铌镁酸钡缓冲层对锆钛酸铅薄膜漏电流的抑制

论文摘要

将铌镁酸钡(Ba(Mg1/3Nb2/3)O3,BMN)作为缓冲层,通过溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT)铁电薄膜。探究BMN缓冲层对PZT铁电薄膜介电、铁电性能影响。研究发现:BMN缓冲层不仅可以改善PZT薄膜晶化生长,同时阻碍了PZT与Pt的互扩散而降低了漏电流。由于对漏电流的抑制作用,适当厚度BMN缓冲层的引入可改善PZT的铁电性能,但随着缓冲层厚度的增加,由于其分压作用,复合膜铁电性减弱。当厚度为10 nm时,薄膜的综合性能最好:介电常数εr=1612.03,介电损耗tanδ=0.024,剩余极化值Pr=31.65μC/cm2,矫顽场Ec=71.5 kV/cm,漏电流密度J=4.4×10-6A/cm2。

论文目录

• 1 引 言
• 2 实 验
•   2.1 前驱体溶液的制备
•   2.2 PZT/BMN薄膜的制备
•   2.3 结构与性能测试
• 3 结果与讨论
•   3.1 薄膜的结构分析
•   3.2 薄膜的电学性能分析
• 4 结 论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 谢丹丹,周静,吴智,沈杰

关键词: 铌镁酸钡缓冲层,锆钛酸铅铁电薄膜,介电损耗,铁电性能,漏电流密度

来源: 硅酸盐通报 2019年11期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 武汉理工大学材料科学与工程学院材料复合新技术国家重点实验室,湖南工学院材料与化学工程学院,中国地质大学纳米矿物材料及应用教育部工程研究中心

基金: 国家自然科学基金(51572205,51802093),装备预研教育部联合基金(6141A02033209),中央高校基本科研业务费专项资金资助(2018III019),纳米矿物材料及应用教育部工程研究中心开放项目(NGM2019KF005)

分类号: TB383.2

DOI: 10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2019.11.005

页码: 3403-3408

总页数: 6

文件大小: 2425K

下载量: 58