射频溅射功率对室温沉积AZO薄膜性能的影响

论文摘要

本文采用直流射频耦合磁控溅射技术,在玻璃基底上室温沉积AZO薄膜,将射频电源功率从0W增加到到200W。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了AZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能。研究结果表明,直流射频耦合磁控溅射可以在室温下制备性能优异的AZO薄膜,且射频溅射功率对AZO薄膜光电性能有显著的影响,随着射频功率的提高,AZO薄膜致密性增加,粒子逐渐变大,薄膜表面形貌和生长形态发生一定变化。在射频功率为200W时,室温制备的AZO薄膜电阻率达到最低5.39×10-4Ω·cm,薄膜平均可见光透过率达到82.6%。

论文目录

• 1 实验
•   1.1 AZO薄膜的制备
•   1.2 样品的表征
• 2 结果与讨论
•   2.1 SEM分析
•   2.2 XRD分析
•   2.3 电学性能
•   2.4 光学性能
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 仲召进,曹欣,高强,韩娜,崔介东,石丽芬,姚婷婷,马立云,彭寿

关键词: 薄膜,直流射频耦合,表面形貌,电学性能,光学性能

来源: 真空 2019年01期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司浮法玻璃新技术国家重点实验室,大连交通大学

基金: 国家重点研发计划项目(2016YFB0303700),安徽省重点研究与开发计划项目(1704a0902010)

分类号: TB383.2

DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.01.09

页码: 45-48

总页数: 4

文件大小: 688K

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