导读:本文包含了硅集成电感论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:电感,螺旋,螺线管,等效电路,涡流,射频,集成电路。
硅集成电感论文文献综述写法
姜祁峰,李征帆[1]（2003）在《硅集成电路多层结构螺旋电感的建模和分析》一文中研究指出使用电磁场方法对硅衬底上的多层结构螺旋电感进行了建模和分析 .与典型的单层螺旋电感比较的结果表明 ,多层螺旋并联可以提高电感的等效厚度从而减小电阻损耗 ;多层螺旋串联则可以在相同面积下提高电感值 ,但由于导体间耦合电容的增大 ,最大品质因素 ( Q值 )出现在较低频率 ,自谐振频率也降低(本文来源于《上海交通大学学报》期刊2003年03期）
刘畅[2]（2002）在《硅集成电感及CMOS射频集成电路研究》一文中研究指出快速增长的无线通信市场的巨大需求也造成了对射频集成电路的需求。近年来，随着特征尺寸的不断减小，深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50GHz以上，使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟电路成为可能。最近几年，世界各国的研究人员在CMOS射频集成电路的设计和制作方面进行了大量的研究，使CMOS射频集成电路的性能不断得到提高。 在无线通信技术对CMOS射频集成电路需求的大背景下，本论文在大量深入调研的基础上，围绕射频集成电路中必不可少的、有多种应用的无源器件—硅集成电感及其相关的CMOS射频集成单元电路，先后在上海冶金所微电子分部工艺线上及利用上海市科委的多目标芯片项目(MPW)在无锡华晶上华半导体有限公司进行了大量的实验研究，得到了一些新的结果。主要的研究工作和创新结果摘要如下： 1．在大量文献调研的基础上，总结了硅集成电感的研究现状与进展，详细介绍了硅集成电感的结构和模型，分析了集成电感Q值的含义，推导了平面螺旋型硅集成电感Q值的表达式。归纳了提高硅集成电感Q值的各种方法，然后指明了硅集成电感在射频集成电路中的应用。 2．建立了集成电感的传输线模型，并推导了集成电感模型参数提取的方法，建立了集成电感的寄生参数方程。设计和制备了一组常规平面螺旋电感，并测量了其S参数，研究了电感量，Q值的计算方法，计算了常规平面螺旋电感的各种参量，对实验结果进行了详细的分析和研究。得出了一些有用的结论如平面螺旋电感的Q值随着圈数N的增加而减小；电感量与圈数N的平方成正比；高频时，圈数越多，串联电阻的趋肤效应越厉害，阻值越大等。这些分析和结论对集成电感的设计有重要的指导意义。 3．提出了一种新的方法来减小硅衬底损耗提高集成电感的Q值：在硅衬底形成间隔的pn结隔离以阻止涡流减少损耗，这种方法工艺简单且与常规硅集成电路工艺兼容。设计了实验来验证这一思想，成功制备了带衬底结隔离的平面螺旋型电感，并测试和提取了其参数。结果表明这种方法是可行的， ＆B一 一定深度的衬底pn结隔离能有效的使Q值提高。 4．提出了一种新型的常规工艺实现的硅集成电感——螺线管型集成电感。 用标准硅工艺设计和制备了这种新型结构的集成电感，实验证明，这种新型 的集成电感是有效果的，并可与常规平面螺旋型集成电感比拟。通过实验详 细研究了螺线管型集成电感的各种参数对Q值、电感量等的影响，得到的主 要结论有：增加螺线管型集成电感的金属线宽度W可使其Q值、电感量显着 提高；螺线管型集成电感的电感量与其圈数N成正比等。我们提出的这种新 型的集成电感，结构上不同于常规平面螺旋型集成电感，为射频电路设计者 设计集成电感时提供了一种选择。 5．总结了CMOS射频前端芯片和单元集成电路以及其它射频无源元件的研 究现状与进展。研究了射频 CMOS模型和性质，并对 0．6 n m nMOS晶体管做 了直流特性和fT特性的仿真研究。 6．在国内首次研究CMOS分布放大器，用HP－ADS软件对分布放大器做了仿 真设计，用场分析软件ASITIC设计了平面螺旋型集成电感，最后确定了4级 CMOS分布放大器的电路结构和器件参数。利用无锡华晶上华半导体有限公司 的双层多晶双层金属布线的 0．6 11m CMOSI艺流片制作了我们设计的电路， 最后在南京信息产业部第十四研究所进行了电路的S参数测试。(本文来源于《中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）》期刊2002-05-01）
