氧空位对ZnO基(110)二维膜材料电子结构的影响研究

氧空位对ZnO基(110)二维膜材料电子结构的影响研究

论文摘要

在密度泛函理论方法的基础上,系统研究了本征氧化锌和氧空位氧化锌的(110)二维膜材料的形成和电子结构性质.计算分析结果表明,ZnO的本征(110)二维膜比氧空位的(110)二维膜稳定性高,ZnO的(110)二维膜有失去氧的倾向.本征ZnO的(110)膜为直接带隙型材料,带隙宽度为2.3 eV,氧空位(110)膜为间接带隙型材料,带隙宽度为1.877 eV.氧空位的(110)膜导带向下移动,并且导带中的能级简并化.氧空位(110)膜材料的导带底能级有2个能谷,分别位于1.877 eV和1.88 eV,这些位置的能级有效质量比本征膜大幅度增大,这些位置的电子速度普遍较低. ZnO的(110)膜产生氧空位之后,Zn的s电子参与形成其价带顶能级.氧空位(110)膜材料中Zn-O键的混合型结合倾向增大.

论文目录

  • 1 引 言
  • 2 计算模型与过程
  • 3 结果与讨论
  • 4 结 论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 李凡生,余小英,房慧,黄灿胜,王如志

    关键词: 二维膜,氧空位,电子结构

    来源: 原子与分子物理学报 2019年06期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

    专业: 无机化工,材料科学

    单位: 广西民族师范学院物理与电子工程学院,北京工业大学材料科学与工程学院

    基金: 国家自然科学基金(11347141),广西民族师范学院科研基金(2018YB002)

    分类号: TQ132.41;TB383.1

    页码: 1045-1051

    总页数: 7

    文件大小: 3106K

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