全文摘要
本实用新型公开了一种矽晶片平整度检测装置，立梁固定于基板的其中一侧边，旋转电机安装于基板的上部，吸附盘安装于旋转电机的输出端，控制器安装于立梁的上端，多个激光测距传感器间隔分布设置于立梁的下部，吸附盘通过连接管连通于负压泵，负压泵、旋转电机和多个激光测距传感器均电连接于所述控制器。本实用新型有益效果：本实用新型旋转电机用于旋转吸附盘，负压泵为吸附盘提供负压力用于吸住矽晶片，激光测距传感器用于检测激光测距传感器至矽晶片间的距离，通过不同激光测距传感器至矽晶片之间的距离是否相同分析矽晶片是否平整，控制器控制旋转电机、负压泵和多个激光测距传感器工作，提高工作效率和效果。
主设计要求
1.一种矽晶片平整度检测装置，其特征在于：包括基板(1)、旋转电机(3)、立梁(2)、控制器(5)、吸附盘(7)、负压泵(9)和多个激光测距传感器(4)，所述立梁(2)固定于所述基板(1)的其中一侧边，所述旋转电机(3)安装于所述基板(1)的上部，所述吸附盘(7)安装于所述旋转电机(3)的输出端，所述控制器(5)安装于所述立梁(2)的上端，多个所述激光测距传感器(4)间隔分布设置于所述立梁(2)的下部，所述吸附盘(7)通过连接管连通于所述负压泵(9)，所述负压泵(9)、旋转电机(3)和多个激光测距传感器(4)均电连接于所述控制器(5)。
设计方案
1.一种矽晶片平整度检测装置，其特征在于：包括基板(1)、旋转电机(3)、立梁(2)、控制器(5)、吸附盘(7)、负压泵(9)和多个激光测距传感器(4)，所述立梁(2)固定于所述基板(1)的其中一侧边，所述旋转电机(3)安装于所述基板(1)的上部，所述吸附盘(7)安装于所述旋转电机(3)的输出端，所述控制器(5)安装于所述立梁(2)的上端，多个所述激光测距传感器(4)间隔分布设置于所述立梁(2)的下部，所述吸附盘(7)通过连接管连通于所述负压泵(9)，所述负压泵(9)、旋转电机(3)和多个激光测距传感器(4)均电连接于所述控制器(5)。
2.如权利要求1所述的一种矽晶片平整度检测装置，其特征在于：所述控制器(5)设置的前端面设置有液晶触摸显示屏(6)。
3.如权利要求1所述的一种矽晶片平整度检测装置，其特征在于：所述负压泵(9)安装于所述基板(1)上。
4.如权利要求1所述的一种矽晶片平整度检测装置，其特征在于：所述吸附盘(7)的上端设置有吸板(8)。
5.如权利要求4所述的一种矽晶片平整度检测装置，其特征在于：所述吸板(8)采用橡胶材料制成。
6.如权利要求1所述的一种矽晶片平整度检测装置，其特征在于：所述激光测距传感器(4)设置有三个。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及电子元件技术领域,尤其是一种矽晶片平整度检测装置。
背景技术
矽晶片是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件，利用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力，科学技术的发展不断推动着半导体、自动化和计算机等技术的发展，硅片的应用非常广泛，涉及航空航天、工业、农业和国防等多个领域。
矽晶片的制作工艺复杂，对其质量要求较高，制作过程中需要研磨，即研磨完成后需要对矽晶片平整度进行检测，矽晶片表面不平整会影响矽晶片的加工质量。
因此，对于上述问题有必要提出一种矽晶片平整度检测装置。
实用新型内容
针对上述现有技术中存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种矽晶片平整度检测装置。
一种矽晶片平整度检测装置，包括基板、旋转电机、立梁、控制器、吸附盘、负压泵和多个激光测距传感器，所述立梁固定于所述基板的其中一侧边，所述旋转电机安装于所述基板的上部，所述吸附盘安装于所述旋转电机的输出端，所述控制器安装于所述立梁的上端，多个所述激光测距传感器间隔分布设置于所述立梁的下部，所述吸附盘通过连接管连通于所述负压泵，所述负压泵、旋转电机和多个激光测距传感器均电连接于所述控制器。
与现有技术相比，本实用新型有益效果：本实用新型设置有旋转电机、立梁、控制器、吸附盘、负压泵和多个激光测距传感器，旋转电机用于旋转吸附盘，负压泵为吸附盘提供负压力用于吸住矽晶片，激光测距传感器用于检测激光测距传感器至矽晶片间的距离，通过不同激光测距传感器至矽晶片之间的距离是否相同分析矽晶片是否平整，控制器控制旋转电机、负压泵和多个激光测距传感器工作，提高工作效率和效果。
