全文摘要
本实用新型提供一种温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座，包括底面层、放置层、连接层、焊接层、顶盖、粘胶层和集成电路，矩形的底面层上表面为放置层，放置层上放置有集成电路，放置层上设有连接层，连接层上还设有矩形的焊接层，焊接层上方设有顶盖，底面层的表面边缘固定有两个对应设置的第一挡块和两个对应设置的第二挡块，第一挡块和第二挡块位于底面层的四个边上，第一挡块的顶部表面上设有第一插槽，第二挡块的顶部表面上设有第二插槽，顶盖的边缘设有插入第一插槽和第二插槽的插件，第一插槽和第二插槽的槽底均设有粘胶层，插件通过粘胶层与底面层固定连接。本实用新型具有提高陶瓷基座保护性，便于安装的优点。
主设计要求
1.一种温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座，其特征在于，包括底面层、放置层、连接层、焊接层、顶盖、粘胶层和集成电路，底面层、放置层、连接层、焊接层和顶盖自下而上依次分布，矩形的底面层上表面为放置层，所述放置层上放置有集成电路，所述放置层上设有连接层，所述连接层上还设有矩形的焊接层，所述焊接层上方设有顶盖，所述底面层的表面边缘固定有两个对应设置的第一挡块和两个对应设置的第二挡块，第一挡块和第二挡块位于底面层的四个边上，所述放置层、所述连接层和所述焊接层均位于第一挡块和第二挡块组成的区域内，所述第一挡块的顶部表面上设有第一插槽，所述第二挡块的顶部表面上设有第二插槽，所述顶盖的边缘设有插入第一插槽和第二插槽的插件，所述第一插槽和所述第二插槽的槽底均设有粘胶层，所述插件通过粘胶层与所述底面层固定连接。
设计方案
1.一种温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座，其特征在于，包括底面层、放置层、连接层、焊接层、顶盖、粘胶层和集成电路，底面层、放置层、连接层、焊接层和顶盖自下而上依次分布，矩形的底面层上表面为放置层，所述放置层上放置有集成电路，所述放置层上设有连接层，所述连接层上还设有矩形的焊接层，所述焊接层上方设有顶盖，所述底面层的表面边缘固定有两个对应设置的第一挡块和两个对应设置的第二挡块，第一挡块和第二挡块位于底面层的四个边上，所述放置层、所述连接层和所述焊接层均位于第一挡块和第二挡块组成的区域内，所述第一挡块的顶部表面上设有第一插槽，所述第二挡块的顶部表面上设有第二插槽，所述顶盖的边缘设有插入第一插槽和第二插槽的插件，所述第一插槽和所述第二插槽的槽底均设有粘胶层，所述插件通过粘胶层与所述底面层固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座，其特征在于，所述底面层的侧壁上设有第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第五端口、第六端口、第七端口和第八端口，第一端口、第二端口、第三端口和第四端口沿逆时针方向分别设置于所述底面层的四个角处，第五端口和第六端口依次分布在第一端口和第二端口之间，第七端口和第八端口依次分布在第三端口和第四端口之间。
3.根据权利要求2所述的一种温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座，其特征在于，所述焊接层上设有第一焊接点、第二焊接点、第三焊接点和第四焊接点，第一焊接点、第二焊接点、第三焊接点和第四焊接点沿顺时针方向分别设置于所述焊接层的四个角处。
4.根据权利要求3所述的一种温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座，其特征在于，所述连接层的第一管脚连接第二焊接点，所述连接层的第二管脚连接第一端口，所述连接层的第三管脚连接第四焊接点，所述连接层的第四管脚连接第六端口，所述连接层的第五管脚连接第二端口、第一焊接点、第三焊接点和集成电路放置平台D\/A，所述连接层的第六管脚连接第三端口，所述连接层的第七管脚连接第七端口，所述连接层的第八管脚连接第五端口，所述连接层的第九管脚连接第八端口，所述连接层的第十管脚连接第四端口。
5.根据权利要求1所述的一种温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座，其特征在于，所述底面层、所述放置层、所述连接层、所述焊接层和所述顶盖的整体厚度为0.6mm。
6.根据权利要求1所述的一种温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座，其特征在于，所述底面层的尺寸为5.1×3.29mm。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及一种温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座。
