁磁自旋轨道力矩效应。在电场驱动下,来自铁电基片的铁弹应变驱动Mn_2Au反铁磁薄膜的单轴磁各向异性在面内翻转90°,使异质结的平面霍尔电阻呈现出不同的电阻状态,具有良好的循环性。借助于所获得的单轴磁各向异性,首次观察到非对称的自旋轨道力矩翻转现象[1]。基于自旋轨道力矩效应,在Pt/反铁磁双层膜中利用Pt层所产生的自旋流来驱动反铁磁NiO和Mn_2Au的磁矩翻转90°,在这两个体系中分别由自旋霍尔磁电阻效应和各向异性磁电阻效应来探测翻转信号[2,3]。发现反铁磁磁矩被翻转到电流方向,阐明了电流翻转反铁磁磁矩的抗阻尼力矩机制。这一机制还可以推广到亚铁磁绝缘体钇铁石榴石(YIG)的面内翻转,表明电流驱动亚铁磁绝缘体的磁矩在面内翻转时可以将YIG的磁矩简化为一对反平行的磁矩,而不能将其简单处理为单磁矩[4]。我们还利用自旋力矩-铁磁共振(ST-FMR)技术在Mn_2Au/NiFe双层膜中观察到一种新型的沿z方向的自旋极化及其引起的面内类场力矩效应[5]。在反铁磁薄膜中所实现的电学操控结果有望推动反铁磁超高密度存储技术的发展。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15）
陈滢,王天廷,付立博,李小栋,塔金星[4]（2019）在《反铁磁超晶格体磁/声极化子分布性质研究》一文中研究指出利用等效介质法推导得到了反铁磁超晶格的等效介电系数和等效磁导率,进而得到体系的体磁/声极化子方程.以FeF_2/SnTe超晶格为例进行了数值模拟.结果表明,在反铁磁共振频区附近体系存在具有负群速的高频和低频两个体模带.通过外磁场的变化,可以在不改变反铁磁超晶格结构和尺寸的情况调节负群速体模带的频率位置与宽度.研究结果将为新型慢光器件开发提供一定指导意义.(本文来源于《哈尔滨师范大学自然科学学报》期刊2019年03期）
房盼盼[5]（2019）在《一维反铁磁Ising系统纠缠动力学与量子相变的研究》一文中研究指出固体自旋系统既展现出丰富的量子相变现象,又存在经典系统没有的量子纠缠,对平衡态下固体自旋系统的量子纠缠和量子相变关系的研究比较成熟。最近随着超冷原子气体实验技术的提高,理论工作者已经开始致力于对固体自旋系统的纠缠动力学与量子相变的探索。本文利用量子重整化群方法并结合负值度的概念,在两种量子淬火协议下研究了具有Dzyaloshinskii-Moriya(DM)相互作用的一维反铁磁Ising系统纠缠动力学与量子相变的关系。利用卡丹诺夫块重整化群方法,得到了系统的重整化群方程,求得了系统的不动点和相变点,对系统的重整化流图及相变行为进行了分析,发现系统存在二级相变。在两种淬火方式下利用时间演化算符得到了负值度的解析表达式,结果发现:对于同一种淬火方式,当DM相互作用一定时,纠缠在临界点两侧振荡行为是相同的,但纠缠振幅随着系统尺度的变大在临界点两侧的行为却不同。对于两种不同的淬火协议,当DM相互作用一定时,纠缠随时间演化行为和纠缠振幅随着系统尺度变化的行为是不同的;当淬火到某一时刻时,在不同系统尺度下纠缠随DM相互作用的变化行为也是不同的,但发现两种淬火方式下纠缠第一次达到最大值的时间却是相同的。为了进一步探索纠缠与相变的关系,给出了纠缠第一次达到最大值的时间及该时间的一阶导数随DM相互作用的变化曲线,发现系统发生二级量子相变。分析该时间的一阶导数绝对值的最大值对数随系统格点数的变化行为,得到了纠缠第一次达到最大值时间的临界指数与关联长度临界指数的关系。此外本文还对两种淬火方式下系统返回初态的概率进行了分析,发现不同淬火方式下返回率在临界点处的行为也是不同的,但系统返回初态概率的周期与纠缠演化的周期相同,该周期同样可以作为序参量来反映系统的相变行为。(本文来源于《曲阜师范大学》期刊2019-06-12）
