全文摘要
本实用新型为一种大容量的陶瓷电容器，包括陶瓷框架以及内部的陶瓷电容芯片，所述陶瓷框架两端设置有第一外电极和第二外电极，其内部设置有多个卡座且侧放有所述陶瓷电容芯片，且相互连接形成串联电路，再与两端的第一外电极和第二外电极电性连接，整合成一个大电容的电容器，相对于传统将多个小电容的电容器焊接在电路板上，本实用新型具有集成度高，体积利用率高的特点，且只需将陶瓷框架两端的外电极与电路板上的外电源进行焊接，简化焊接工序，另外出现问题时可对内部个别损坏的陶瓷电容芯片进行跟换，方便检修；另外所述陶瓷框架内部设置有磁屏蔽层，防止外部对陶瓷框架内的陶瓷电容芯片产生干扰，提高稳定性。
主设计要求
1.一种大容量的陶瓷电容器，其特征在于，包括陶瓷框架以及内置在陶瓷框架内部的陶瓷电容芯片，所述陶瓷框架左右两端设置有第一外电极和第二外电极，所述陶瓷框架包括开设有容置腔体的背框架以及固定安装在背框架前侧的L型盖板，所述背框架在容置腔体内设置有至少两组卡座，所述卡座前侧开设有用于嵌入陶瓷电容芯片的容置卡槽，两个相邻所述卡座之间、所述卡座与所述陶瓷框架两端之间均设置有中部开设通槽的连接部，所述连接部顶部开设有向下与通槽连通的螺纹孔，所述螺纹孔上螺接有塑料压紧螺丝，所述第一外电极和第二外电极与内部的陶瓷电容芯片电性连接。
设计方案
1.一种大容量的陶瓷电容器，其特征在于，包括陶瓷框架以及内置在陶瓷框架内部的陶瓷电容芯片，所述陶瓷框架左右两端设置有第一外电极和第二外电极，所述陶瓷框架包括开设有容置腔体的背框架以及固定安装在背框架前侧的L型盖板，所述背框架在容置腔体内设置有至少两组卡座，所述卡座前侧开设有用于嵌入陶瓷电容芯片的容置卡槽，两个相邻所述卡座之间、所述卡座与所述陶瓷框架两端之间均设置有中部开设通槽的连接部，所述连接部顶部开设有向下与通槽连通的螺纹孔，所述螺纹孔上螺接有塑料压紧螺丝，所述第一外电极和第二外电极与内部的陶瓷电容芯片电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种大容量的陶瓷电容器，其特征在于，所述陶瓷电容芯片包括多个堆叠在内部的内电极片、填充在内电极片间的陶瓷介电质以及位于两端的第一电极端和第二电极端。
3.根据权利要求2所述的一种大容量的陶瓷电容器，其特征在于，所述第一电极端和第二电极端上分别设置有向两侧伸延的第一引出片和第二引出片，所述陶瓷电容芯片的第一引出片以及相邻电容芯片的第二引出片位于连接部的通槽中且上下贴合。
4.根据权利要求1所述的一种大容量的陶瓷电容器，其特征在于，所述第一外电极上设置有向内延伸至相邻所述连接部的第一镍铜导电件，所述第二外电极上设置有向内延伸至相邻所述连接部的第二镍铜导电件。
5.根据权利要求4所述的一种大容量的陶瓷电容器，其特征在于，还包括一导线，所述导线两端设置有镍铜贴片，所述导线一端连接至第二镍铜导电件，而另一端连接至所述卡座之间的连接部通槽底面。
6.根据权利要求1所述的一种大容量的陶瓷电容器，其特征在于，所述陶瓷框架内部设置有磁屏蔽层，所述磁屏蔽层为硅钢片材质构件。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及电容器技术领域，更具体的说，涉及一种大容量的陶瓷电容器。
背景技术
电容器作为电子行业的基础元件，每年生产数量以惊人的速度向上飞速增展，具有体积小、比容大、可靠性高、寿命长等特点；在实际应用中，时常并非单一个体的电容器就可满足电路电容量的需求，往往需要接入多个电容器串联来达到较大电容量，以此达到电路要求，但在电路板上焊接多个电容器，电容器之间又需留有较大空间进行焊接，违背电路中集成度高、高密度的要求，另外焊接多个电容器工序麻烦，一旦出现损坏，拆卸跟换也是个问题，针对此类问题需提出新的方案进行改进。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的是提供一种大容量的陶瓷电容器，根据电容量需求可将多个陶瓷电容芯片串联集成在陶瓷框架内形成大容量的电容器，结构简单，体积小，简化焊接工序，且在出现损坏情况时也容易对内部陶瓷电容芯片进行跟换。
