导读:本文包含了垂直磁记录论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:磁控溅射,薄膜,介质,剩磁,曲线,各向异性,膜片。
垂直磁记录论文文献综述
陈若飞[1]（2016）在《垂直光磁记录薄膜的制备与测试方法研究》一文中研究指出本文采用磁控溅射法制备生长了具有良好垂直磁各向异性(PMA)的TbFeCo非晶薄膜和Si/Ta/Pd/CFAS/MgO/Pd结构的磁性多层膜,并研究了溅射工艺和膜层结构设计与所制备PMA的关系。首先,搭建了一套可同时测量垂直磁化薄膜的磁光、磁电功能特性的磁光电一体化测试系统。其次,利用磁控溅射技术,采用FeCo靶和Tb片组合的复合镶嵌靶制备了具有PMA的TbFeCo薄膜。经过实验分析后发现,低的工作气压能够在更小的溅射功率下制备得到具有较高PMA的TbFeCo薄膜;当TbFeCo薄膜的膜厚在一定的范围内逐渐增大时,TbFeCo薄膜的剩磁比不断变大而其矫顽力不断减小;在一定的复合靶的组合形式下只通过改变溅射功率制备出了富Tb和富FeCo两种类型的TbFeCo薄膜,随着溅射功率的增大薄膜由富FeCo状态转变成富Tb状态,由此可以看出采用复合靶形式,溅射功率对沉积薄膜的成分有较明显的影响。最后,采用磁控溅射的技术制备了具有PMA的Si/Ta/Pd/CFAS/MgO/Pd多层膜,研究了Pd缓冲层厚度、CFAS磁性层的厚度以及退火温度与薄膜PMA的关系。发现在Ta层和磁性层之间插入一定厚度Pd缓冲层是该结构的薄膜获得PMA的必要条件;在其它各层厚度固定的情况下,制备了一系列不同磁性层厚度的薄膜样品,经300℃真空退火30min后,磁性层厚度在2.6nm-4.3nm范围内的薄膜具有良好PMA;对磁性层厚度为3.8nm的样品进行不同温度的真空退火处理,发现薄膜先由面内磁各向异性转变为PMA,然后随着温度继续升高薄膜的PMA慢慢变差到最后PMA完全被破坏;制备了磁性层厚度为20nm的薄膜,研究了不同退火温度对其面内磁各向异性的影响,实验结果表明,退火温度的不断增加,薄膜面内磁特性由单轴磁各向异性慢慢的转变为磁各向同性,同时薄膜易磁化轴方向的矫顽力逐渐变大。(本文来源于《华侨大学》期刊2016-06-01）
刘荣林,张振刚,王海波,吕云山,赵崇亮[2]（2015）在《层间磁耦合对垂直磁记录介质读写性能的影响》一文中研究指出对一种具有叁层层间磁耦合调控层的垂直磁记录介质,通过改变调控层的膜厚,磁记录层之间的磁耦合强度被有效调控,介质的静态磁特性和动态读写性能随之改变。较弱的层间磁耦合可显着改善介质的信噪比和可擦写能力,但会导致磁道宽度变宽。叁层调控层的影响程度不一致,需要综合优化叁层的膜厚,以获得最高的信息存储密度。层间耦合强度还会影响到介质的热稳定因子,在介质的设计过程中需要综合考虑。(本文来源于《信息记录材料》期刊2015年05期）
肖娜,杨波[3]（2015）在《垂直磁记录薄膜退磁场修正及Delta-M曲线测量方法》一文中研究指出垂直磁记录薄膜可以通过Delta-M曲线来判断其磁性晶粒间相互作用等相关磁性能。采用Lakeshore7407型振动样品磁强计(VSM)测量了直流磁控溅射制备的Co23Pt77垂直磁记录薄膜的磁性能,详细介绍了垂直薄膜等温剩磁(IRM)曲线和直流退磁剩磁(DCD)曲线的测量方法及退磁因子的计算方法,确定了退磁场修正方法并讨论了如何根据退磁场修正后的IRM曲线和DCD曲线得到垂直磁记录薄膜的Delta-M曲线。(本文来源于《理化检验(物理分册)》期刊2015年10期）