纪阳[6]（2019）在《Cr_2O_3基反铁磁异质结中自旋输运的研究》一文中研究指出反铁磁自旋电子学,简单来说就是自旋电子学在反铁磁材料中的应用,这一研究方向越来越受到人们的重视,并且已经有很多新奇的自旋电子学相关现象陆续在反铁磁材料中被发现。Cr2O3是最早被研究的一种磁电耦合材料,而它同时也是一种G型反铁磁材料,其奈尔温度为307K,略高于室温。虽然迄今为止关于Cr2O3在自旋电子学领域的尝试还凤毛麟角,但是其独特的反铁磁结构特征值得人们进行相关的探索和深入的研究。本论文通过脉冲激光沉积的生长方式制备了外延的Cr2O3薄膜,在此基础上我们将其与非磁性重金属结合,探究自旋霍尔磁电阻的信号产生机制,并与反常霍尔效应做对比,研究两者之间的内在联系。最后,我们构筑了Cr2O3基垂直磁各向异性体系,研究了不同磁结构下的Cr2O3对于自旋轨道力矩的影响,并且成功实现了在无外磁场辅助下的自旋轨道力矩翻转磁性薄膜的磁化方向。本论文的主要研究内容包括:(1)采用脉冲激光沉积的方式外延生长了(0001)取向的Cr2O3薄膜,并通过结构和磁性表征证实了Cr2O3的反铁磁性。此外,我们制备了Cr2O3/W异质结,通过电学测试得到了 0.1%的磁电阻比值,并且根据转角磁电阻的信号特征,排除了各向异性磁电阻的影响,证实了自旋霍尔磁电阻在Cr2O3/W体系中的存在。最后,通过对比不同质量的Cr2O3薄膜,研究了界面质量对于自旋霍尔磁电阻效应的影响规律。(2)利用脉冲激光沉积和磁控溅射制备了外延的Cr2O3/Ta异质结,观察了体系的自旋霍尔磁电阻和反常霍尔效应。通过对比两种效应随温度的变化趋势,根据二者各自的产生机理,我们认为反常霍尔效应在界面产生的自旋积累以自旋流的形式提高了自旋霍尔磁电阻的信号。另一方面,通过改变异质结中非磁性重金属的种类,再次证明了自旋霍尔磁电阻和反常霍尔效应之间的内在联系。(3)利用TaOx缓冲层制备了非晶结构的Cr2O3,通过结构表征证实了非晶相的存在。通过构建不同结构的Cr2O3与Ta的异质结,对比研究了自旋霍尔磁电阻在两种结构中的信号区别。利用变温测试发现二者都存在不同程度的自旋霍尔磁电阻变号现象,根据对不同磁结构Cr2O3的分析,解释了自旋流在不同磁性区域内的竞争机制是导致外延Cr2O3异质结自旋霍尔磁电阻变号的原因;而在非晶Cr2O3异质结中,反铁磁耦合强度的变化和低温阻挫的出现是出现两次变号的来源。(4)采用脉冲激光沉积和磁控溅射的方法制备了Cr2O3/Pt/Co/Pt异质结,通过改变衬底Al2O3的晶体取向以及插入TaOx缓冲层的方式,得到了叁种不同的Cr2O3结构。首先,利用X射线衍射测量了叁种结构的晶体结构,并依此推断出Cr2O3磁矩的排布特点。然后,通过磁性和霍尔测试对比了几种结构的垂直磁各向异性,并进行了自旋轨道力矩(spin-orbit torque,SOT)的测试,发现在(1120)方向外延的Cr2O3异质结构可以在无外磁场辅助的情况下产生70%的磁矩翻转,即零场下的SOT效应。最后,利用谐波信号成功计算出了SOT的有效场以及有效自旋霍尔角的大小,讨论了零场SOT的信号来源。(本文来源于《北京科技大学》期刊2019-06-06）
卢世阳[7]（2019）在《自旋纳米振荡器中的人工反铁磁多层膜》一文中研究指出电子同时具有电荷和自旋两种属性,对电子属性中电荷的研究极大地推动了以集成电路为核心的传统微电子学的快速发展。自20世纪末,人们开始关注电子另一属性——自旋的研究,自旋电子学这一新兴学科也由此诞生。自旋电子学可以同时利用电子的电荷和自旋两个自由度,研发出新的、低功耗自旋电子器件,如磁传感器、高密度磁随机存储器、自旋逻辑器件等。新型自旋电子器件的研发以及应用,有望突破性地提高信息的存储密度和处理速度,从而解决当前微电子技术的瓶颈。1988年,德国的Peter Grunberg教授和法国的Albert Fert教授几乎同时发现了巨磁电阻效应,使得磁记录技术得以迅猛发展。