垂直型MoS2/C60范德华异质结的研究

论文摘要

研究了采用垂直堆垛方式构筑的MoS2/C60范德华异质结的特性。利用直流磁控溅射法制备Mo薄膜,对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS2薄膜,采用真空蒸镀法在MoS2薄膜上沉积C60进而形成MoS2/C60范德华异质结,并制备了Au/MoS2/C60/Al结构的器件。对MoS2薄膜的晶体结构进行了分析,对MoS2,C60及MoS2/C60薄膜的喇曼光谱及光吸收特性进行了测试和表征。结果表明:经过750℃退火后的MoS2晶型为2H型;由于在MoS2和C60薄膜之间范德华力的存在,相对于生长在Si/SiO2衬底上,沉积在MoS2上的C60薄膜喇曼特征峰发生红移; MoS2/C60薄膜在可见光范围内具有明显的光吸收特性;异质结表现出良好的整流特性,通过电子导电模型分析得出电子的传输机制包含热电子发射,空间电荷限制电流传导（SCLC）和隧穿现象。

论文目录

• 0 引言
• 1 实验
• 2 结果与讨论
•   2.1 Mo S2与C60的表征分析
•   2.2 Mo S2, C60与金属电极接触的分析
•   2.3 Mo S2/C60异质结特性分析
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 潘志伟,邓金祥,张浩,白志英,李瑞东,王贵生,段苹,王吉有

关键词: 薄膜,异质结,导电模型

来源: 半导体技术 2019年01期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备,无线电电子学

单位: 北京工业大学应用数理学院

基金: 国家自然科学基金资助项目(60876006,60376007),北京市教育委员会科技计划重点项目(KZ201410005008),北京工业大学研究生科技基金资助项目(ykj-2017-00673)

分类号: TN304;TB383.2

DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.01.004

页码: 20-26

总页数: 7

文件大小: 2034K

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