全文摘要
本实用新型公开了一种三线制的低功耗电源电压检测电路，包括LDO稳压芯片、串联的R1和R2，LDO的输入端接电源VBAT端子，LDO的输出端接MCU的VCC接口，其中R1的一端接VBAT端子，R1的另一端接MCU的SDA接口，R2的一端接MCU的SCL接口，R2的另一端接C1，C1的另一端接MCU的AD接口。该三线制的低功耗电源电压检测电路，低功耗，电路中使用元件简单，元件占用空间小，可使PCB设计更趋向于小型化。
主设计要求
1.一种三线制的低功耗电源电压检测电路，包括LDO稳压芯片、串联的R1和R2，LDO的输入端接电源VBAT端子，LDO的输出端接MCU的VCC接口，其中R1的一端接VBAT端子，R1的另一端接MCU的SDA接口，R2的一端接MCU的SCL接口，R2的另一端接C1，C1的另一端接MCU的AD接口。
设计方案
1.一种三线制的低功耗电源电压检测电路，包括LDO稳压芯片、串联的R1和R2，LDO的输入端接电源VBAT端子，LDO的输出端接MCU的VCC接口，其中R1的一端接VBAT端子，R1的另一端接MCU的SDA接口，R2的一端接MCU的SCL接口，R2的另一端接C1，C1的另一端接MCU的AD接口。
2.根据权利要求1所述的一种三线制的低功耗电源电压检测电路，其特征在于：所述C1的容量为200pF。
3.根据权利要求1所述的一种三线制的低功耗电源电压检测电路，其特征在于：所述R1和R2均为47KΩ。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及检测电路，具体涉及一种三线制的低功耗电源电压检测电路。
背景技术
当前使用较多的低功耗电池电压检测电路(如图5)，电源电压大于MCU输入电压时，不能直接使用AD接口采样，一般需要使用三极管或运放进行电压衰减，然后在通过AD进行采样，测量电源电压。
为此提出一种三线制的低功耗电源电压检测电路。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种三线制的低功耗电源电压检测电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种三线制的低功耗电源电压检测电路，包括LDO稳压芯片、串联的R1和R2，LDO的输入端接电源VBAT端子，LDO的输出端接MCU的VCC接口，其中R1的一端接VBAT端子，R1的另一端接MCU的SDA接口，R2的一端接MCU的SCL接口，R2的另一端接C1，C1的另一端接MCU的AD接口。
优选的，所述C1的容量为200pF。
优选的，所述R1和R2均为47KΩ。
本实用新型的技术效果和优点：该三线制的低功耗电源电压检测电路，低功耗，电路中使用元件简单，元件占用空间小，可使PCB设计更趋向于小型化。
附图说明
图1为本实用新型的电路图；
图2为电路工作时示波器测得SDA波形图；
图3为电路工作时示波器测得SCL波形图；
图4为电路工作时示波器测得AD采样波形图；
图5为传统电源电压检测电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了如图1所示的一种三线制的低功耗电源电压检测电路，包括LDO稳压芯片、串联的R1和R2，LDO的输入端接电源VBAT端子，LDO的输出端接MCU的VCC接口，其中R1的一端接VBAT端子，R1的另一端接MCU的SDA接口，R2的一端接MCU的SCL接口，R2的另一端接C1，C1的另一端接MCU的AD接口。
所述C1的容量为200pF，所述R1和R2均为47KΩ。
电路中电池电压通过LDO稳压芯片后，转为MCU可用电源电压值，此部分不包括在检测电路中，仅作示意测量的电源电压大于MCU输入电压。
电路原理：电路工作时，SDA接口、SCL接口和AD接口在示波器测得的波形分别如图2、图3、图4所示，当MCU接收到电池电压检测的命令时，首先将SDA与SCL接口通过设置同时接地(t1-t2)，然后在t2时刻将SDA接口设置为开漏状态，此时AD接口波形上升，(t2-t3)时AD采样到的电压为电源电压的一半，即VAD＝VBAT*R2\/(R1+R2)，检测这个时间段的电压，再通过计算便能得到电池电压。平时不检测时，将SDA与SCL均设置为开漏状态，即此时电阻均为开路状态，电路中无电源消耗。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920083146.5
申请日:2019-01-18
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:94(深圳)
授权编号:CN209525384U
授权时间:20191022
主分类号:G01R 19/00
专利分类号:G01R19/00;G01R31/40
范畴分类:31F;
申请人:深圳市安美通科技有限公司
第一申请人:深圳市安美通科技有限公司
申请人地址:518000 广东省深圳市福田区一冶广场第1栋A单元办公07层704-705
发明人:郑辉
第一发明人:郑辉
当前权利人:深圳市安美通科技有限公司
代理人:代理机构:代理机构编号:优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计