耗尽型a-IZO TFT的模拟研究

论文摘要

采用Silvaco软件的Atlas对耗尽型单栅、双栅非晶铟锌氧化物薄膜晶体管SG a-IZO TFT、DG a-IZO TFT进行二维器件模拟。讨论了a-IZO层的厚度、态密度模型参数对耗尽型SG a-IZO TFT的电特性影响。研究发现,当a-IZO层厚度达到60 nm及以上时,器件的关断电流急剧上升。分析了态密度模型参数对单栅器件的电特性影响。对耗尽型SG a-IZO TFT与DG a-IZO TFT的电特性进行了比较。结果表明,DG器件在开启电压、亚阈值摆幅、开态电流等方面表现更佳。

论文目录

• 0 引 言
• 1 器件结构与陷阱态
• 2 模拟结果与分析
•   2.1 a-IZO层厚度对电特性的影响
•   2.2 DOS模型参数对耗尽型SG a-IZO TFT的电特性影响
•   2.3 SG a-IZO TFT与DG a-IZO TFT的电特性对比
• 3 结 论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 彭小毛,向超,李俊杰,钟传杰

关键词: 耗尽型,器件模拟,双栅,态密度

来源: 微电子学 2019年06期

年度: 2019

分类: 信息科技

专业: 无线电电子学

单位: 江南大学物联网工程学院,机械工业第六设计研究院有限公司

基金: 国家自然科学基金资助项目（51702127)

分类号: TN321.5

DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.190006

页码: 873-877

总页数: 5

文件大小: 961K

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