随后,人们在A1203和MgO为势垒层的铁磁/绝缘体/铁磁“叁明治”结构中发现显着的磁电阻信号,即隧穿磁电阻效应。基于TMR效应的磁存储技术,可以进一步提高磁记录密度。在提高存储密度的同时,越来越多的具有大矫顽力的磁性材料被应用到硬盘中,影响磁头磁矩的翻转速度。这个问题得以解决,依赖于微波辅助磁记录的发展。该技术原理如下:当磁矩在外磁场的作用下绕有效场发生进动时,施加一微波场,降低磁记录材料的矫顽力,使存储单元的磁化方向易于翻转,从而提高磁头的写入能力。为了解决这一问题,人们研发了基于磁性隧道结的自旋纳米振荡器。自旋纳米振荡器在传感器、微波通信、微波源和微波探测等领域也有很大的应用前景。研究表明,磁性隧道结作为自旋纳米振荡器的核心结构,其结构和性能直接影响到自旋纳米振荡器的工作性能。本论文的工作之一便是利用磁控溅射的方法制备高稳定性,高输出功率的隧道结。考虑到人工反铁磁具有稳定性高、杂散场小等优点,我们使用人工反铁磁结构作为钉扎层来钉扎磁性固定层。制备完整隧道IrMn/CoFe/Ru/CoFeB/MgO/CoFeB,当MgO厚度为1 nm时,测量得出TMR为24.9%。在CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结中,矫顽力较小的上层CoFeB为自由层,而有研究表明,利用人工反铁磁结构作为磁性隧道结中的自由层可以增强热稳定性并降低临界翻转电流。并且固定层面内磁化、自由层垂直磁化的面内垂直磁化结构的自旋纳米振荡器,可以产生较大的进动角,进而产生较大的输出信号。所以本论文的另一工作是制备具有垂直各向异性的人工反铁磁体[Pt/Co]N1/Ru/[Co/Pt]N2,并对其层间交换耦合以及多层膜结构和周期数对磁化翻转的影响进行了系统研究,以期应用到磁性隧道结中。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-30）
张飞鹏,张久兴,施加利,张静文,杜玲枝[8]（2019）在《反铁磁状态层状Co基复合氧化物Ca_2Co_2O_5电子学性质的研究》一文中研究指出基于密度泛函理论方法分析研究了一种低自旋反铁磁状态Co基层状复合氧化物Ca_2Co_2O_5的电子学性质。结果表明,其能带中均包括5个子带,其中费米能级附近的能带中的能级数量较多,具有较宽的分布。向上自旋的电子形成半导体型能带,带宽为0.0112 eV,向下自旋的电子形成金属型能带。在费米能级附近,s、p、d电子对其态密度的贡献程度逐渐提高。CaCoO层对总态密度贡献较大,CoO层对总态密度贡献较小。Ca中电子主要在远离费米能的位置形成能带,Co中电子主要在费米能附近形成能带,O中电子主要在-19 eV和费米能形成能带,Co d电子和O p电子贡献这种反铁磁状态层状Co基复合氧化物Ca_2Co_2O_5的电子学性质。(本文来源于《量子电子学报》期刊2019年03期）
刘知琪[9]（2019）在《反铁磁材料的电场调控》一文中研究指出反铁磁材料相比铁磁材料在信息存储器件应用方面有叁大优势:抗磁场、自旋动力学更快从而数据写入速度可以更快、由于没有零散磁场从而数据位的集成密度可以更高。但是,反铁磁自旋轴的操控更具挑战性。在此报告中,我将简要介绍我们小组以及国际同行近年来通过压电材料对反铁磁自旋进行调控的工作。这些初步研究表明铁电材料产生的非易失压电应力可以有效实现超低能耗的反铁磁自旋操控以及信息存储。相关研究在反铁磁自旋电子学领域中逐渐形成了一个新的分支:反铁磁压电自旋电子学[1]。(本文来源于《第九届国际稀土开发与应用研讨会暨2019中国稀土学会学术年会摘要集》期刊2019-05-15）
