导读:本文包含了碳化硅肖特基二极管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:碳化硅,肖特基,终端,电机,空场,半导体,可靠性。
碳化硅肖特基二极管论文文献综述
[1]（2019）在《Littelfuse将于2019年APEC大会上推出650V碳化硅肖特基二极管该二极管提供新的封装尺寸以及6A至40A的额定电流》一文中研究指出Littelfuse,Inc.近日宣布推出两款二极管,进一步扩大了其二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅肖特基二极管系列。相比传统的硅基器件,两个系列均为电力电子系统设计人员提供多种优势,包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175°C最高运行结温,因此是需要增强效率、可靠性与(本文来源于《半导体信息》期刊2019年02期）
[2]（2019）在《叁菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管》一文中研究指出近日,叁菱电机株式会社发布了1200V碳化硅肖特基二极管产品,该产品有利于降低太阳能发电系统、EV充电器等系统的损耗和体积。预计将于2019年6月提供样品,2020年1月开始发售。本产品将在"TECHNO-FRONTIER 2019-MOTORTECHJAPAN-"(4月17日～19日于日本幕张举行),"PCIM Europe 2019展"(5月7～9日于德国纽(本文来源于《半导体信息》期刊2019年02期）
[3]（2019）在《叁菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管》一文中研究指出早在20世纪90年代,叁菱电机便开始了对碳化硅材料的研究。自2010年起,叁菱电机陆续推出了搭载SiC-SBD[2]、SiC-MOSFET[6]的SiC功率半导体模块,广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等,为降低家电及工业机械的耗电量,缩小其体积和重量做出了贡献。近日,叁菱电机株式会社发布了1200V碳化硅肖特基二极管产品,该产品有利于降低太阳能发电系统、EV充电器等系统的损耗和体积。预计将于2019年6月提供样品,2020年1月开始发售。(本文来源于《变频器世界》期刊2019年04期）
[4]（2018）在《Littelfuse推出五款GEN2碳化硅(SiC)肖特基二极管降低能源成本和空间要求》一文中研究指出Littelfuse公司新推出五款GEN2系列1200V3LTO-247肖特基二极管和叁款GEN2系列1200V2LTO-263肖特基二极管,扩充其碳化硅电源半导体产品组合。相比硅二极管,GEN2碳化硅肖特基二极管可显着降低开关损耗,并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。本次产品发布于纽伦堡举行的PCIM2018欧洲展会期间举办。碳化硅技术的高效性为电动汽车充电器、数据中心电源和可再生能源系统的设计师提供了多重优势。由于GEN2碳化硅肖特基二极管相比许多其他解决(本文来源于《半导体信息》期刊2018年04期）
仲雪倩[5]（2018）在《碳化硅超级结肖特基二极管的研究》一文中研究指出碳化硅(SiC)作为第叁代宽禁带半导体材料的典型代表,具有宽禁带宽度、高临界击穿场强、高热导率及高载流子饱和速率等特性。上述材料优势使得SiC功率半导体器件在新能源发电、高铁牵引设备、混合动力汽车等中高耐压等级应用领域具有广阔的发展前景。SiC器件优化进步的重要方向之一是不断降低器件的比导通电阻(Ron,sp)。尽管在过去近叁十年里,经过学术界和产业界科研团队的不懈努力,已经开发出了 一系列正向导通性能优良的SiC器件,但仍未从根本上打破SiC单极型器件理论一维极限的限制。对于1～15kV中高电压等级的SiC单极型器件而言,降低其比导通电阻的本质,就是降低其漂移区比导通电阻。而超级结技术毫无疑问是降低漂移区比导通电阻的最有效手段。硅基超级结器件的两种成熟技术路线,多次外延技术和沟槽刻蚀-外延回填技术,均因为工艺不完善、成本较高等原因未能在SiC材料中得到成功应用。本论文提出了一种基于SiC深槽刻蚀及离子注入方法的技术路线,对SiC超级结二极管器件开展了系统的理论研究和实验探索,具体包括:1)SiC超级结肖特基二极管的工作机理、参数设计和结构优化研究;2)SiC超级结肖特基二极管的关键工艺开发和研究;3)SiC超级结肖特基二极管的整体流片及器件制备;4)SiC超级结肖特基二极管器件的性能测试和表征。本论文的主要工作具有以下创新之处:本论文提出了一种基于SiC深槽结构、并采用倾斜离子注入的方式引入异型杂质离子以达到超级结器件电荷平衡的技术路线。