导读:本文包含了基片偏压论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:偏压,磁控溅射,等离子体,离子,氮化,脉冲,涂层。
基片偏压论文文献综述
王璐,金永中,林修洲,陈昌浩[1]（2017）在《基片偏压占空比对多弧离子镀TiAlSiN涂层形貌及力学性能的影响》一文中研究指出目的采用多弧离子镀膜技术在硬质合金基体表面沉积TiAlSiN涂层,研究占空比参数对TiAlSiN涂层的表面形貌和力学性能的影响。方法使用扫描电子显微镜对涂层的形貌进行观察,使用自动划痕仪、纳米压痕仪对涂层的力学性能进行检测。结果占空比在10%~70%范围内增加,离子轰击得到加强,涂层表面得到很好的改善,大颗粒与微坑缺陷数量逐渐减少。当占空比增大到90%时,大颗粒和微坑缺陷数量反而增多。结论随着占空比的增加,纳米硬度、弹性模量和涂层结合力均先增大后减小,占空比为50%时,分别达到最大值48.15 GPa、518.24 GPa、50.55 N。(本文来源于《表面技术》期刊2017年11期）
李义锋,佘建民,苏静杰,唐伟忠,李效民[2]（2015）在《偏压加强MPCVD法Ir(100)/MgO(100)基片上金刚石异质外延形核》一文中研究指出利用自行研制的可调谐圆柱谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置的结构优势,设计了电极可调节的偏压加强MPCVD装置。采用脉冲激光沉积(PLD)法制备了Ir(100)/MgO(100)基片。采用偏压加强MPCVD装置进行了金刚石异质外延形核的探索,在Ir(100)/MgO(100)基片上实现了金刚石异质外延形核。扫描电镜结果显示,[100]取向的金字塔状外延金刚石晶粒的形核密度达108~109cm-2。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2015年04期）
李忠厚,宫学博,郭腾腾,马芹芹,杨迪[3]（2015）在《基片偏压改变对镁合金Ti/TiN膜质量的影响》一文中研究指出目的探讨基片偏压对镁合金Ti/TiN膜层质量的影响。方法利用多弧离子镀技术,在不同偏压条件下,对镁合金先镀Ti再镀TiN,通过SEM观察膜层形貌,通过划痕测定膜基结合性能,通过电化学工作站对比AZ31镁合金与不同偏压镀膜试样的耐蚀性。结果偏压为200V时,TiN膜层致密均匀且成膜速度快,膜层耐蚀性最好;偏压为200V时,基体结合最好且膜层较厚,有较好的耐蚀性。结论镀Ti膜时的偏压对随后镀TiN的质量有着显着的影响,以200V偏压的工艺镀TiN膜层质量最好,膜层致密,成膜速度快,耐蚀性优良。(本文来源于《表面技术》期刊2015年01期）
谷文翠,李寿德,王怀勇,陈春立,李朋[4]（2014）在《基片偏压对磁控溅射制备TiB_2涂层结构及性能的影响》一文中研究指出为了提高TiB2涂层的致密性,采用磁控溅射技术,通过改变基片偏压,获得了floating,-30V,-90V叁种偏压状态的涂层。利用XRD,SEM、纳米压痕仪、Vickers显微硬度仪和摩擦磨损试验机对涂层的结构和性能进行了分析。结果表明:所有制备涂层只存在六方结构TiB2相,偏压为floating状态时制备的涂层表现出疏松的柱状生长结构,硬度为15GPa。随偏压增大,涂层柱状结构变致密甚至消失,硬度和耐磨损性能都得到提高。偏压-30V提高到-90V,相对于floating状态制备的涂层,晶粒尺寸增加了一倍,达到21nm;柱状结构变致密最终消除;硬度从35.5GPa提高到61.9GPa,实现了超硬;同时耐磨损性能提高,使用摩擦副为直径6mm的Al2O3球进行干摩擦实验时,-90V制备的涂层磨损率为5.6×10-16m3/Nm,相对于-30V涂层降低了一个数量级。(本文来源于《航空材料学报》期刊2014年05期）
