靶基距对ZnMgO:Ti透明导电薄膜性能的影响

论文摘要

采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnMgO∶Ti透明导电薄膜。利用SEM、XRD、双光束紫外可见分光光度计和四探针法系统研究了靶基距对薄膜形貌及光电性能的影响。结果表明,靶基距对Zn MgO∶Ti薄膜光电特性有较大影响。随着靶基距的增加,电阻率先减小后增加,在靶基距为50 mm时薄膜电阻率达到最小值6.44×10-4Ω·cm;靶基距对薄膜的光透过率影响不大,所制备薄膜在400～900 nm范围内的平均透射率均达到92%,但随着靶基距的增加,光学吸收边界向短波方向移动,出现了蓝移现象。不同靶基距下,带隙宽度也发生了变化。

论文目录

• 1 实验
•   1.1 样品制备
•   1.2 样品测试
• 2 结果与讨论
•   2.1 样品形貌、晶体结构分析
•   2.2 靶基距对薄膜电学特性的影响
•   2.3 靶基距对薄膜光学特性的影响
• 3 结束语

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 孙艳,倪庆宝,张化福,刘云燕,刘汉法

关键词: 透明导电薄膜,磁控溅射,靶基距,光电性能

来源: 山东理工大学学报(自然科学版) 2019年03期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 山东理工大学物理与光电工程学院

基金: 山东省自然科学基金项目(ZR2014EL002)

分类号: TB383.2

DOI: 10.13367/j.cnki.sdgc.2019.03.008

页码: 43-46

总页数: 4

文件大小: 1310K

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