异质结势垒效应论文_冯振宇

导读:本文包含了异质结势垒效应论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:异质,应变,结合能,效应,费米,电场,晶体管。

异质结势垒效应论文文献综述

冯振宇[1](2011)在《有限厚势垒应变GaN/Al_xGa_(1-x)N异质结中杂质态及压力效应》一文中研究指出近年来,对GaN、AIN和InN等闪锌矿和纤锌矿Ⅲ-V族氮化物半导体低维材料的研究及其应用是半导体物理的前沿和热点之一,由于其具有宽带隙及良好的光电特性,因而在微电子器件及光电子器件中有广泛应用.对应变氮化物异质结材料的研究对其物性及理论的发展有着重要的意义,并可为以后半导体器件的设计提供新思路.本文对应变AlxGa1-xN/GaN单异质结系统,考虑理想界面异质结有限厚势垒,引入简化相干势近似并计入叁元混晶效应,并考虑内建电场影响,分别采用变分法和数值计算方法讨论应变氮化物半导体实际异质结中施主杂质态的结合能,并进一步讨论流体静压力效应.本文的工作分为两个主要部分.第一部分的工作是以GaN为衬底的应变纤锌矿AlxGa1-xN/GaN异。质结系统,考虑理想界面有限厚势垒,采用变分法计算杂质态的结合能,讨论了不同垒厚、杂质位置及组分对结合能的影响,并与无限厚势垒情况作了比较.结果发现,当垒厚、组分较小且沟道层中杂质位置靠近界面时,有限厚势垒时杂质态的结合能明显大于无限厚势垒情形.流体静压力下结合能随流体静压力呈近线性变化,趋势与无限厚势垒情形类同.本文第二部分则改进第一部分采用的变分法,将Z方向所用的变分函数变为数值求解波函数计算该异质结系统杂质态的结合能,从而提高了计算精度.结果显示,当沟道层中杂质位置靠近界面时,数值波函数计算所得结合能明显大于采用变分波函数所得结果,而当杂质位置远离界面时,数值波函数计算所得结果明显小于变分波函数所得结果.结合能随流体静压力仍然呈近线性变化,与采用变分波函数的结果相比,结合能变化不明显.(本文来源于《内蒙古大学》期刊2011-05-20)

毛爱华,王志平[2](2000)在《CdSe/ZnSe异质结势垒的费米能量及其温度效应》一文中研究指出采用量子物理的方法 ,计算了CdSe/ZnSe异质结势垒的费米能量 ,并给出了费米能量随温度的变化关系(本文来源于《包头钢铁学院学报》期刊2000年04期)

张万荣,曾峥,罗晋生[3](1996)在《Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应(HBE)研究》一文中研究指出本文研究了不同温度下Si/SiGe/Si双异质结晶体管(DHBT)异质结势垒效应(HBE),研究发现,集电结(BC)处价带能量差△Ev越大,HBE越明显,在给定的△Ev下,随着温度的降低,HBE越显着。在低温下HBE比常温下更严重地退化器件参数;基于以上研究结果,我们指出了减弱HBE的有效方法,本研究结果对设计开发Si/SiGe/SiHBT,尤其对设计开发低温工作的微波功率Si/SiGe/SiHBT是非常重要的。(本文来源于《电子学报》期刊1996年11期)

异质结势垒效应论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

采用量子物理的方法 ,计算了CdSe/ZnSe异质结势垒的费米能量 ,并给出了费米能量随温度的变化关系

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

异质结势垒效应论文参考文献

[1].冯振宇.有限厚势垒应变GaN/Al_xGa_(1-x)N异质结中杂质态及压力效应[D].内蒙古大学.2011

[2].毛爱华,王志平.CdSe/ZnSe异质结势垒的费米能量及其温度效应[J].包头钢铁学院学报.2000

[3].张万荣,曾峥,罗晋生.Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应(HBE)研究[J].电子学报.1996

论文知识图

实验测试结果(栅极长度为170nm)不同Al浓度的AZO探测器的光谱响应曲...镀Pt探针接触扫描ZnO纳米棒阵列获得...和ITO/poly-BFO/Pt的I-U...(a)和(c)分别为70°畴壁和109°畴壁的压...S i0.8G e0.2HBT与S i B JT大注入下的...

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