背景技术
陶瓷基座作为温度补偿晶体谐振器集成电路的承载，可以直接将集成电路设于陶瓷基座内，通过陶瓷基座将集成电路的各个功能引脚引出连接外部端口。集成电路放置在陶瓷基座中后，需要对集成电路进行覆盖保护，现有的陶瓷基座保护性不好。
因此，急需一种提高陶瓷基座保护性，便于安装的温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座。
实用新型内容
为了解决现有陶瓷基座保护性不好的问题，本实用新型的目的是提供一种温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座，具有提高陶瓷基座保护性，便于安装的优点。
本实用新型提供了如下的技术方案：
一种温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座，包括底面层、放置层、连接层、焊接层、顶盖、粘胶层和集成电路，底面层、放置层、连接层、焊接层和顶盖自下而上依次分布，矩形的底面层上表面为放置层，所述放置层上放置有集成电路，所述放置层上设有连接层，所述连接层上还设有矩形的焊接层，所述焊接层上方设有顶盖，所述底面层的表面边缘固定有两个对应设置的第一挡块和两个对应设置的第二挡块，第一挡块和第二挡块位于底面层的四个边上，所述放置层、所述连接层和所述焊接层均位于第一挡块和第二挡块组成的区域内，所述第一挡块的顶部表面上设有第一插槽，所述第二挡块的顶部表面上设有第二插槽，所述顶盖的边缘设有插入第一插槽和第二插槽的插件，所述第一插槽和所述第二插槽的槽底均设有粘胶层，所述插件通过粘胶层与所述底面层固定连接。
放置层放置集成电路，连接层主要是设置与集成电路、基座内部的连接走线，焊接层主要是设置与内部连接的焊接点，顶盖主要是遮盖集成电路，提高保护性，底面层的边缘设置有第一挡块和第二挡块，第一挡块和第二挡块可防止焊接层、集成电路和连接层从底面层上移动，使其稳定安装，第一挡块的顶部表面上设有第一插槽，第二挡块的顶部表面上设有第二插槽，顶盖上设有插件，顶盖将插件插入第一插槽和第二插槽内，又通过粘胶层与底面层进行固定，顶盖的安装方式方便，且提高陶瓷基座保护性。
优选的，所述底面层的侧壁上设有第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第五端口、第六端口、第七端口和第八端口，第一端口、第二端口、第三端口和第四端口沿逆时针方向分别设置于所述底面层的四个角处，第五端口和第六端口依次分布在第一端口和第二端口之间，第七端口和第八端口依次分布在第三端口和第四端口之间。
优选的，所述焊接层上设有第一焊接点、第二焊接点、第三焊接点和第四焊接点，第一焊接点、第二焊接点、第三焊接点和第四焊接点沿顺时针方向分别设置于所述焊接层的四个角处。
优选的，所述连接层的第一管脚连接第二焊接点，所述连接层的第二管脚连接第一端口，所述连接层的第三管脚连接第四焊接点，所述连接层的第四管脚连接第六端口，所述连接层的第五管脚连接第二端口、第一焊接点、第三焊接点和集成电路放置平台D\/A，所述连接层的第六管脚连接第三端口，所述连接层的第七管脚连接第七端口，所述连接层的第八管脚连接第五端口，所述连接层的第九管脚连接第八端口，所述连接层的第十管脚连接第四端口。
优选的，所述底面层、所述放置层、所述连接层、所述焊接层和所述顶盖的整体厚度为0.6mm。
优选的，所述底面层的尺寸为5.1×3.29mm。
本实用新型的有益效果是：放置层放置集成电路，连接层主要是设置与集成电路、基座内部的连接走线，焊接层主要是设置与内部连接的焊接点，顶盖主要是遮盖集成电路，提高保护性，底面层的边缘设置有第一挡块和第二挡块，第一挡块和第二挡块可防止焊接层、集成电路和连接层从底面层上移动，使其稳定安装，第一挡块的顶部表面上设有第一插槽，第二挡块的顶部表面上设有第二插槽，顶盖上设有插件，顶盖将插件插入第一插槽和第二插槽内，又通过粘胶层与底面层进行固定，顶盖的安装方式方便，且提高陶瓷基座保护性。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1是本实用新型结构剖面图；
图2是本实用新型未安装顶盖俯视图；
图中标记为：1、底面层；11、第一挡块；111、第一插槽；12、第二挡块；121.第二插槽；1-1、第一端口；1-2、第二端口；1-3、第三端口；1-4、第四端口；1-5、第五端口；1-6、第六端口；1-7、第七端口；1-8、第八端口；2、放置层；3、连接层；3-1、第一管脚；3-2、第二管脚；3-3、第三管脚；3-4、第四管脚；3-5、第五管脚；3-6、第六管脚；3-7、第七管脚；3-8、第八管脚；3-9、第九管脚；3-10、第十管脚；4、焊接层；4-1、第一焊接点；4-2、第二焊接点；4-3、第三焊接点；4-4、第四焊接点；5、顶盖；51、插件；6、粘胶层；7、集成电路；