王会强,邢艳秋,孙维连,董婷婷,孙铂[5]（2014）在《磁控溅射基片负偏压对Ti/TiN复合纳米薄膜择优取向的影响》一文中研究指出采用中频反应磁控溅射技术,以高纯Ti(99.99%)为靶材,以高纯氮气(99.99%)为反应气体,在铝合金基片上沉积Ti/TiN复合纳米膜层。通过XRD、SEM、EDS等分析Ti/TiN复合纳米膜层微观组织和物相结构,研究基片负偏压对Ti/TiN复合纳米薄膜择优取向生长的影响。研究表明,将片加上-150 V负偏压时,Ti/TiN薄膜优先沿(111)面生长;将基片加上-200 V负偏压时,Ti/TiN薄膜优先沿(220)面生长;将基片加上-350 V负偏压时,Ti/TiN薄膜优先沿(200)面生长。继续增大基片负偏压时,由于薄膜中Ar离子浓度大幅增长,高能离子长时间轰击破坏晶粒取向性,使薄膜呈无择优取向。(本文来源于《材料热处理学报》期刊2014年04期）
吴忠振,田修波,巩春志,杨士勤[6]（2013）在《基片偏压模式对高功率脉冲磁控溅射CrN薄膜结构及成分影响研究》一文中研究指出针对高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)的缺点,结合沉积技术(PBII&D)技术,提出了一种新的处理方法——高功率脉冲磁控放电等离子体离子注入与沉积技术(HPPMS-PIID)。本实验采用该技术在不锈钢基体上制备了CrN薄膜,分别采用3种偏压模式:无偏压、–100V直流偏压和–15kV脉冲偏压,对比研究了CrN薄膜形貌、结构、成分及性能发生的变化。结果表明:该方法制备的薄膜表面平整、晶粒排列致密,呈不连续的柱状晶生长。相结构单一,主要是CrN(200)相。由于负高压脉冲将大部分进入鞘层的离子都吸引到工件沉积,薄膜沉积速率得到较大提高。另外强烈的高能离子的注入与轰击,使得薄膜的结合力高达57.7N。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2013年02期）
张敏,胡小刚,杨晓旭,徐菲菲,金光浩[7]（2012）在《基片偏压对电弧离子镀ZrN薄膜微结构和表面形貌的影响(英文)》一文中研究指出在不同的基片偏压下利用电弧离子镀技术制备氮化锆薄膜,以考察基片偏压对氮化锆薄膜微结构和表面形貌的影响。利用XRD、EPMA和FE-SEM等技术对不同偏压时得到ZrN薄膜的相结构、成分和表面形貌进行表征。结果表明,薄膜中存在立方氮化锆和六方纯锆相;随着基片偏压的增大,薄膜的择优取向由(111)变为(200),最后变为(111),晶粒尺寸由30nm减小至15nm。同时发现,随着基片偏压的增大,薄膜微结构由明显的柱状特征变为致密的等轴晶特征,表明由偏压增强的离子轰击能有效抑制柱状晶生长;薄膜沉积速率和锆氮摩尔比随着基片偏压的增大先增大后减小,在-50V时达到最大。(本文来源于《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》期刊2012年S1期）
韩亮,张涛,刘德连,何亮[8]（2012）在《基片偏压对ta-C薄膜结构和摩擦因数的影响》一文中研究指出利用磁过滤阴极电弧技术,通过改变基片负偏压(0～500 V)制备四面体非晶碳(ta-C)薄膜,研究基片负偏压对ta-C薄膜结构和摩擦因数的影响。研究表明,基片负偏压对ta-C薄膜的sp3键含量有很大影响,当负偏压为200 V时,ta-C薄膜的sp3键含量为85%。在0～200 V范围内随着基片偏压的增大,表面粗糙度逐渐减小,在负偏压为200 V时,薄膜表面粗糙度最小,为0.18 nm左右;当负偏压超过200 V后,由于薄膜中石墨相增多,薄膜表面粗糙度将增大。随着基片偏压的逐渐增大,由于薄膜表面粗糙度的减小和在摩擦中石墨相自润滑层的形成,薄膜的摩擦因数大大降低,耐磨性提高。(本文来源于《润滑与密封》期刊2012年10期）
