导读:本文包含了非晶硅基薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,聚酰亚胺,太阳能电池,模拟器,离子束,有序性,光伏。
非晶硅基薄膜论文文献综述
范闪闪,杨彦斌,于威,傅广生[1]（2016）在《非晶/微晶相变区硅基薄膜太阳能电池研究进展》一文中研究指出综述了非晶/微晶相变区硅基薄膜的微观结构、光电特性及其在太阳能电池中的应用进展.稳定优质的宽带隙初始晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的非晶硅一侧,其相比于非晶硅具有更高的中程有序性和更低的光致衰退特性.低缺陷密度的窄带隙纳米晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的微晶硅一侧,有效钝化的纳米硅晶粒具有较高的载流子迁移率和较好的长波响应特性.基于上述相变区硅薄膜材料的迭层电池已经达到13.6%的稳定转换效率.掺锗制备的硅锗薄膜可进一步降低薄膜的带隙宽度,引入相变区硅锗合金薄膜后,叁结迭层电池初始效率已经达到16.3%,四结迭层太阳能电池理论效率可以超过20%.(本文来源于《河北大学学报(自然科学版)》期刊2016年05期）
赖广辉,徐勤昌[2]（2014）在《非晶硅基薄膜太阳能电池组件及其独立系电性能测试与研究》一文中研究指出阐述了太阳电池的工作原理,并给出非晶硅基薄膜太阳能电池的物理模型。对非晶硅薄膜组件在不同辐照度下的输出特性进行了测量。设计了非晶硅薄膜组件独立系统,并监测其输出特性,对测试结果进行了分析。测试结果表明室内组件的转换效率与室外测试所得到的结果相吻合,说明非晶硅薄膜组件所设计的光伏系统在辐照度差的地区具有更高的可靠性和转换效率。(本文来源于《中国建材科技》期刊2014年02期）
丛伟艳[3]（2012）在《稀土掺杂包埋纳米晶硅硅基薄膜光学性质研究》一文中研究指出随着科学技术的发展,现有的微电子技术已难以满足由其支撑的现代电了技术不断提出的更高要求。用光子代替电子作为信息的载体,从微电子技术向光集成或光电子集成技术发展,成为必然的趋势。虽然Ⅲ-Ⅴ族半导体材料非常适合制造光电子器件,但在Ⅲ-Ⅴ族化合物基片上制造大规模电子集成回路的技术还很不成熟,且造价太高,难以进入民用市场。相反,硅基微电子集成制造工艺相当成熟,己进入大规模工业化生产阶段。因此硅基光电集成成为研究的主要热点。然而硅基半导体材料不是好的发光体,限制了它们在光电子集成方面的应用。稀土离了具有丰富的电子能级和4f电子跃迁特性,可获得多种发光性能,能够为高科技领域特别是通信领域提供性能优越的发光材料。稀土掺杂包理纳米晶硅硅基发光材料在实现微电子技术向光电子集成技术发展中具有重要意义,因此一直是人们不懈追求的研究目标。利用离子束溅射和离子注入技术,并辅以热氧化技术,制备了Er掺杂富硅SiO2薄膜材料和Ce掺杂SiO2薄膜材料。分别利用透射电子显微镜、拉曼光谱和光致发光谱研究了Er掺杂富硅SiO2薄膜材料的微结构和光致发光性质、Ce掺杂SiO2薄膜材料的光致发光性质。并利用CASTEP软件计算了各种SiO2结构的材料的光电性质。主要取得了以下研究结果：对Er掺杂富硅SiO2薄膜样品在1100℃经10secs-5mins进行高温快速退火。研究了退火样品的微结构和光致发光性质。结果表明：经退火热处理后在SiO2薄膜基体中有Si-nc晶粒生成。在室温条件下,所有退火态样品中均观测到较强的Si-nc和Er3+离子发光。随退火时间增加,Si-nc颗粒尺寸增大,量子限制效应减弱,导致Si-nc发光强度减弱,发光峰位红移。对于Er3+离子,其发光峰峰位几乎不随退火时间增加而改变。但随退火时间增加,其发光强度明显改变,并且发光强度随退火时间的变化趋势与Si-nc相反,验证了Si-nc与Er3+离子之间确实存在能量传递。对样品施加不同的外加压强进行调制后,Si-nc的发光峰位波长在P=5.76GPa时明显减小,而发光强度也在该压强附近急剧减弱。