两种邻苯二胺类席夫碱缓蚀剂缓蚀性能研究

论文摘要

运用分子自组装技术在铜电极表面分别制备了双水杨醛缩邻苯二胺(简称A)和双邻香兰素缩邻苯二胺(简称B)两种席夫碱缓蚀膜。采用电化学方法研究了两种席夫碱自组装单分子层膜在质量分数3.5%的NaCl溶液中对铜的缓蚀行为。在25℃下,席夫碱A溶液浓度为10 mmol/L,组装时间为4 h时缓蚀效果最佳,席夫碱B溶液浓度为15 mmol/L,组装时间为6 h时缓蚀效果最佳,A、B的缓蚀效率分别达到94.06%和96.62%。结果表明,两种缓蚀剂对铜具有很好的缓蚀性能,且缓蚀效果B>A。

论文目录

• 1 实验部分
•   1.1 实验仪器
•   1.2 实验试剂
•   1.3 电化学测量
•   1.4 铜表面自组装膜的制备
•     1.4.1 目标化合物的合成与表征
•     1.4.2 铜电极表面自组装膜的制备
• 2 结果与讨论
•   2.1 不同组装条件对缓蚀性能的影响
•     2.1.1 组装时间的影响
•     2.1.2 组装浓度的影响
•   2.2 表面分析
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 任正博,卢爽,刘琳

关键词: 席夫碱,自组装膜,缓蚀性能,电化学阻抗,极化曲线

来源: 石油化工高等学校学报 2019年02期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 金属学及金属工艺

单位: 渤海大学化学化工学院功能化合物的合成及应用辽宁省重点实验室

基金: 国家自然科学基金项目(21878024),辽宁省创新团队项目(LT2015001)

分类号: TG174.42

页码: 8-14

总页数: 7

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