导读:本文包含了半透明阴极论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:阴极,光电,紫外光,机电,透明,真空,反射率。
半透明阴极论文文献综述写法
杨温渊,董烨,董志伟[1]（2016）在《新型全腔输出半透明阴极相对论磁控管的理论和数值研究》一文中研究指出为减小器件的体积和重量,提高器件的实用性,在轴向渐变输出结构半透明阴极相对论磁控管的基础上,提出了全腔耦合输出结构半透明阴极相对论磁控管,并对其进行了理论分析和数值模拟.采用全腔输出结构后,器件互作用区径向半径由10.5 cm降到6.6 cm,轴向长度由大于40 cm降到小于30 cm,器件尺寸显着减小.通过对输出结构的参数优化,在注入电子束电压和电流分别约为395 kV和5.6 kA、外加磁场为4.75 k Gs(1 Gs=10~(-4)T)时,模拟在S波段获得了效率约50%的微波输出,输出功率达到1.15 GW,模式更加纯净.同时还分析了耦合孔的长度、宽度和深度以及输出波导的宽度和短路面起始位置等参数对输出性能的影响规律.(本文来源于《物理学报》期刊2016年24期）
秦炎福,孙志国,姜广智,何恩节,官邦贵[2]（2011）在《阴极为半透明Ce/Au的有机发光二极管》一文中研究指出在p型硅基底的阳极上制得的顶出光有机发光器件(TOLEDs)采用Ce(xnm)/Au(15nm)(x:4～16)沉积层作为半透明阴极材料。当有机层NPB(60 nm)/Alq3(60 nm)保持不变时,研究了Ce层厚度对透光度和器件性能的影响。结果表明:沉积层为Ce(11 nm)/Au(15 nm)的阴极透光度达到46%,以此为阴极的TOLEDs发光效率最高:驱动电压为13.7 V时,效率极大值为0.91 cd/A;驱动电压为9 V时,流明效率极大值为0.28 lm/W;发光亮度为1 cd/m2时具有最低的开启电压3 V。该阴极同时具备良好的电学和化学稳定性。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2011年06期）
黄再生[3]（2003）在《利用LaB_6制作有机电致发光器件的半透明阴极》一文中研究指出透明有机电致发光（TOLED）是有机电致发光领域里的一个热门方向。透明OLED可以用在头盔显示，挡风玻璃式显示以及类似的场合,还可以利用堆栈式结构的透明有机电致发光（TOLED）实现高分辨率的彩色显示。本文主要是利用LaB_6来制备有机电致发光器件的透明阴极，本文采用两种加热的方法来制作：分别是利用LaB_6阴极和氧化物阴极作为轰击电子源来制作LaB_6透明阴极。论文首先对有机电致发光（OLED）的发展历史作了一个简要的回顾，对OLED的发光机理和彩色方案进行了阐述；接着，第二章阐述了论文所要运用的理论知识，主要是透明有机电致发光（TOLED）的发光机理、LaB_6的特性、氧化物阴极的理论等；第叁章阐述了如何制作LaB_6透明阴极，文中介绍了两种加热的方法制作LaB_6薄膜；第四章是对试验的结果进行分析，主要是其导电性能和光谱透过率，并与Mg：Ag合金和ITO制作透明阴极进行了比较；第五章是对所作的工作的总结。(本文来源于《电子科技大学》期刊2003-02-01）
徐登高,刘元震[4]（1997）在《CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极“日盲”效应的验证》一文中研究指出CSI／Ni／LiF半透明真空紫外光阴极，由于CSI的长波阈值为200nm，即有很好的“日盲”效应。通过对照测试，得到验证。用氢真空紫外辐射源作检测光源，在专用的真空紫外光电发射特性测试系统中，测得CSI／Ni／LiF半透明真空紫外光阴极在105～165nm波长范围内平均量子产额为0．16～0．21电子／入射光子，而在200～365nm紫外辐射下，其量子产额仅为10－6～10－5电子／入射光子。可见对200nm以上波长的紫外光不灵敏，即具有良好的“日盲”效应。(本文来源于《真空科学与技术》期刊1997年03期）
常本康,刘元震,果玉忱[5]（1990）在《半透明多碱阴极浅氧敏化研究》一文中研究指出根据多碱阴极理想模型:Na_3KSb+K_2CsSb+sb·Cs 偶极层,提出用 Cs_2O 取代 K_2CsSb+Sb·Cs 偶极层,很可能形成 p—n Na_2KSb—Cs_2O异质结光电阴极。用研制的氧发生器,以常规的碱金属源在超高真空系统中制备了 Na_2KSb,然后采用 NEA 光电阴极的激活工艺,用铯、氧交替激活 Na_2KSb,获得 p—n Na_2KSb—Cs_2O 光电阴极。结果表明,这种光电阴极在紫外—红外范围内具有较高的量子产额,其长波截止超过1.06um,达到1.1μm。(本文来源于《南京理工大学学报(自然科学版)》期刊1990年04期）