为了解决上述存在的技术问题，本实用新型采用下述技术方案：
一种大容量的陶瓷电容器，包括陶瓷框架以及内置在陶瓷框架内部的陶瓷电容芯片，所述陶瓷框架左右两端设置有第一外电极和第二外电极，所述陶瓷框架包括开设有容置腔体的背框架以及固定安装在背框架前侧的L型盖板，所述背框架在容置腔体内设置有至少两组卡座，所述卡座前侧开设有用于嵌入陶瓷电容芯片的容置卡槽，两个相邻所述卡座之间、所述卡座与所述陶瓷框架两端之间均设置有中部开设通槽的连接部，所述连接部顶部开设有向下与通槽连通的螺纹孔，所述螺纹孔上螺接有塑料压紧螺丝，所述第一外电极和第二外电极与内部的陶瓷电容芯片电性连接。
更具体的，所述陶瓷电容芯片包括多个堆叠在内部的内电极片、填充在内电极片间的陶瓷介电质以及位于两端的第一电极端和第二电极端。
更具体的，所述第一电极端和第二电极端上分别设置有向两侧伸延的第一引出片和第二引出片，所述陶瓷电容芯片的第一引出片以及相邻电容芯片的第二引出片位于连接部的通槽中且上下贴合。
更具体的，所述第一外电极上设置有向内延伸至相邻所述连接部的第一镍铜导电件，所述第二外电极上设置有向内延伸至相邻所述连接部的第二镍铜导电件。
更具体的，还包括一导线，所述导线两端设置有镍铜贴片，所述导线一端连接至第二镍铜导电件，而另一端连接至所述卡座之间的连接部通槽底面。
更具体的，所述陶瓷框架内部设置有磁屏蔽层，所述磁屏蔽层为硅钢片材质构件。
本实用新型存在优点及积极效果：本实用新型为一种大容量的陶瓷电容器，其中根据电路电容量的需求，将多个陶瓷电容芯片嵌入卡座中并相互串联，再与两端的第一外电极和第二外电极电性连接，整合成一个大电容的电容器，相对于传统将多个小电容的电容器焊接在电路板上，本实用新型具有集成度高，体积利用率高的特点，且只需将陶瓷框架两端的外电极与电路板上的外电源进行焊接，简化焊接工序，另外出现问题时可对内部个别损坏的陶瓷电容芯片进行跟换，方便检修。
附图说明
图1为实施例一陶瓷框架的结构分解图。
图2为实施例一陶瓷电容器的正向剖视图。
图3为实施例一A-A的局部放大图。
图4为实施例二陶瓷电容器的简式结构示意图。
图5为实施例二导线的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述，但本实用新型的实施方式不局限于此。
如图1、图2、图3所示，实施例一为一种大容量的陶瓷电容器，包括陶瓷框架1以及内置在陶瓷框架1内部的陶瓷电容芯片2，所述陶瓷框架1左右两端设置有第一外电极3和第二外电极4，所述陶瓷框架1包括开设有容置腔体的背框架11以及固定安装在背框架11前侧的L型盖板12，其中L型盖板12与背框架11相互卡合形成一个封闭的空间，可通过螺丝、胶粘剂或设置卡扣等方式进行卡合，此为常用技术，不做详细阐述。
更具体的，实施例一中，所述背框架11在容置腔体内设置有三组卡座5，所述卡座5前侧开设有用于嵌入陶瓷电容芯片2的容置卡槽51，两个相邻所述卡座5之间、所述卡座5与所述陶瓷框架1两端之间均设置有中部开设通槽61的连接部6，所述连接部6顶部开设有向下与通槽61连通的螺纹孔(未标出)，所述螺纹孔上螺接有塑料压紧螺丝7，所述第一外电极3和第二外电极4与内部的陶瓷电容芯片2电性连接。