在该技术路线中,器件耐压等级通过增加沟槽刻蚀深度而提升,避免了通过多次外延增加超级结结构纵向深度的技术障碍;相比于难度较大的外延回填技术,补偿型杂质可以通过离子注入的方式较为方便地引入器件漂移区。该技术路线为SiC超级结器件的早期实验探索,提供了现阶段最为有效而可行的发展路径。本论文对沟槽型SiC超级结器件进行了全面的结构设计研究,揭示了关键结构参数对器件电学性能的影响机理,并提出了一种使用退火温度调控电荷补偿程度的方法。本论文系统地研究了注入区电荷浓度、SiC台面宽度、SiC沟槽深度、侧壁倾斜角度等关键结构参数对器件反向阻断及正向导通性能的影响机理,从理论上证明了深槽刻蚀-侧壁离子注入路线制备的SiC超级结二极管器件能够实现对“SiC一维极限”的大幅度突破。同时,本工作提出一种注入区电荷浓度优化设计的实现方法,即通过调整退火温度来调整注入离子的激活程度,从而调控超级结电荷补偿程度。实验结果证明,该方法以较小的实验成本,较好地击中了仿真设计的超级结电荷平衡点。本论文提出了针对沟槽型SiC超级结器件的高深宽比、高密度的SiC深沟槽结构的刻蚀工艺优化方法。在探明微沟槽、角落凸起、侧壁粗糙等沟槽形貌缺陷对超级结器件电学特性的影响机理的基础上,本论文开展大量刻蚀工艺实验,通过掩膜工艺和ICP干法刻蚀工艺的协同优化,得到了深度大于6μm、深宽比大于2:1的理想沟槽结构,同时完全消除了微沟槽,得到了有利于器件反向阻断性能的圆滑“碗状”底部形貌。基于以上创新点,在开展了大量理论研究和实验探索工作的基础上,本论文成功制备了国际上首颗具有完整功能的SiC超级结功率半导体器件—1.35kV SiC超级结肖特基二极管。该SiC SJ-SBD器件的比导通电阻低达0.92 mΩ·cm2,该结果成功打破了 SiC单极型器件的理论一维极限。作为深槽刻蚀-倾斜离子注入型SiC超级结器件的较早探索,本论文的研究成果将为更高电压、更大电流的SiC超级结器件及叁端超级结元件的发展提供有益的理论基础和实践借鉴。可以预见,本论文及其后续研究,将全面推进SiC功率器件正向导通电阻、导通电流密度、器件品质因数等核心指标的突破性提升,对进一步推动SiC器件在轨道交通、智能电网、电动汽车、新能源并网等重要领域中的广泛应用具有至关重要的意义。(本文来源于《浙江大学》期刊2018-07-04）
[6]（2018）在《Littelfuse碳化硅(SiC)肖特基二极管降低能源成本和空间要求》一文中研究指出提高电源转换效率可为数据中心、电动车充电器和可再生能源系统削减成本Littelfuse公司,今天宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二极管和叁款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二极管,扩充其碳化硅电源半导体产品组合。相比硅二极管,GEN2碳化硅肖特基二极管可显着降低开关损耗,并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。本次产品发布于纽伦堡举行的PCIM 2018欧(本文来源于《世界电子元器件》期刊2018年06期）
汪玲,黄润华,刘奥,陈刚,柏松[7]（2016）在《1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计》一文中研究指出设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2016年03期）
李博[8]（2014）在《JTE终端碳化硅肖特基势垒二极管的设计与实验》一文中研究指出4H-SiC材料具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高和电子饱和漂移速度高的优越物理化学特性,适合制作高压、大功率、抗辐照、耐高温的半导体功率器件。4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)具有导通电阻低、开关特性好等优势,在电力电子领域得到了广泛的应用。高效的终端结构、合理的工艺流程是实现高电压等级SiC SBD的关键因素。在众多的终端结构中,结终端扩展(JTE)以其终端效率高、占用面积小、工艺上易于实现等优势成为制作高压功率器件的首选。实验流片了1700V等级4H-SiC材料制备的SBD,终端结构分别采用场板(FP)终端、结终端扩展(JTE)以及两者结合的复合终端,测试了各终端下器件的正反向特性,评估了所制作器件的性能;通过统计分析验证了FP+JTE复合终端比单独JTE终端在工艺稳定度上的优越性;同时也设计了验证JTE终端长度对击穿电压影响的对比实验,验证了JTE长度的饱和规律。