优选地，所述控制器设置的前端面设置有液晶触摸显示屏。
采用优选地技术方案有益效果：液晶触摸显示屏可显示相关参数，另外可通过触摸屏输入指令。
优选地，所述负压泵安装于所述基板上。
优选地，所述吸附盘的上端设置有吸板，所述吸板采用橡胶材料制成。
采用优选地技术方案有益效果：吸板用于吸住矽晶片，橡胶材料弹性较好。
优选地，所述激光测距传感器设置有三个。
采用优选地技术方案有益效果：多个激光测距传感器可检测不同位置的距离，进而分析矽晶片的平整度。
附图说明
图1是本实用新型提供的矽晶片平整度检测装置结构图；
图2是本实用新型的俯视图。
图中附图标记：1、基板；2、立梁；3、旋转电机；4、激光测距传感器；5、控制器；6、液晶触摸显示屏；7、吸附盘；8、吸附板；9、负压泵；10、矽晶片。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
如图1并结合图2所示，一种矽晶片平整度检测装置，包括基板1、旋转电机3、立梁2、控制器5、吸附盘7、负压泵9和多个激光测距传感器4，所述立梁2固定于所述基板1的其中一侧边，所述旋转电机3安装于所述基板1的上部，所述吸附盘7安装于所述旋转电机3的输出端，所述控制器5安装于所述立梁2的上端，多个所述激光测距传感器4间隔分布设置于所述立梁2的下部，所述吸附盘7通过连接管连通于所述负压泵9，所述负压泵9、旋转电机3和多个激光测距传感器4均电连接于所述控制器5。
与现有技术相比，本实用新型有益效果：本实用新型设置有旋转电机3、立梁2、控制器5、吸附盘7、负压泵9和多个激光测距传感器4，旋转电机3用于旋转吸附盘7，负压泵9为吸附盘7提供负压力用于吸住矽晶片10，激光测距传感器4用于检测激光测距传感器4至矽晶片10间的距离，通过不同激光测距传感器4至矽晶片10之间的距离是否相同分析矽晶片10是否平整，控制器5控制旋转电机3、负压泵9和多个激光测距传感器4工作，提高工作效率和效果。
进一步的，所述控制器5设置的前端面设置有液晶触摸显示屏6。
采用进一步的技术方案有益效果：液晶触摸显示屏6可显示相关参数，另外可通过触摸屏输入指令。
进一步的，所述负压泵9安装于所述基板1上。
进一步的，所述吸附盘7的上端设置有吸板8，所述吸板8采用橡胶材料制成。
采用进一步的技术方案有益效果：吸板8用于吸住矽晶片，橡胶材料弹性较好。
进一步的，所述激光测距传感器4设置有三个。
采用进一步的技术方案有益效果：多个激光测距传感器4可检测不同位置的距离，进而分析矽晶片10的平整度。
其中激光测距传感器型号为RSDT-DLS-B-30，控制器的型号为AT42QT4120。
工作流程：将矽晶片10放置在吸附盘7,启动控制器5，激光测距传感器4对矽晶片10进行测距，并将相关数据A1反馈至控制器5；旋转电机3旋转90度，激光测距传感器4对矽晶片10进行测距，并将相关数据A2反馈至控制器，旋转电机3旋转90度，激光测距传感器4对矽晶片10进行测距，并将相关数据A3反馈至控制器5；旋转电机3旋转90度，激光测距传感器4对矽晶片10进行测距，并将相关数据A4反馈至控制器5；最后根据数据A1、A2、A3和A4是否相等来判断矽晶片10的平整度。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920120711.0
申请日:2019-01-23
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:44(广东)
授权编号:CN209246968U
授权时间:20190813
主分类号:G01B 11/30
专利分类号:G01B11/30
范畴分类:31P;
申请人:佛山市南海益晶科技有限公司
第一申请人:佛山市南海益晶科技有限公司
申请人地址:528000 广东省佛山市南海里水镇宏岗沥口东兴路13号之四
发明人:李翔
第一发明人:李翔
当前权利人:佛山市南海益晶科技有限公司
代理人:张伶俐
代理机构:42241
代理机构编号:武汉明正专利代理事务所(普通合伙)
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计