具体实施方式
下面结合附图描述本实用新型的具体实施方式。
如图1-2所示，一种温度补偿晶体振荡器用陶瓷基座，包括底面层1、放置层2、连接层3、焊接层4、顶盖5、粘胶层6和集成电路7，底面层1、放置层2、连接层3、焊接层4和顶盖5自下而上依次分布，矩形的底面层1上表面为放置层2，所述放置层2上放置有集成电路7，所述放置层2上设有连接层3，连接层3主要是设置与集成电路、基座内部的连接走线，所述连接层3上还设有矩形的焊接层4，焊接层4主要是设置与内部连接的焊接点，所述焊接层4上方设有顶盖5，所述底面层1的表面边缘固定有两个对应设置的第一挡块11和两个对应设置的第二挡块12，第一挡块11和第二挡块12位于底面层的四个边上，所述放置层2、所述连接层3和所述焊接层4均位于第一挡块11和第二挡块12组成的区域内，第一挡块11和第二挡块12可防止焊接层4、集成电路5和连接层3从底面层1上移动，使其稳定安装，所述第一挡块11的顶部表面上设有第一插槽111，所述第二挡块12的顶部表面上设有第二插槽121，所述顶盖5的边缘设有插入第一插槽111和第二插槽121的插件51，所述第一插槽111和所述第二插槽121的槽底均设有粘胶层6，所述插件51通过粘胶层6与所述底面层1固定连接，顶盖5主要是遮盖集成电路7，提高保护性，顶盖5的安装方式方便，且提高陶瓷基座保护性。
所述底面层1的侧壁上设有第一端口1-1、第二端口1-2、第三端口1-3、第四端口1-4、第五端口1-5、第六端口1-6、第七端口1-7和第八端口1-8，第一端口1-1、第二端口1-2、第三端口1-3和第四端口1-4沿逆时针方向分别设置于所述底面层1的四个角处，第五端口1-5和第六端口1-6依次分布在第一端口1-1和第二端口1-2之间，第七端口1-7和第八端口1-8依次分布在第三端口1-3和第四端口1-4之间；所述焊接层4上设有第一焊接点4-1、第二焊接点4-2、第三焊接点4-3和第四焊接点4-4，第一焊接点4-1、第二焊接点4-2、第三焊接点4-3和第四焊接点4-4沿顺时针方向分别设置于所述焊接层4的四个角处；所述连接层3的第一管脚3-1连接第二焊接点4-2，所述连接层3的第二管脚3-2连接第一端口1-1，所述连接层3的第三管脚3-3连接第四焊接点4-4，所述连接层3的第四管脚3-4连接第六端口1-6，所述连接层3的第五管脚3-5连接第二端口1-2、第一焊接点4-1、第三焊接点4-3和集成电路放置平台D\/A，所述连接层3的第六管脚3-6连接第三端口1-3，所述连接层3的第七管脚3-7连接第七端口1-7，所述连接层3的第八管脚3-8连接第五端口1-5，所述连接层3的第九管脚3-9连接第八端口1-8，所述连接层3的第十管脚3-10连接第四端口1-4。
所述底面层1、所述放置层2、所述连接层3、所述焊接层4和所述顶盖5的整体厚度为0.6mm，所述底面层的尺寸为5.1×3.29mm。
本实用新型工作方式：放置层1放置集成电路7，连接层3主要是设置与集成电路7、基座内部的连接走线，焊接层4主要是设置与内部连接的焊接点，顶盖5主要是遮盖集成电路7，提高保护性，底面层1的边缘设置有第一挡块11和第二挡块12，第一挡块11和第二挡块12可防止焊接层4、集成电路5和连接层3从底面层1上移动，使其稳定安装，第一挡块11的顶部表面上设有第一插槽111，第二挡块12的顶部表面上设有第二插槽121，顶盖5上设有插件51，顶盖51将插件插入第一插槽111和第二插槽121内，通过粘胶层6与底面层1进行固定。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920090686.6
申请日:2019-01-21
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:31(上海)
授权编号:CN209330075U
授权时间:20190830
主分类号:H03H 9/08
专利分类号:H03H9/08
范畴分类:38K;
申请人:上海施迈尔精密陶瓷有限公司
第一申请人:上海施迈尔精密陶瓷有限公司
申请人地址:200000 上海市浦东新区居家桥路575弄8号
发明人:叶瑞平;李戈;史春阳
第一发明人:叶瑞平
当前权利人:上海施迈尔精密陶瓷有限公司
代理人:金迪
代理机构:32286
代理机构编号:南京常青藤知识产权代理有限公司
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计