更具体的，实施例一中，所述陶瓷电容芯片2包括多个堆叠在内部的内电极片、填充在内电极片间的陶瓷介电质以及位于两端的第一电极端和第二电极端，其中内电极片、两端的第一电极端和第二电极端均为电容器常见结构，不在图中示出；其中所述第一电极端和第二电极端上分别设置有向两侧伸延的第一引出片21和第二引出片22，所述陶瓷电容芯片2的第一引出片21以及相邻陶瓷电容芯片2的第二引出片22位于连接部6的通槽61中且上下贴合；即组装时将陶瓷电容芯片2侧放进大小相配的卡座5内，其中陶瓷电容芯片2两端的第一引出片21和第二引出片22刚好放进两端连接部6的通槽61内，且相邻的陶瓷电容芯片2相向一端的一对引出片刚好在通槽61内呈上下贴合放置，并通过扭紧连接部6上方的塑料压紧螺丝7使贴合更加紧密，不易接触不良，这样使得各个陶瓷电容芯片2形成串联的电路，增大电容量；图2为了容易辨别，将中间的陶瓷电容芯片2涂以及两端的引出片涂成黑色，与两侧的陶瓷电容芯片2区别开。
另外实施例一中，所述第一外电极3上设置有向内延伸至相邻所述连接部6的第一镍铜导电件31，所述第二外电极4上设置有向内延伸至相邻所述连接部6的第二镍铜导电件41；即第一镍铜导电件31一端连接至第一外电极3，另一端连接至相邻连接部6的通槽61底面，再与相邻陶瓷电容芯片2的第一引出片21在通槽61内贴合实现电性连接，第二镍铜导电件41也是如此，从而形成一个将内部多个陶瓷电容芯片2整合为一体的电容器，相对于传统将多个小电容的电容器焊接在电路板上，本实用新型具有集成度高，体积利用率高的特点，且只需将陶瓷框架1两端的外电极与电路板上的外电源进行焊接，简化焊接工序，另外出现问题时可对内部个别损坏的陶瓷电容芯片2进行跟换，方便检修。
如图4、图5所示，实施例二为另一个大容量的陶瓷电容器，与实施例一不同的是，所述背框架11内设置有多组卡座，实施例二以四组为例，还包括一导线8，所述导线8两端设置有镍铜贴片81，所述导线8一端连接至第二镍铜导电件41，而另一端连接至所述卡座5之间的连接部6通槽61底面；即可根据电路需要在内部嵌入不同数量的陶瓷电容芯片2，比如背框架11内四组卡座5只需嵌入三个陶瓷电容芯片2，即将三个陶瓷电容芯片2放在靠近第一外电极3的三个卡座5内，而将导线8一端的镍铜贴片81放置在第四卡座5与第二外电极4之间的连接部6通槽61内，通过塑料压紧螺丝7使之与底面的第二镍铜导电件41电性连接，而导线8另一端的镍铜贴片81放置在第三和第四卡座5之间的连接部6通槽61内，与陶瓷电容芯片2的第二引出片22进行贴合，并用塑料压紧螺丝7锁紧，实现整体电性连接。
更具体的，实施例二中，所述陶瓷框架内部设置有磁屏蔽层9，所述磁屏蔽层9为硅钢片材质构件；通过设置磁屏蔽层9，防止外部对陶瓷框架1内的陶瓷电容芯片2产生干扰，提高稳定性，图4为陶瓷电容器的简单剖视图，上下两侧黑色粗线代表磁屏蔽层9。
虽然上述描述了本实用新型的具体实施方式，但对于本领域的技术人员应当理解上述仅是举例说明，本实用新型的保护范围是由所附权利要求书限定。本领域的技术人员在不背离本实用新型的原理和实质前提下，依然可以对上述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，而这些修改或替换均落入本实用新型的保护范围。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920045527.4
申请日:2019-01-11
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:44(广东)
授权编号:CN209199785U
授权时间:20190802
主分类号:H01G 4/38
专利分类号:H01G4/38;H01G4/30;H01G4/232;H01G4/224;H01G4/002;H01G2/22
范畴分类:38B;
申请人:东莞市容奥电子有限公司
第一申请人:东莞市容奥电子有限公司
申请人地址:523000 广东省东莞市长安镇锦厦东门中路121号
发明人:王斌斌;李攀
第一发明人:王斌斌
当前权利人:东莞市容奥电子有限公司
代理人:代理机构:代理机构编号:优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计