一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件论文和设计-赵东

全文摘要

本实用新型提供了一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，属于全光通信系统技术领域。光学双稳态器件为八个电介质层一、八个电介质层二和十五个石墨烯层组成的多层结构，由上表面至下表面依次为电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一。本实用新型具有能够降低光学双稳态的阈值等优点。

主设计要求

1.一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，其特征在于，本光学双稳态器件为八个电介质层一(A)、八个电介质层二(B)和十五个石墨烯层(G)组成的多层结构，且本光学双稳态器件由上表面至下表面依次为电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)；所述电介质层一(A)的材料为MgF2晶体，所述电介质层二(B)的材料为ZnS晶体。

设计方案

1.一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，其特征在于，本光学双稳态器件为八个电介质层一(A)、八个电介质层二(B)和十五个石墨烯层(G)组成的多层结构，且本光学双稳态器件由上表面至下表面依次为电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)；所述电介质层一(A)的材料为MgF_{2<\/sub>晶体，所述电介质层二(B)的材料为ZnS晶体。}

2.根据权利要求1所述一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，其特征在于，所述电介质层一(A)的厚度为d_{a<\/sub>＝0.281μm，折射率为n_{a<\/sub>＝1.38。}}

3.根据权利要求1所述一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，其特征在于，所述电介质层二(B)的厚度为d_{b<\/sub>＝0.165μm，折射率为n_{a<\/sub>＝2.35。}}

设计说明书

技术领域

本实用新型属于全光通信系统技术领域，涉及一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件。

背景技术

随着全光网络和信息检测技术的发展，迫切地需要发展全光开关、光存储器等。基于材料的光学双稳态效应可以实现全光开关和光存储器。

以前一般是通过材料的表面等离激元(surface plasmon polaritons：SPPs)或法布里-珀罗腔结构来增强电场局域性，再利用非线性系数较大的材料来实现低阈值的光学双稳态。

SPPs需要TM波在金属或石墨烯中产生，SPPs只沿着材料的表面走向。而且只能在超材料和Kretschmann结构中才能激发SPPs。

石墨烯作为一种新兴的二维材料，因其独特的电子、机械和光学性质被广泛应用于生活和生产实践，已成为各研究领域的热点。常温下石墨烯的电子迁移率可以达到2.5×10^{5<\/sup>cm^{2<\/sup>V^{-1<\/sup>s^{-1<\/sup>，约为硅半导体迁移率的100倍；而且石墨烯的电阻率也极小，约为10^{-6<\/sup>Ωcm，这比一般金属的电阻率还要低。}}}}}

石墨烯的电导率可以通过化学势控制，化学势和载流子浓度之间的关系为设计图

一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件论文和设计

一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件论文和设计-赵东

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主设计要求

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