这是由基体材料及纳米晶硅结构在外加压强作用下发生变化引起的。利用不同的实验方法制备了两个系列Ce3+离子掺杂SiO2薄膜样品,并对样品在不同条件下进行退火热处理。室温条件下,在所有制备态和退火态样品中均观测到较强的Ce3+离子光致发光。详细讨论了Ce3+离子掺杂浓度、退火条件、制备方法等对样品发光性质的影响。研究发现Ce3+离子的发光性质强烈依赖于Ce3+离子掺杂浓度、退火温度、退火气氛以及制备方法。随Ce3+离子掺杂浓度增加,其发光强度几乎呈线性增加,发光峰峰位改变。当Ce3+离子掺杂浓度继续增加时,离了间距离减小,处于激发态的Ce3+离子将能量传递给近邻的其它Ce3+离子从而引起发光猝灭。在空气气氛中经较高温度退火后,基体中有更多的Ce3+离子存在并进入SiO2网格形成发光中心,导致材料发光强度增强。随退火温度继续增加,一方面Ce3+离子发生团簇引起发光猝灭或者直接从基体材料中析出；另一方面,更多的Ce3+离子被氧化为非光学活性的Ce4+离子。以上因素导致Ce3+离子发光强度显着减弱。另外通过分析不同气氛中退火样品的PL谱,发现N2气氛可有效保护Ce3+离了防止Ce3+离子被氧化为Ce4+离了,从而可以明显改善样品的发光性质。不同的制备方法对样品的发光性质也有影响,例如在B系列样品中随着Ce3+离子掺杂浓度增加到1.46at%,观察到Ce3+离子发光猝灭效应,而在A系列样品中却没有发现这种现象。利用CASTEP软件计算了包埋纳米晶硅SiO2和Ce掺杂SiO2结构的材料的电子结构和光学性质。研究表明,与SiO2材料相比,包理纳米晶SiO2材料整个导带下移,并在费米面附近形成局域分离能级。禁带宽度由原来的5.742eV减小为1.05eV。吸收光谱中,在2.27eV处出现新的吸收峰,对应于费米面以下-1.01eV附近能级上的电子向由键角畸变引入的费米面以上1.05eV附近能级的跃迁。研究表明,用一个Ce原子代替Si原子形成Ce掺杂SiO2结构材料后,在SiO2禁带中引入Ce杂质能级,禁带宽度减小。与SiO2材料相比,吸收谱中2.96eV处出现新的吸收峰,对应于Ce的4f电子向5d能级跃迁,与实验测量结果一致。(本文来源于《山东大学》期刊2012-11-20）
徐勤昌[4]（2012）在《非晶硅基薄膜太阳能电池组件和其独立系性能测试与研究》一文中研究指出阐述了太阳电池的工作原理,并给出非品硅基薄膜太阳能电池的物理模型。对非晶硅薄膜组件在不同辐照度下的输出特性进行了测量,设计了非晶硅薄膜组件独立系统,并监测其输出特性,对实验结果进行了分析。实验结果表明室内组件的转换效率与室外试验所测得的结果相吻合,说明所设计的光伏系统具有较高可靠性和高效性。(本文来源于《第十四届中国科协年会（第九分会场）——建材工业电子信息及仪控技术研讨会论文与报告（续）》期刊2012-09-08）
朱秀红,陈光华,郑茂盛[5]（2012）在《沉积条件对硅基薄膜非晶转微晶相变、沉积速率及其光电性能的影响(英文)》一文中研究指出本文采用HWA-MWECR-CVD系统制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、反应压强以及微波功率对微晶硅薄膜非晶转微晶相变及其相关性能的影响。实验结果表明:当氢稀释比为94%、反应压强为1.5Pa以及微波功率为500W时,高质量的微晶硅薄膜可以被获得,如2.86*104的高光敏性,1nm左右的沉积速率以及8.9%的光致衰退速率等。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2012年02期）