王韵秋[10]（2019）在《基于铁磁及反铁磁材料的自旋电子器件的研究》一文中研究指出从巨磁阻效应(GMR)被发现后,自旋电子学逐渐从磁性物理学中分离出来成为了一门独立的新兴学科,在信息的存储及处理领域具有重要的应用。自旋电子学的发展为电子器件的设计提供了新的思路,由此产生了自旋电子器件的概念。不同于传统的电子器件,自旋电子器件是通过对电子自旋的调控来实现器件功能。比起磁场或自旋极化电流,通过电场来调控自旋更高效节能,因此有效的通过电场调控磁性成为自旋电子学领域长期追求的目标,目前大部分这方面的研究工作集中在多铁材料上。设计制备新型自旋电子器件少不了对其组成材料的探索,迄今为止,自旋电子器件主要基于铁磁体来制备,例如磁隧穿结、自旋阀等,已广泛应用于数据存储领域。电控磁在铁磁材料中也取得了很大的进展,已成功实现电场对矫顽场,居里温度等的调控,但当涉及电场对饱和磁矩的调控,相关工作非常少。从应用的角度来说,反铁磁材料相比于铁磁材料有其独特的优点。反铁磁材料不易受电离及磁场的干扰,特征频率以及状态转换频率比典型的铁磁材料要高几个数量级且半导体中的反铁磁有序比铁磁有序更易观测到。这些优点使得反铁磁材料成为极具吸引力的自旋电子材料,然而,目前对反铁磁磁矩的调控仍然是非常大的挑战。此外,二维磁性材料,由于具有响应快以及功耗低的优点,在自旋电子学中具有巨大的应用潜力,此类材料无论在基础研究方面还是在新型自旋器件制备方面都有着重要的研究意义。但目前发现的二维磁性材料很少,对其磁电性质的研究工作也很少,急需对其进行进一步的探索。综上所述,基于铁磁材料、反铁磁材料以及二维磁性材料的自旋电子器件都有广泛的应用,同时也存在很多的挑战,因此本文分别从这叁个方面入手来研究自旋电子器件:基于铁磁材料,设计并制备自旋电容,通过电场来调控其磁性;研究反铁磁器件的室温磁性调控;制备二维磁性材料并研究其磁电特性。在自旋电子器件的研究方面开展了以下工作:1.基于表面磁电效应,设计了柱状阵列结构的自旋电容。为了实现器件的制备,自主搭建了3D直写设备,成功在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了柱状铁磁金属Ni,并在此基础上沉积了绝缘层Al_2O_3,构成了柱状阵列结构的自旋电容器件。对器件进行了性能测试,结果表明,虽然可以看到器件是具有存储能力的,但由于器件要求绝缘层的厚度很薄,导致器件易被击穿,使得器件的可重复性及利用率很低,且器件制备方法繁琐,磁性测试难度大。2.在柱状阵列结构自旋电容器件的基础上,设计了基于Ni/Cu的同轴圆柱结构的自旋电容,引入离子胶技术代替Al_2O_3绝缘层。相对于传统层状结构,比表面积大大增加;更重要的是离子胶技术可实现强电场且利于磁性测试。改进后的自旋电容表现出了优异的性能,室温下,仅2 V电压即可使器件的饱和磁矩增大18%。另外,将这种结构应用于铁磁/非铁磁界面更多的金属铁铂(Fe Pt)中,使得器件性能得到了进一步提高。3.设计了Co/IrMn异质结结构,通过铁磁与反铁磁的层间相互作用来实现室温反铁磁磁矩的调控。利用磁控溅射与光刻技术制备了Co/IrMn异质结器件,对器件进行了各向异性磁阻(AMR)测试,结果表明Co/IrMn异质结的AMR相比Co单层的AMR增加了一个数量级,成功实现了室温反铁磁磁矩的调控;进一步对器件的交换偏置进行了研究,发现其在垂直方向具有巨大的交换偏置。4.制备了单层及少层硒化钒,对制备的薄膜进行了一系列光学以及电学表征。利用干法转移将单层及少层硒化钒薄片制成器件,发现当厚度降到单层时,硒化钒会由导体转化为半导体;系统的研究了硒化钒的拉曼光谱,总结了拉曼光谱随薄膜厚度变化的规律,发现拉曼光谱可作为无损检测硒化钒厚度的可靠工具。5.用磁控溅射的方法制备大尺寸、均匀连续的二维磁性材料CrGeTe_3(CGT),研究了不同衬底温度对薄膜制备的影响,发现自生长得到的薄膜是Cr Te以及Ge Te的混合物,没有得到CGT。接着又尝试着对其进行退火,退火后得到了CGT,Cr_2Te_3和Cr的混合物薄膜。(本文来源于《华东师范大学》期刊2019-05-01）
