导读:本文包含了高注量中子辐照论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:正电子,中子,点缺陷,能级,金红石,电学,空洞。
高注量中子辐照论文文献综述
承刚,卢铁城,赵纯培,田云飞,徐雪春[1]（2002）在《高注量中子辐照金红石单晶电学特性的研究》一文中研究指出金红石单晶体经中子辐照后,不仅由无色透明变为深兰色,而且导电特性发生很大变化,且由高绝缘材料变为n型半导体.作者分别在低温、室温及高温下,研究了样品电阻随温度的变化关系,并在空气和真空气氛下,对比研究了气氛对辐照后样品导电特性的影响.结果表明,金红石晶体经中子辐照后,在低温下具有典型的半导体导电特性;在高温下于空气中退火,样品会被逐渐氧化,最后变为无色的绝缘体;在10-4Pa高真空气氛中退火,样品表现出点缺陷导电行为,且缺陷离子具有两个不同的激发能级(0.06eV和0.12eV),分别对应子H+和Ti3+,且在整个过程中没有发现样品被氧化.(本文来源于《四川大学学报(自然科学版)》期刊2002年06期）
陈军,林理彬[2]（1999）在《高能量,大注量中子辐照下α-Al_2O_3中的F_3聚集型色心电子结构及其吸收光谱研究》一文中研究指出利用嵌入原子簇模型结合Ｆ心的类Ｈ离子波函数研究了α－Ａｌ２Ｏ３晶体中Ｆ３聚集型色心存在时，晶体的能带结构，态密度，Ｍｕｌｉｋｅｎ电荷布居的变化，讨论了色心的光学吸收跃迁模式。结果表明，由于Ｆ３聚集心的存在，在α－Ａｌ２Ｏ３中引入了１个单能级和１个２重简并色心能级，产生了一个３．５４ｅＶ的从色心能级到导带底的新的吸收跃迁。经与高能量，大注量中子辐照后的刚玉晶体的光学吸收实验结果比较，我们认为实验测得的０．３５６μｍ（３．４８３ｅＶ）处的吸收峰是由于Ｆ３聚集心的电子的吸收跃迁所引起的。同时，也发现Ｆ３聚集心的格点处的电荷布居比单Ｆ心格点处的电荷布居小。(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊1999年02期）
范志国,罗起,岩田忠夫,朱升云[3]（1998）在《高注量快中子辐照在α-Al_2O_3中产生空洞的正电子湮没研究》一文中研究指出采用正电子湮没技术研究了３×１０~２０／ｃｍ~２中子注量、Ｅｎ＞１ＭｅＶ快中子辐照在α－Ａｌ２Ｏ３中产生的辐照效应。实验发现α－Ａｌ_２Ｏ_３在辐照后经８５０℃退火形成尺寸约为０．７ｎｍ的空洞。(本文来源于《核技术》期刊1998年04期）
孟祥提[4]（1994）在《中子辐照注量对单晶硅中缺陷退火行为的影响》一文中研究指出用正电子湮没寿命和多普勒加宽测量研究了不同注量中子辐照的氩气氛区熔单晶硅中缺陷的退火行为，发现不同中子注量辐照时，辐照致空位型缺陷的退火行为十分类似，并均在５５０℃时退火消除；但辐照致双空位浓度、二次双空位和四空位型缺陷的产生、浓度和消除温度很不相同。简单陷阱模型不适用于５００℃以下退火的高中子注量辐照的单晶硅，但能部分适用于中等注量辐照的单晶硅。(本文来源于《核技术》期刊1994年02期）
高注量中子辐照论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用嵌入原子簇模型结合Ｆ心的类Ｈ离子波函数研究了α－Ａｌ２Ｏ３晶体中Ｆ３聚集型色心存在时，晶体的能带结构，态密度，Ｍｕｌｉｋｅｎ电荷布居的变化，讨论了色心的光学吸收跃迁模式。结果表明，由于Ｆ３聚集心的存在，在α－Ａｌ２Ｏ３中引入了１个单能级和１个２重简并色心能级，产生了一个３．５４ｅＶ的从色心能级到导带底的新的吸收跃迁。经与高能量，大注量中子辐照后的刚玉晶体的光学吸收实验结果比较，我们认为实验测得的０．３５６μｍ（３．４８３ｅＶ）处的吸收峰是由于Ｆ３聚集心的电子的吸收跃迁所引起的。同时，也发现Ｆ３聚集心的格点处的电荷布居比单Ｆ心格点处的电荷布居小。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高注量中子辐照论文参考文献
[1].承刚,卢铁城,赵纯培,田云飞,徐雪春.高注量中子辐照金红石单晶电学特性的研究[J].四川大学学报(自然科学版).2002
[2].陈军,林理彬.高能量,大注量中子辐照下α-Al_2O_3中的F_3聚集型色心电子结构及其吸收光谱研究[J].原子与分子物理学报.1999
[3].范志国,罗起,岩田忠夫,朱升云.高注量快中子辐照在α-Al_2O_3中产生空洞的正电子湮没研究[J].核技术.1998
[4].孟祥提.中子辐照注量对单晶硅中缺陷退火行为的影响[J].核技术.1994
论文知识图
