杂质束缚能论文-黄晓亚,王新练

杂质束缚能论文-黄晓亚,王新练

导读:本文包含了杂质束缚能论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:光电子学,方形量子点,有限差分法,杂质

杂质束缚能论文文献综述

黄晓亚,王新练[1](2017)在《杂质对方形量子点基态能和束缚能的影响》一文中研究指出用有限差分法求解了二维方形量子点中有H_2~+杂质时的量子体系,得到了离散薛定谔方程.对体系中电子处于基态时的能量和杂质的束缚能进行了数值计算,讨论了不同间距的杂质离子对不同尺寸量子点中电子基态能量和束缚能的影响。计算结果表明:量子点中电子基态能量是杂质位置和量子点尺度的函数;基态能量随着量子点尺度的增加先急剧减小后缓慢增大,最后趋于定值;杂质对电子的束缚能随着量子点尺度的增加而减小;杂质间距越小对量子点基态能影响越大。(本文来源于《量子电子学报》期刊2017年01期)

肖心举,纪登辉,王立威,龙建松[2](2016)在《无限深抛物线势量子线中类氢杂质束缚能的级数解法》一文中研究指出量子线中类氢杂质束缚能的计算方法有很多,本文利用分离变数法将类氢杂质的定态薛定谔方程分离成两个分别与角度和距离有关的二阶常微分方程。再利用二阶常微分方程在正则奇点邻域内的级数解原理,解类氢杂质的波函数,从而求出类氢杂质的束缚能。通过对具体材料的数值计算,结果与其他文献的报道基本吻合,说明该级数解法可行。(本文来源于《科技展望》期刊2016年25期)

王广新[3](2016)在《圆柱形GaAs量子环中施主杂质束缚能的磁场效应》一文中研究指出在有效质量近似理论下,利用变分法,计算了外磁场下圆柱形GaAs量子环中类氢施主杂质基态束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量子环尺寸(内径、外径、高度)、杂质位置以及磁场强度间的变化规律。结果表明:施主杂质束缚能随着量子环内径的增大而增大。随着量子环高度、外径的增大施主杂质束缚能逐渐减小。中心施主杂质束缚能随着磁场强度的增大逐渐减小。另外,当杂质离子从量子环的内表面被移至外表面时,施主杂质束缚能先增大后减小,有一最大值。(本文来源于《华北理工大学学报(自然科学版)》期刊2016年03期)

尹新,王海龙,龚谦,封松林[4](2013)在《GaInAsP/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能》一文中研究指出在有效质量近似下,利用变分法对Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响。计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,束缚能达到最大值;外加电场使得电子波函数从阱中心偏移,引起束缚能的非对称分布;Ga与As组分的变化使得阶梯阱的势能高度发生变化,从而明显地影响阱中氢杂质束缚能。计算结果对一些基于半导体阶梯型量子阱的光电子器件的设计制作有一定的指导意义。(本文来源于《量子电子学报》期刊2013年02期)

郑冬梅,王宗篪,苏春燕[5](2011)在《内建电场和杂质对双电子柱形量子点系统束缚能的影响》一文中研究指出在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/Al_rGa_(1-x)N量子点系统束缚能的影响。结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大。随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小。与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显着;当量子点高度L<6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能大于单电子杂质态束缚能,而当量子点高度L>6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能。(本文来源于《量子电子学报》期刊2011年01期)

胡靖华,孙晓东,胡耀祖[6](2010)在《在磁场作用下量子阱中类氢杂质束缚能的计算》一文中研究指出采用了Lee T D,et al变分法和Jiang H X强微扰理论计算在磁场作用下量子阱中类氢杂质的束缚能,考虑了电子与纵光学声子LO和面光学声子SO之间的互相作用,得到类氢杂质束缚能随磁场根方增加,随阱宽增加而减小,电子自能不受磁场影响。(本文来源于《武汉理工大学学报》期刊2010年13期)

楚兴丽,张莹[7](2010)在《闪锌矿GaN量子点中类氢杂质态的束缚能》一文中研究指出在有效质量近似下,用变分法研究了闪锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N单量子点中的类氢杂质态.结果表明量子点中的杂质位置和量子点结构参数(量子点高度H、半径R及Al含量x)对施主束缚能有很大的影响.当杂质位于量子点中心时,施主束缚能E_b有最大值.此外,施主束缚能E_b随着量子点高度H(半径R)的增大而减小,随着量子点中Al含量x的增大而增大.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2010年01期)