刘畅,陈学良,严金龙[3]（2002）在《一种提高硅集成电感Q值的方法》一文中研究指出设计和制作了硅集成电感,采用常规的硅工艺,在衬底形成间隔的pn结隔离来减少硅衬底的涡流损耗。实验测量了硅集成电感的S参数并研究了衬底结隔离对硅集成电感的电感量和品质因素(Q)的影响。结果表明一定深度的衬底结隔离能有效地使电感Q值提高40%。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2002年01期）
硅集成电感论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
快速增长的无线通信市场的巨大需求也造成了对射频集成电路的需求。近年来，随着特征尺寸的不断减小，深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50GHz以上，使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟电路成为可能。最近几年，世界各国的研究人员在CMOS射频集成电路的设计和制作方面进行了大量的研究，使CMOS射频集成电路的性能不断得到提高。 在无线通信技术对CMOS射频集成电路需求的大背景下，本论文在大量深入调研的基础上，围绕射频集成电路中必不可少的、有多种应用的无源器件—硅集成电感及其相关的CMOS射频集成单元电路，先后在上海冶金所微电子分部工艺线上及利用上海市科委的多目标芯片项目(MPW)在无锡华晶上华半导体有限公司进行了大量的实验研究，得到了一些新的结果。主要的研究工作和创新结果摘要如下： 1．在大量文献调研的基础上，总结了硅集成电感的研究现状与进展，详细介绍了硅集成电感的结构和模型，分析了集成电感Q值的含义，推导了平面螺旋型硅集成电感Q值的表达式。归纳了提高硅集成电感Q值的各种方法，然后指明了硅集成电感在射频集成电路中的应用。 2．建立了集成电感的传输线模型，并推导了集成电感模型参数提取的方法，建立了集成电感的寄生参数方程。设计和制备了一组常规平面螺旋电感，并测量了其S参数，研究了电感量，Q值的计算方法，计算了常规平面螺旋电感的各种参量，对实验结果进行了详细的分析和研究。得出了一些有用的结论如平面螺旋电感的Q值随着圈数N的增加而减小；电感量与圈数N的平方成正比；高频时，圈数越多，串联电阻的趋肤效应越厉害，阻值越大等。这些分析和结论对集成电感的设计有重要的指导意义。 3．提出了一种新的方法来减小硅衬底损耗提高集成电感的Q值：在硅衬底形成间隔的pn结隔离以阻止涡流减少损耗，这种方法工艺简单且与常规硅集成电路工艺兼容。设计了实验来验证这一思想，成功制备了带衬底结隔离的平面螺旋型电感，并测试和提取了其参数。结果表明这种方法是可行的， ＆B一 一定深度的衬底pn结隔离能有效的使Q值提高。 4．提出了一种新型的常规工艺实现的硅集成电感——螺线管型集成电感。 用标准硅工艺设计和制备了这种新型结构的集成电感，实验证明，这种新型 的集成电感是有效果的，并可与常规平面螺旋型集成电感比拟。通过实验详 细研究了螺线管型集成电感的各种参数对Q值、电感量等的影响，得到的主 要结论有：增加螺线管型集成电感的金属线宽度W可使其Q值、电感量显着 提高；螺线管型集成电感的电感量与其圈数N成正比等。我们提出的这种新 型的集成电感，结构上不同于常规平面螺旋型集成电感，为射频电路设计者 设计集成电感时提供了一种选择。 5．总结了CMOS射频前端芯片和单元集成电路以及其它射频无源元件的研 究现状与进展。研究了射频 CMOS模型和性质，并对 0．6 n m nMOS晶体管做 了直流特性和fT特性的仿真研究。 6．在国内首次研究CMOS分布放大器，用HP－ADS软件对分布放大器做了仿 真设计，用场分析软件ASITIC设计了平面螺旋型集成电感，最后确定了4级 CMOS分布放大器的电路结构和器件参数。利用无锡华晶上华半导体有限公司 的双层多晶双层金属布线的 0．6 11m CMOSI艺流片制作了我们设计的电路， 最后在南京信息产业部第十四研究所进行了电路的S参数测试。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅集成电感论文参考文献
[1].姜祁峰,李征帆.硅集成电路多层结构螺旋电感的建模和分析[J].上海交通大学学报.2003
[2].刘畅.硅集成电感及CMOS射频集成电路研究[D].中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）.2002
[3].刘畅,陈学良,严金龙.一种提高硅集成电感Q值的方法[J].功能材料与器件学报.2002