王庆富,张鹏程,陈林,刘清和,郎定木[9]（2009）在《基片偏压与氩分压对铀表面铝镀层结构与界面特性的影响》一文中研究指出采用磁控溅射离子镀技术在贫铀表面以不同基片偏压与不同氩分压制备铝镀层,利用扫描电镜分析了镀层的表面和界面形貌,利用俄歇电子能谱仪分析了界面元素分布,利用透射电镜分析了镀层的微观结构。结果表明:铀表面脉冲偏压所得铝镀层较直流偏压所得镀层致密,脉冲偏压在-500～-1000V范围内镀层的致密性较好。铀表面脉冲偏压铝镀层与铀基体之间界面结合紧密,且存在"伪扩散层";随着脉冲偏压的提高,"伪扩散层"增宽。铝镀层为柱状结构,降低工作氩分压,可以细化铝镀层的晶粒,提高镀层的致密性。(本文来源于《真空》期刊2009年01期）
霍伟刚,杨艳,刘成森,丁振峰[10]（2008）在《射频感应耦合等离子体调谐基片自偏压特性的进一步研究》一文中研究指出在已有的调谐基片自偏压研究的基础上,进一步研究了基片台空间轴向位置对基片自偏压-调谐电容曲线的影响;研究了基片分支串联电阻对基片自偏压的影响,发现了在电阻值区自偏压自振荡现象;在不同的放电参数下,采用自制诊断工具测量了射频感应耦合等离子体电子温度、电子密度等参量的空间分布.并对基片自偏压相应的实验现象给出了物理模型解释.(本文来源于《辽宁师范大学学报(自然科学版)》期刊2008年02期）
基片偏压论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用自行研制的可调谐圆柱谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置的结构优势,设计了电极可调节的偏压加强MPCVD装置。采用脉冲激光沉积(PLD)法制备了Ir(100)/MgO(100)基片。采用偏压加强MPCVD装置进行了金刚石异质外延形核的探索,在Ir(100)/MgO(100)基片上实现了金刚石异质外延形核。扫描电镜结果显示,[100]取向的金字塔状外延金刚石晶粒的形核密度达108~109cm-2。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
基片偏压论文参考文献
[1].王璐,金永中,林修洲,陈昌浩.基片偏压占空比对多弧离子镀TiAlSiN涂层形貌及力学性能的影响[J].表面技术.2017
[2].李义锋,佘建民,苏静杰,唐伟忠,李效民.偏压加强MPCVD法Ir(100)/MgO(100)基片上金刚石异质外延形核[J].人工晶体学报.2015
[3].李忠厚,宫学博,郭腾腾,马芹芹,杨迪.基片偏压改变对镁合金Ti/TiN膜质量的影响[J].表面技术.2015
[4].谷文翠,李寿德,王怀勇,陈春立,李朋.基片偏压对磁控溅射制备TiB_2涂层结构及性能的影响[J].航空材料学报.2014
[5].王会强,邢艳秋,孙维连,董婷婷,孙铂.磁控溅射基片负偏压对Ti/TiN复合纳米薄膜择优取向的影响[J].材料热处理学报.2014
[6].吴忠振,田修波,巩春志,杨士勤.基片偏压模式对高功率脉冲磁控溅射CrN薄膜结构及成分影响研究[J].稀有金属材料与工程.2013
[7].张敏,胡小刚,杨晓旭,徐菲菲,金光浩.基片偏压对电弧离子镀ZrN薄膜微结构和表面形貌的影响(英文)[J].TransactionsofNonferrousMetalsSocietyofChina.2012
[8].韩亮,张涛,刘德连,何亮.基片偏压对ta-C薄膜结构和摩擦因数的影响[J].润滑与密封.2012
[9].王庆富,张鹏程,陈林,刘清和,郎定木.基片偏压与氩分压对铀表面铝镀层结构与界面特性的影响[J].真空.2009
[10].霍伟刚,杨艳,刘成森,丁振峰.射频感应耦合等离子体调谐基片自偏压特性的进一步研究[J].辽宁师范大学学报(自然科学版).2008
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