惠萍[8](2009)在《类氢施主杂质量子环能级和束缚能的B样条计算》一文中研究指出利用B样条技术计算类氢施主杂质量子环能级和束缚能的量子尺寸效应.计算结果表明:量子环的能级E1随着抛物势ω的增加而增大.E1-r0曲线存在极小值,极小值的位置r00随着ω的增加而减小.束缚能Eb随着量子环半径r0的增加而单调快速地下降.在r0<60 nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应很明显.在r0>60 nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应不明显;在r0<70nm区域,随着角动量me从0增加到3,E1-r0和Eb-r0曲线的斜率发生剧烈的变化,E1的极小值的位置r00随着me的增加而快速增大.在r0>80 nm区域,E1-r0和Eb-r0曲线分别会聚成一条线,E1和Eb不依赖于me值的变化而变化;随着施主杂质的电荷增大,能级E1快速下降,E1-r0曲线的极小值的位置r00明显减小.库仑能不可以作为微扰项来处理.(本文来源于《广东教育学院学报》期刊2009年05期)

郑冬梅,王宗篪[9](2009)在《杂质对柱形量子点系统束缚能的影响》一文中研究指出在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的叁维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中杂质体系的基态能量与杂质电荷的关系,讨论了杂质电子的束缚能随量子点的主要结构参数(量子点高度L和量子点半径R)以及杂质在量子点中不同位置的变化规律,并研究了考虑量子点内外电子有效质量失配对杂质电子束缚能的影响.(本文来源于《河北师范大学学报(自然科学版)》期刊2009年02期)

郑文礼,李志文,李树深,王雪峰[10](2008)在《GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能》一文中研究指出在有效质量近似下,采用微扰法研究了InAs/GaAs量子点内类氢杂质基态及低激发态的束缚能.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,精确地求解了电子的薛定谔方程.数值计算结果表明,类氢杂质基态及低激发态的束缚能敏感地依赖于抛物形势的角频率,受类氢杂质的影响,谱线发生蓝移.这一结果对设计和制备量子点器件是有价值的.(本文来源于《大学物理》期刊2008年06期)

杂质束缚能论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

量子线中类氢杂质束缚能的计算方法有很多,本文利用分离变数法将类氢杂质的定态薛定谔方程分离成两个分别与角度和距离有关的二阶常微分方程。再利用二阶常微分方程在正则奇点邻域内的级数解原理,解类氢杂质的波函数,从而求出类氢杂质的束缚能。通过对具体材料的数值计算,结果与其他文献的报道基本吻合,说明该级数解法可行。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

杂质束缚能论文参考文献

[1].黄晓亚,王新练.杂质对方形量子点基态能和束缚能的影响[J].量子电子学报.2017

[2].肖心举,纪登辉,王立威,龙建松.无限深抛物线势量子线中类氢杂质束缚能的级数解法[J].科技展望.2016

[3].王广新.圆柱形GaAs量子环中施主杂质束缚能的磁场效应[J].华北理工大学学报(自然科学版).2016

[4].尹新,王海龙,龚谦,封松林.GaInAsP/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能[J].量子电子学报.2013

[5].郑冬梅,王宗篪,苏春燕.内建电场和杂质对双电子柱形量子点系统束缚能的影响[J].量子电子学报.2011

[6].胡靖华,孙晓东,胡耀祖.在磁场作用下量子阱中类氢杂质束缚能的计算[J].武汉理工大学学报.2010

[7].楚兴丽,张莹.闪锌矿GaN量子点中类氢杂质态的束缚能[J].原子与分子物理学报.2010

[8].惠萍.类氢施主杂质量子环能级和束缚能的B样条计算[J].广东教育学院学报.2009

[9].郑冬梅,王宗篪.杂质对柱形量子点系统束缚能的影响[J].河北师范大学学报(自然科学版).2009

[10].郑文礼,李志文,李树深,王雪峰.GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能[J].大学物理.2008

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