论文摘要
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统地研究了带缺陷的二维类石墨烯结构的ZnO（graphenelike-ZnO,g-ZnO）的几何结构、电子结构、磁性性质和吸收光谱性质.研究的缺陷类型包括锌原子空位（VZng-ZnO）、氧原子空位（VOg-ZnO）、氮原子取代氧原子（NOg-ZnO）和表面吸附氮原子（N@g-ZnO）.研究发现:NOg-ZnO体系和N@g-ZnO体系形变较小,而空位体系会引入较大的形变;g-ZnO本身无磁矩,引入Zn空位后,VZng-ZnO体系总磁矩为2.00μB;VOg-ZnO体系无磁矩,但N掺杂后的NOg-ZnO体系和氮吸附的N@g-ZnO体系的总磁矩分别为1.00μB和3.00μB.利用掺杂体系的局域对称性和分子轨道理论分析了杂质能级和磁矩的产生原因,并且通过分析光吸收曲线得知,引入空位缺陷或者N原子掺杂,可以有效增强g-ZnO单层材料的光吸收性能.研究结果对系统地理解g-ZnO及其缺陷模型的性质有重要意义,可以为发展基于g-ZnO的纳米电子器件和光催化应用提供理论参考.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 黄炳铨,周铁戈,吴道雄,张召富,李百奎
关键词: 二维材料,缺陷,分子轨道理论,第一性原理计算
来源: 物理学报 2019年24期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 物理学,无机化工
单位: 深圳大学物理与光电工程学院,南开大学电子信息与光学工程学院,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心,剑桥大学工程系
基金: 国家自然科学基金(批准号:61604098),中央高校基本科研业务费专项(批准号:63191740)资助的课题~~
分类号: O469;TQ132.41
页码: 252-260
总页数: 9
文件大小: 2180K
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