首先,在理论仿真部分,基于1700V等级SBD外延参数的设计,使用Sentaurus软件仿真研究了采用FP终端、JTE终端及FP+JTE复合终端SBD的反向击穿特性;接着,从实际流片的角度出发,结合Trim软件仿真设计了两次离子注入实现JTE终端的所需的离子注入能量和剂量;然后设计了完整的工艺流程,绘制了版图,在版图中分别设计了无终端、FP终端、JTE终端、FP+JTE复合终端的器件以及测试CV的器件图形,同时为了验证JTE终端长度的影响,对于JTE终端设计了长度为20μm,40μm,60μm,80μm,100μm的五组实验;接着进行了完整的流片,流片过程中对关键工艺进行了监控并记录工艺参数;最后,测试了所制作器件的正反向特性,根据测试的正向IV特性提取了器件的开启电压、理想因子、势垒高度、比导通电阻等参数;根据测试的反向IV特性评估了器件的反向性能;根据JTE终端及复合终端在不同电压区间的统计分布结果评估了不同终端的总体器件性能以及工艺稳定性。测试结果显示所制作器件反向击穿特性偏离了预期值,根据离子注入后SIMS测试结果提取实际的注入能量和剂量,重新仿真了器件的反向特性,分析得出器件反向特性偏离预期值的最可能原因是离子注入能量和剂量的偏差,同时也不排除激活退火效果未达预期以及界面电荷对器件性能的影响。尽管如此,在JTE长度对击穿电压的影响方面,仿真结果与实验测试结果具有一致性,JTE长度具有饱和性的规律得到了实验验证。总体来看,本次实验流片验证了所设计JTE终端的有效性和JTE长度的饱和性规律,并验证了复合终端比单纯JTE终端在实际工艺稳定性方面的优势,同时,在各个工艺步骤上积累了工艺经验,能为下一次流片提供有价值的参考。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2014-11-01）
周建民[9]（2014）在《国产碳化硅肖特基二极管研制与量产》一文中研究指出自晶闸管和功率晶体管问世和应用以来,硅半导体器件在功率处理能力和开关频率方面不断改善,先后诞生了GTR、GTO、MOSFET和IGBT等现代电力电子器件,对电力电子系统缩小体积、降低成本起到了极其关键的作用。硅电力电子器件经过近60年的发展,性能已经趋近其理论极限,通过器件原理的创新、结构的改善及制造工艺的进步已经难以大幅度的提升其总体性能,制约未来电力电子技术进一步发展。碳化硅肖特基功率器件以其优良特性和结构与制造工艺优势成功实现了商业化。(本文来源于《集成电路应用》期刊2014年09期）
[10]（2014）在《英飞凌推出第五代1200 V thinQ!~(TM)碳化硅肖特基二极管》一文中研究指出2014年6月英飞凌科技股份公司推出第五代1 200 V thinQ!TM碳化硅肖特基二极管。在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,且散热性能良好。该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、叁相SMPS(开关电源)和电机驱动等应用中提高效率,且可(本文来源于《半导体技术》期刊2014年08期）
碳化硅肖特基二极管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近日,叁菱电机株式会社发布了1200V碳化硅肖特基二极管产品,该产品有利于降低太阳能发电系统、EV充电器等系统的损耗和体积。预计将于2019年6月提供样品,2020年1月开始发售。本产品将在"TECHNO-FRONTIER 2019-MOTORTECHJAPAN-"(4月17日～19日于日本幕张举行),"PCIM Europe 2019展"(5月7～9日于德国纽
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
碳化硅肖特基二极管论文参考文献
[1]..Littelfuse将于2019年APEC大会上推出650V碳化硅肖特基二极管该二极管提供新的封装尺寸以及6A至40A的额定电流[J].半导体信息.2019
[2]..叁菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管[J].半导体信息.2019
[3]..叁菱电机全新发布1200V碳化硅肖特基二极管[J].变频器世界.2019
[4]..Littelfuse推出五款GEN2碳化硅(SiC)肖特基二极管降低能源成本和空间要求[J].半导体信息.2018
[5].仲雪倩.碳化硅超级结肖特基二极管的研究[D].浙江大学.2018
[6]..Littelfuse碳化硅(SiC)肖特基二极管降低能源成本和空间要求[J].世界电子元器件.2018
[7].汪玲,黄润华,刘奥,陈刚,柏松.1200V40A碳化硅肖特基二极管设计[J].固体电子学研究与进展.2016
[8].李博.JTE终端碳化硅肖特基势垒二极管的设计与实验[D].西安电子科技大学.2014
[9].周建民.国产碳化硅肖特基二极管研制与量产[J].集成电路应用.2014
[10]..英飞凌推出第五代1200VthinQ!~(TM)碳化硅肖特基二极管[J].半导体技术.2014
论文知识图