反铁磁论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着信息技术的进步,存储器件正朝高密度、高速度和低功耗的目标发展。反铁磁材料具有净磁矩为零,抗干扰能力强,超快擦写速度等优势,在下一代高密度信息存储领域具有竞争潜力。操控和探测反铁磁磁矩是实现反铁磁存储信息写入与读出技术的关键。具有两亚晶格自旋相反特点的Mn_2Au是一种独特的体心四方反铁磁金属材料,可以用类场力矩效应翻转其磁矩到垂直于电流方向。我们用简单的磁控溅射方法生长了准外延的(103),(101)和(204)Mn_2Au薄膜。在室温下施加一个短电流脉冲,分别翻转了制备的各个取向Mn_2Au磁矩,发现由于各取向Mn_2Au的磁晶各向异性能不同,不同取向的Mn_2Au表现出迥异的翻转特征。此外,在Pt/Mn_2Au体系中,发现霍尔电阻的变化方向与纯Mn_2Au相反,而Mn_2Au的各向异性磁电阻效应可以体现磁矩翻转的过程和状态,说明Pt/Mn_2Au体系与纯Mn_2Au体系的磁矩翻转方向相反,磁矩被翻转到平行于电流方向,此时Mn_2Au磁矩翻转的主要机制为抗阻尼力矩。除了实现Mn_2Au磁矩翻转的基本功能,首次在反铁磁材料中发现取向相关的自旋轨道力矩翻转特征,以及多种力矩机制对Mn_2Au磁矩的翻转,是实现反铁磁材料电学调控的重要一步。我们不仅可以使用直流电流直接引起反铁磁Mn_2Au磁矩翻转,也可以向Mn_2Au/Py双层膜中通入交流电流,在Mn_2Au中转化为自旋流,产生自旋力矩作用于Py,产生与自旋极化方向平行的自旋流。在传统的中心对称的晶体材料中,电流只能转化为与自旋极化方向垂直的自旋流。而在全局中心对称和亚晶格中心反演对称性破缺共存的Mn_2Au中,电流还可以转化为与自旋极化方向平行的自旋流。这种自旋电荷转换的新物理机制是实现无场辅助翻转Mn_2Au上垂直磁化铁磁材料的基础,对自旋电子学的发展具有重要意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
反铁磁论文参考文献
[1].刘知琪.反铁磁材料及电场调控[C].第十届国际（中国）功能材料及其应用学术会议、第六届国际多功能材料与结构学术大会、首届国际新材料前沿发展大会摘要集.2019
[2].周效枫,潘峰,宋成.反铁磁Mn_2Au及其相关自旋力矩[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019
[3].宋成,潘峰.反铁磁薄膜材料与高密度信息存储[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019
[4].陈滢,王天廷,付立博,李小栋,塔金星.反铁磁超晶格体磁/声极化子分布性质研究[J].哈尔滨师范大学自然科学学报.2019
[5].房盼盼.一维反铁磁Ising系统纠缠动力学与量子相变的研究[D].曲阜师范大学.2019
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[7].卢世阳.自旋纳米振荡器中的人工反铁磁多层膜[D].山东大学.2019
[8].张飞鹏,张久兴,施加利,张静文,杜玲枝.反铁磁状态层状Co基复合氧化物Ca_2Co_2O_5电子学性质的研究[J].量子电子学报.2019
[9].刘知琪.反铁磁材料的电场调控[C].第九届国际稀土开发与应用研讨会暨2019中国稀土学会学术年会摘要集.2019
[10].王韵秋.基于铁磁及反铁磁材料的自旋电子器件的研究[D].华东师范大学.2019
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