陈远星,刘志坚,黄伟嘉[4]（2013）在《1J22合金材料应用于溅射垂直磁记录薄膜的尝试》一文中研究指出近年来随着磁记录密度的急剧增高和磁性薄膜感应器的日益小型化、高性能化的发展,硬盘记录头和薄膜感应器等磁性器件市场对于高饱和磁通密度薄膜的需求日益增长。目前,硬盘生产厂家用Fe_(50)Co_(50)或Fe_(65)Co_(35)靶材制作磁盘膜片。Fe_(50)CO_(50)合金脆性较大,冷加工困难,通常采用粉末冶金法生产;与熔炼法生产的合金材料相比,Fe_(50)co_(50)。靶材存在纯度差、成分和密度不均匀等缺点。另烧结过程中靶材会存在孔隙,孔(本文来源于《2013广东材料发展论坛——战略性新兴产业发展与新材料科技创新研讨会论文摘要集》期刊2013-11-20）
宋新昌,程华富,周鹰[5]（2013）在《垂直磁记录技术的新进展》一文中研究指出介绍了磁记录的几种工作方式和原理,总结了垂直磁记录对记录介质和写磁头材料性能的要求,给出了垂直磁记录材料近几年的发展状况,由分析可知:热辅助垂直磁记录技术将会使磁记录技术推向海量存储的领域。(本文来源于《电子世界》期刊2013年12期）
郭红华[6]（2013）在《基于L1_0-FePt的垂直取向交换耦合复合型磁记录介质研究》一文中研究指出近年来,随着信息量的爆炸式增长,存储设备容量不足的形势日趋严峻。硬盘,作为数据存储的中坚力量,其面记录密度正无限逼近普通记录介质的超顺磁效应极限1Tb/in2。Ll0-FePt具有高达7×107erg/cc的垂直磁晶各向异性常数Ku和小达2.4nm的热稳晶粒尺寸,因而可实现10Tb/in2的超高面记录密度,是理想的下一代磁存储介质。为解决Ll0-FePt等高Ku介质的写入困难,由软硬双磁层构成的交换耦合复合(Exchange coupled composite, ECC)介质被提出并得到广泛研究。在基于Ll0-FePt的ECC介质的相关研究工作中,Fe等具有面内磁晶各向异性的软磁材料最初被用作软磁层并有效的降低了FePt层的翻转场,但是微磁学模拟指出这种非垂直取向的软磁结构不利于ECC薄膜的热稳定性,而软、硬磁层均具有垂直各向异性的ECC结构则拥有更好的记录性能。在这样的背景下,本文围绕着基于Ll0-FePt的垂直取向型ECC介质进行了一系列的研究工作。首先我们使用具有垂直取向的Co/Pt和Co/Ni多层膜取代常规的Fe等面内各向异性的材料作为软磁层与Ll0-FePt耦合制备出了拥有良好的垂直取向的FePt/[Co/Pt]N和FePt/[Co/Ni]N复合薄膜,同时发现这种复合薄膜拥有良好的颗粒结构、小的翻转场、高的热稳定性以及高的翻转场角度包容性。其次对这种垂直取向ECC结构的磁化翻转行为进行研究,发现随着软磁层厚度的增加,复合结构的磁化翻转机制由磁矩一致转动逐步变化为非一致磁矩转动并最终演化为畴壁移动。当软磁层较薄时,适当的减弱复合结构的交换耦合强度Jex有利于软磁层磁矩的非一致转动,进而促进了硬磁层的磁化翻转；而当软磁层较厚时,减小Jex增强了交界面处的畴壁钉扎,反而阻碍了硬磁层的翻转。最后为了改善在FePt-ECC薄膜中出现的不利于信噪比SNR和热稳定性的连续膜结构,我们制备了[FePt-Ag]/[Co/Ni]N薄膜,发现这种改进型的复合薄膜在软磁层厚度从2.4nm增加至24nm的过程中都保持着良好的孤立颗粒状结构且颗粒尺寸基本保持不变,同时它的热稳定性因子KeffV/KBT一直高于300。(本文来源于《复旦大学》期刊2013-04-10）
张立[7]（2013）在《基于L1_0FePt的垂直磁记录薄膜的制备及性能研究》一文中研究指出随着社会的不断发展进步，人们对大容量信息存储器的需求急剧增加。磁记录技术在信息存储领域中占有独特地位，目前磁记录材料的记录密度处于逐年提高的发展态势。磁记录密度的不断提高导致磁盘中磁性记录单元的体积越来越小。当磁性记录单元的体积小到一定尺寸的时候，会受到超顺磁效应的影响而导致信息的丢失。采用高磁晶各向异性常数（Ku）的磁性材料可以有效的降低超顺磁效应的影响，进一步提高磁记录的面密度。