闫恒庆[6]（2011）在《非晶硅基薄膜在锂离子二次电池中的应用研究》一文中研究指出能源危机和环境污染加速了人们寻找可再生清洁能源的步伐。伴随着可再生能源的产生,如何安全、方便、有效地利用和存储所产生的能量成为新的研究课题。锂离子二次电池具有电压高、容量密度大、放电平稳、存储时间长等特点,在能量存储方面有着独特的优势,日益受到人们的重视。硅材料是优秀的锂离子电池负极材料,它具有目前已知的最高的理论容量密度,对提高锂离子二次电池的整体容量密度有着关键的作用。本论文采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了非晶硅(a-Si)薄膜和碳纳米管/非晶硅(MWNTs/a-Si)复合薄膜,研究了这两种薄膜作为电极材料的循环性能,获得了以下研究结果：1.铜箔衬底上直接生长的厚度为300 nm的a-Si薄膜,在0.02 mA/cm2的恒流放电条件下,首次放电容量达到4000 mAh/g,放电平台出现在0.3 V左右。循环17次之后电池的容量急剧下降,100次循环过后可逆容量几乎完全损失。2.铜箔衬底上制备的MWNTs/a-Si复合薄膜在0.02 mA/cm2的恒流放电条件下,首次放电容量为2200 mAh/g,放电平台出现在0.3 V左右。循环过程中电池容量缓慢下降,100次循环过后可逆容量仍然可以保持在900 mAh/g。3.通过比较两种薄膜的结构特点,结合泡沫镍上a-Si薄膜的循环性能分析,得出应力效应是影响非晶硅薄膜电极性能的关键因素的结论：采用材料复合的方法能够改善a-Si薄膜作为负极材料的循环性能。(本文来源于《兰州大学》期刊2011-05-01）
宁豪[7]（2005）在《柔性非晶硅基薄膜太阳电池的研究》一文中研究指出近年来,随着空间技术的发展,应用于小卫星的轻质衬底薄膜太阳电池得到了广泛的研究。在诸多轻质衬底薄膜太阳电池中,柔性衬底非晶硅基薄膜太阳电池在很多方面占有优势。聚酰亚胺薄膜由于其良好的物理化学性能,成为柔性衬底的理想材料。但是由于柔性衬底的采用,也给太阳电池的制备工艺带来了新的问题。 与玻璃等刚性衬底相比,柔性衬底的耐高温性较差,电池的沉积温度不能太高,各层材料的沉积温度一般不应超过200℃。实验在低温下通过调整其它沉积参数制备出高带隙的P型a-SiC:H材料,代替a-Si:H做为太阳电池的窗口材料,改善了太阳电池的短波响应,提高了太阳电池的短路电流密度。 由于柔性衬底透过率较低,电池采用倒结构沉积,电池有源层I层和窗口层P层之间的过渡方式对于电池性能的影响十分重要。实验通过调整混合气体中各成分进入反应室的顺序,得到了不同性质的I/P界面过渡层,经过比较分析,找到了可以改善电池性能的界面处理方式,并且在I/P界面使用H_2处理的方式,提高了太阳电池的开路电压。 由于聚酰亚胺柔性衬底本身的热膨胀系数较大,经过电池沉积的冷热循环,对太阳电池的各层材料有一定的破坏作用,在制备大面积的电池时遇到了困难。实验采用金属Ni代替ZnO做为衬底与N层之间的阻挡层,提高了电池的稳定性,在大面积的柔性衬底上制备出了性能良好的太阳电池。 通过对这些问题的解决,逐步提高了太阳电池的整体性能,在大面积(4cm×4cm)的聚酰亚胺柔性衬底上使用PECVD法制备出了功率重量比达200W/Kg的非晶硅基薄膜太阳电池。(本文来源于《河北工业大学》期刊2005-01-01）
宁豪,张德贤,冯凯,窦伟山,蔡宏琨[8]（2004）在《I/P界面处理对<NIP>非晶硅基薄膜太阳电池性能的影响》一文中研究指出本文研究了在聚酰亚胺柔性衬底上采用等离子体增强化学气相沉积法制备〈NIP〉非晶硅基薄膜太阳电池。在稳定各层材料沉积工艺的条件下,仅调整I/P界面的处理方式,研究其对太阳电池性能的影响。实验表明,合理的界面处理方式,可以使太阳电池的填充因子显着增大,从而提高太阳电池的光电转换效率。(本文来源于《第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛论文集》期刊2004-11-01）