徐登高,刘元震,杨伟毅[6]（1989）在《CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极的分析研究》一文中研究指出欲探测真空紫外区(λ<200nm)的二维空间的光信息,我们在LiF窗口材料上溅射一定厚度的Ni膜作导电衬底,再真空蒸镀一定厚度的CsI淀积层,制成CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极。用H_2水冷毛细管真空紫外辐射源作捡测光源,对CsI光阴极层厚度为70nm(本文来源于《真空科学与技术》期刊1989年06期）
徐登高[7]（1989）在《CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极寿命试验过程中的ESCA分析研究》一文中研究指出在CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光明极寿命试验过程中,用ESCA光电子能谱仪对其进行分析研究,随着搁置时间的增加,光阴极中元素Cs和元素I的ESCA分谱变化不大,而CsI的ESCA全谱中O的含量确随搁置时间增加而增大,ESCA分析研究表明O是以吸附态形式存在于光阴极之中,不与Cs起作用,因此,该光阴极是可暴露大气的。但长期暴露大气之后,易受周围空气中的水汽侵害,使光阴极的光电灵敏度有所下降。(本文来源于《真空电子技术》期刊1989年05期）
徐登高[8]（1989）在《高量子产额半透明真空紫外光阴极的工艺研究》一文中研究指出本文主要介绍真空紫外光电发射材料、阴极成膜方法的选择及工艺过程对光电发射特性的影响等.为制备高量子产额的半透明真空紫外光阴极,提供可靠的技术依据.(本文来源于《光电子学技术》期刊1989年03期）
李朝木[9]（1987）在《半透明和不透明干涉型光电阴极的分析》一文中研究指出本文分析了半透明和不透明干涉型光电阴极的几何的和光学的结构,以及固态参数对窄带光检测的影响。根据所得结果,对阴极表面工艺进行了改进。(本文来源于《真空电子技术》期刊1987年06期）
佘永正,杨海泉[10]（1985）在《半透明干涉光电阴极》一文中研究指出本文提出一种简单的方法以降低半透明多碱金属光电阴极的反射和增大其吸收。在调谐波长处反射极小值可降至小于1％,吸收增大41％。用两层减反膜时在大部分可见光区域反射率可小于10％,而在一半区域内反射率可小于5％。讨论了对光电发射的影响,在调谐波长处光电发射预计增大59％。(本文来源于《光学机械》期刊1985年01期）
半透明阴极论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在p型硅基底的阳极上制得的顶出光有机发光器件(TOLEDs)采用Ce(xnm)/Au(15nm)(x:4～16)沉积层作为半透明阴极材料。当有机层NPB(60 nm)/Alq3(60 nm)保持不变时,研究了Ce层厚度对透光度和器件性能的影响。结果表明:沉积层为Ce(11 nm)/Au(15 nm)的阴极透光度达到46%,以此为阴极的TOLEDs发光效率最高:驱动电压为13.7 V时,效率极大值为0.91 cd/A;驱动电压为9 V时,流明效率极大值为0.28 lm/W;发光亮度为1 cd/m2时具有最低的开启电压3 V。该阴极同时具备良好的电学和化学稳定性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半透明阴极论文参考文献
[1].杨温渊,董烨,董志伟.新型全腔输出半透明阴极相对论磁控管的理论和数值研究[J].物理学报.2016
[2].秦炎福,孙志国,姜广智,何恩节,官邦贵.阴极为半透明Ce/Au的有机发光二极管[J].红外与激光工程.2011
[3].黄再生.利用LaB_6制作有机电致发光器件的半透明阴极[D].电子科技大学.2003
[4].徐登高,刘元震.CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极“日盲”效应的验证[J].真空科学与技术.1997
[5].常本康,刘元震,果玉忱.半透明多碱阴极浅氧敏化研究[J].南京理工大学学报(自然科学版).1990
[6].徐登高,刘元震,杨伟毅.CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极的分析研究[J].真空科学与技术.1989
[7].徐登高.CsI/Ni/LiF半透明真空紫外光阴极寿命试验过程中的ESCA分析研究[J].真空电子技术.1989
[8].徐登高.高量子产额半透明真空紫外光阴极的工艺研究[J].光电子学技术.1989
[9].李朝木.半透明和不透明干涉型光电阴极的分析[J].真空电子技术.1987
[10].佘永正,杨海泉.半透明干涉光电阴极[J].光学机械.1985