但是过高的磁晶各向异性会使磁性材料的翻转场（矫顽力Hc）过大，现有磁头无法完成信息的写入。这就是磁记录中的“叁难困境”。L1_0相的FePt因其具有极高的磁晶各向异性常数（Ku≈7×10~7erg/cm~3）而成为下一代超高密度磁记录介质的首选材料。本论文主要研究基于L1_0FePt的垂直磁记录介质的制备与性能。采用了磁控溅射法在Si (100)衬底上制备了FePt薄膜，研究了薄膜组分比，快速热处理温度、热处理时间以及薄膜沉积温度对FePt薄膜样品的结构、形貌及磁性能的影响。实验表明提高快速热处理温度有助于FePt薄膜转变为硬磁L1_0相，在700℃条件下快速热处理1h的样品具有（001）择优取向，样品具有极高的各向异性。在700℃对FePt薄膜进行了热处理，随着热处理时间的增加，FePt薄膜垂直矫顽力增大。当沉积温度升高时样品具有更大的矫顽力和矩形比（M/Ms）。采用单晶MgO (100)作为衬底，在不同沉积温度条件下制备了不同厚度的FePt薄膜，研究了不同沉积温度和薄膜厚度对L1_0FePt薄膜结构、形貌和磁性的影响。用单晶MgO (100)作为衬底可以沉积高度（001）取向的L1_0FePt薄膜。较高温度下沉积的L1_0FePt薄膜具有极大的磁晶各向异性和较高的L1_0有序度。提高沉积温度可以有效提高FePt薄膜的L1_0相有序度和薄膜的结晶性。薄膜的厚度对L1_0FePt薄膜的结构和磁性有较大影响。L1_0FePt薄膜的有序度随薄膜厚度的增加而增大，增加厚度能够提高L1_0FePt薄膜有序度和结晶性。不同厚度的FePt薄膜样品的垂直矫顽力表面粗糙度变化趋势一致。在以上研究基础上，我们以L1_0FePt薄膜作为硬磁层，以常温下溅射沉积的[FeNiPt]N多层膜作为软磁层，研究了软磁层厚度对复合膜结构和磁性的影响。发现硬磁层L1_0FePt的结构没有受到软磁多层膜的影响。软磁层厚度为24nm时，复合膜的矫顽力仅为单层硬磁L1_0FePt的30%。说明软磁层的引入，不仅保持了L1_0FePt的有序度，即较强的磁各向异性，使磁介质能够克服超顺磁效应的影响，而且能够有效的降低硬磁层薄膜的矫顽力。磁畴壁辅助翻转机制可以很好的解释L1_0FePt/[FeNiPt]N复合膜的磁化翻转过程。另一方面我们改变了软磁层中Ni的含量，研究了不同Ni含量的软磁层对复合膜磁性的影响。实验结果表明，较高的饱和磁化强度有助于降低交换耦合复合介质的垂直矫顽力。(本文来源于《上海师范大学》期刊2013-04-01）
肖娜,李松,任玉平,秦高梧[8]（2013）在《垂直磁记录薄膜交换耦合作用及开关场分布的测量》一文中研究指出采用Lakeshore7407型振动样品磁强计,以Co-Pt垂直磁记录薄膜为例,详细介绍了垂直薄膜等温剩磁(isothermal remanent magnetization,IRM)曲线、直流退磁剩磁(direct current demagnetization remanence,DCD)曲线的测量方法和退磁因子的计算方法,并给出根据退磁场修正后的IRM和DCD曲线计算垂直磁记录薄膜曲线和开关场分布(SFD)的方法.最后详细讨论了薄膜的微观组织和易磁化轴取向分布对退磁场、交换耦合作用和SFD的影响.结果表明:退磁场的存在使得直接测量得到的晶粒间交换耦合作用偏小,开关场分布宽化;影响晶粒间交换耦合作用的内在原因是介质的微观组织和易磁化轴的取向分布.(本文来源于《东北大学学报(自然科学版)》期刊2013年02期）
