第一性原理计算V掺杂Ca2Si几何结构与能带结构

第一性原理计算V掺杂Ca2Si几何结构与能带结构

论文摘要

文章采用第一性原理方法计算了V掺杂Ca2Si几何结构和能带结构。计算结果表明,V掺杂后晶胞体积、总能量减小。能带结构上,V置换CaⅠ的带隙变宽为0.42eV,V置换CaⅡ的带隙变窄为0.17eV,费米能级都进入导带,导电类型为n型。

论文目录

  • 1 概述
  • 2 计算方法及模型
  • 3 计算结果分析
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 邓永荣,骆远征

    关键词: 第一性原理,掺杂,能带结构,几何结构

    来源: 科技创新与应用 2019年23期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,基础科学

    专业: 物理学

    单位: 安顺学院电子与信息工程学院,安顺学院数理学院

    基金: 贵州省教育厅创新群体重大研究项目(黔教合KY字[2016]048号),安顺学院创新团队(2015PT02号)资助课题

    分类号: O472

    页码: 36-37

    总页数: 2

    文件大小: 379K

    下载量: 164

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