李群[9]（2004）在《掺杂非晶硅基薄膜的结构及发光特性研究》一文中研究指出本论文采用双离子束溅射沉积方法制备了Si-SiOx、SiO_x：C、SiOxNy复合薄膜，TEM及XRD的测试表明叁种薄膜均为非晶结构，通过FTIR和XPS进一步分析了薄膜的结构，了解所掺杂质在薄膜中的基本状态以及结合情况。 光致发光谱测试显示叁种薄膜都有470nm左右的峰位发射，说明该处发射谱与掺杂无关，进一步的分析表明该峰位发光来自于薄膜中富硅结构所产生的中性氧空位缺陷(O_3≡Si-Si≡O_3，是由与氧原子配位的二价硅的单态—单态之间的跃迁所致。 在240nm的紫外光激发下，比较叁种薄膜的PL谱：Si-SiO_2薄膜有378nm处的紫外光发射，它来自于硅基薄膜中的富硅集原子团簇发光：SiOx：C薄膜有420nm处的蓝紫光发射，它来自于SiC发光或C、Si、O形成的发光中心光发射；SiOxNy薄膜有400nm处的紫光发射，其发光机理可能与Si、O、N结合形成新的发光中心有关。实验表明掺杂后硅基薄膜的发光效率及发光强度都有显着改善。(本文来源于《苏州大学》期刊2004-05-01）
石旺舟,欧阳艳东,吴雪梅,姚伟国[10]（2001）在《氧、氮掺杂非晶硅基薄膜的荧光》一文中研究指出采用PECVD方法分别沉积了SiOx∶H和SiOxNy∶H薄膜 ,测量了其荧光特性。在SiOx∶H薄膜中观察到 3 0 0～ 570nm强荧光辐射带 ,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下 ,荧光带主峰位于蓝光波段 ,并具有分立峰结构。在SiOxNy∶H薄膜中 ,荧光谱由 2 50～ 4 0 0nm、50 0～ 70 0nm两个荧光带和 3 70nm、73 0nm两组分立荧光峰组成。分立峰强度随薄膜中的氮含量增加而升高 ;荧光带中心位置受到沉积过程中氢的流量调制 ,当氢流量增加时 ,发射带的中心位置产生蓝移。(本文来源于《发光学报》期刊2001年01期）
非晶硅基薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
阐述了太阳电池的工作原理,并给出非晶硅基薄膜太阳能电池的物理模型。对非晶硅薄膜组件在不同辐照度下的输出特性进行了测量。设计了非晶硅薄膜组件独立系统,并监测其输出特性,对测试结果进行了分析。测试结果表明室内组件的转换效率与室外测试所得到的结果相吻合,说明非晶硅薄膜组件所设计的光伏系统在辐照度差的地区具有更高的可靠性和转换效率。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
非晶硅基薄膜论文参考文献
[1].范闪闪,杨彦斌,于威,傅广生.非晶/微晶相变区硅基薄膜太阳能电池研究进展[J].河北大学学报(自然科学版).2016
[2].赖广辉,徐勤昌.非晶硅基薄膜太阳能电池组件及其独立系电性能测试与研究[J].中国建材科技.2014
[3].丛伟艳.稀土掺杂包埋纳米晶硅硅基薄膜光学性质研究[D].山东大学.2012
[4].徐勤昌.非晶硅基薄膜太阳能电池组件和其独立系性能测试与研究[C].第十四届中国科协年会（第九分会场）——建材工业电子信息及仪控技术研讨会论文与报告（续）.2012
[5].朱秀红,陈光华,郑茂盛.沉积条件对硅基薄膜非晶转微晶相变、沉积速率及其光电性能的影响(英文)[J].功能材料与器件学报.2012
[6].闫恒庆.非晶硅基薄膜在锂离子二次电池中的应用研究[D].兰州大学.2011
[7].宁豪.柔性非晶硅基薄膜太阳电池的研究[D].河北工业大学.2005
[8].宁豪,张德贤,冯凯,窦伟山,蔡宏琨.I/P界面处理对<NIP>非晶硅基薄膜太阳电池性能的影响[C].第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛论文集.2004
[9].李群.掺杂非晶硅基薄膜的结构及发光特性研究[D].苏州大学.2004
[10].石旺舟,欧阳艳东,吴雪梅,姚伟国.氧、氮掺杂非晶硅基薄膜的荧光[J].发光学报.2001
论文知识图