刘文武[9]（2013）在《SmCo_5垂直磁记录薄膜底层材料与图案化介质模板研究》一文中研究指出SmCo_5薄膜具有极高的单轴磁晶各向异性能，能很好地保持微小磁性颗粒的热稳定性，是未来超高密度垂直磁记录介质的候选材料之一,因而SmCo_5薄膜及其底层材料的制备工艺、磁特性及其相关机理研究就极具意义。在磁存储领域，位图案化记录方式可以大大提高记录密度，很有潜力成为传统垂直磁性连续薄膜的替代者，研究图案化介质模板制作工艺就尤为重要。本文首先介绍了磁控溅射装置，并对传统光刻、电子束曝光和ICP刻蚀设备作了简单描述，还对薄膜样品的微观分析和SmCo_5薄膜样品的磁性能测试作了相关阐述。接下来，本文研究了SmCo_5/Cu/TiW薄膜的制备工艺，进而就TiW籽晶层的引入对SmCo_5/Cu薄膜磁性能的影响作了相关研究，发现SmCo_5/Cu薄膜的磁性能随TiW籽晶层厚度先增大后下降，当TiW籽晶层为5nm时，薄膜的矫顽力和垂直磁各向异性能达到最大，分别为3719Oe，1.04×10~7erg/cm~3。TiW籽晶层良好的阻挡特性与大的表面能是改善Cu底层的微结构与表面形貌进而提高SmCo_5/Cu薄膜磁性能的原因。本文最后研究了Si基二维有序微米级孔柱阵列模板和纳米级孔洞阵列模板的制备工艺，并应用传统光刻和ICP刻蚀等工艺成功制备得Si基二维有序微米级孔柱阵列模板，继而又通过电子束曝光和ICP刻蚀等工艺成功制备得Si基二维有序纳米级圆孔阵列模板，对所在项目组今后进行分立SmCo_5记录材料磁性能的研究具有重要意义。(本文来源于《华中科技大学》期刊2013-01-01）
陈远星,刘志坚,黄伟嘉[10]（2012）在《1J22合金材料应用于溅射垂直磁记录薄膜的尝试》一文中研究指出1J22合金带作为溅射靶材的一种尝试,充分利用1J22合金冷轧带材产品具有高饱和磁感应强度、高居里温度、成分均匀、纯度高的优点.避免粉末法制备FeCo产品所产生的纯度低、成分不均匀等缺陷.磁控溅射出成分均匀、磁性能较好,用于垂直磁记录的薄膜,可以替代其它FeCo和FeNi合金靶材,成为更加理想的垂直磁记录溅射靶材.(本文来源于《南方金属》期刊2012年02期）
垂直磁记录论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对一种具有叁层层间磁耦合调控层的垂直磁记录介质,通过改变调控层的膜厚,磁记录层之间的磁耦合强度被有效调控,介质的静态磁特性和动态读写性能随之改变。较弱的层间磁耦合可显着改善介质的信噪比和可擦写能力,但会导致磁道宽度变宽。叁层调控层的影响程度不一致,需要综合优化叁层的膜厚,以获得最高的信息存储密度。层间耦合强度还会影响到介质的热稳定因子,在介质的设计过程中需要综合考虑。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
垂直磁记录论文参考文献
[1].陈若飞.垂直光磁记录薄膜的制备与测试方法研究[D].华侨大学.2016
[2].刘荣林,张振刚,王海波,吕云山,赵崇亮.层间磁耦合对垂直磁记录介质读写性能的影响[J].信息记录材料.2015
[3].肖娜,杨波.垂直磁记录薄膜退磁场修正及Delta-M曲线测量方法[J].理化检验(物理分册).2015
[4].陈远星,刘志坚,黄伟嘉.1J22合金材料应用于溅射垂直磁记录薄膜的尝试[C].2013广东材料发展论坛——战略性新兴产业发展与新材料科技创新研讨会论文摘要集.2013
[5].宋新昌,程华富,周鹰.垂直磁记录技术的新进展[J].电子世界.2013
[6].郭红华.基于L1_0-FePt的垂直取向交换耦合复合型磁记录介质研究[D].复旦大学.2013
[7].张立.基于L1_0FePt的垂直磁记录薄膜的制备及性能研究[D].上海师范大学.2013
[8].肖娜,李松,任玉平,秦高梧.垂直磁记录薄膜交换耦合作用及开关场分布的测量[J].东北大学学报(自然科学版).2013
[9].刘文武.SmCo_5垂直磁记录薄膜底层材料与图案化介质模板研究[D].华中科技大学.2013
[10].陈远星,刘志坚,黄伟嘉.1J22合金材料应用于溅射垂直磁记录薄膜的尝试[J].南方金属.2012
论文知识图
