焦平面器件论文开题报告文献综述

焦平面器件论文开题报告文献综述

导读:本文包含了焦平面器件论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献,主要关键词:长波,平面,晶格,中波,倒装,短波,大面。

焦平面器件论文文献综述写法

李浩,林春,周松敏,郭慧君,王溪[1](2019)在《碲镉汞雪崩焦平面器件》一文中研究指出碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为16×16.焦平面器件在0~6V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小于20%.6 V偏压下NEPh约为60,过剩噪声因子为1.2.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年05期)

刘子骥,赵晟晨,赵征庭,李聿达,郑兴[2](2019)在《非制冷红外焦平面阵列器件的热时间常数测试方法》一文中研究指出热时间常数是基于微测辐射热计的非制冷红外探测器的关键指标参数,它与探测器的最高有效帧频直接相关,因此准确测量热时间常数对于器件设计和应用都有举足轻重的意义。但目前无论是探测器热时间常数的标称值还是基于单元的热时间常数现有方法的测试值,都无法建立与探测器的频率响应特性的直接定量函数关系,以确定探测器工作的最小帧间时间间隔。直接基于阵列器件测量热时间常数的方法,借助低于1/2帧频的斩波调制,通过变频时域采集,快速傅里叶变换(FFT)等常规测试手段,提取有效的电压响应信号,拟合频响曲线,能快速有效地提取热时间常数。通过实测分析,该测量方法具有准确度高、抗干扰能力强、稳定性高、测试用时短的特点,且均采用通用的测试仪器,无需单独制作测试样品,具有较高的推广价值。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2019年12期)

谭振,杨海玲,孙海燕,孙浩,周立庆[3](2019)在《大面阵碲镉汞长波红外焦平面器件刻蚀工艺非均匀性研究》一文中研究指出作为探测器组件的性能指标之一,响应率非均匀性对其实际应用具有重要影响,尤其是在低背景空间应用领域。大面阵探测器芯片的接触孔尺寸不均匀是导致器件响应不均匀的因素之一。对1280×1024大面阵长波红外探测器芯片的接触孔刻蚀工艺进行了研究,并提出了优化改进措施。结果表明,本文方法可提高刻蚀工艺的均匀性,进而降低探测器组件响应率的非均匀性。(本文来源于《红外》期刊2019年09期)

亢喆,曹海娜,邱国臣,肖钰[4](2019)在《锑化铟红外焦平面器件钝化前脱水工艺研究》一文中研究指出设计了一种专门用于锑化铟红外探测器器件工艺中钝化前的脱水处理工艺技术。包含脱水、干燥和表面处理等一系列的工艺步骤,可作为基于锑化铟材料的焦平面红外探测器器件中钝化前的标准化处理工艺。针对脱水工艺设计中遇到的问题对操作方式进行了重新设计和改进,避免了工艺引入杂质和离子对器件性能造成影响。改进后的工艺在脱水处理后采用高温烘干与吹扫相结合的方式对芯片进行干燥,并加入预处理工艺对脱水后钝化前的芯片进行表面处理,从而使锑化铟材料红外器件工艺适应各种环境湿度的工艺条件。(本文来源于《电子器件》期刊2019年03期)

张舟,汪良衡,杨煜,李云涛,丁颜颜[5](2018)在《InAs/GaSb二类超晶格中长波双色红外焦平面器件研究》一文中研究指出采用分子束外延工艺方法生长的InAs/GaSb二类超晶格材料因其独特的能带断带结构,极大地降低了俄歇复合暗电流,且其较大的电子有效质量使得隧穿电流进一步降低,因此超晶格材料成为国内外红外领域研究关注的重点。本文介绍的超晶格中长波双色探测器采用npn背靠背结构,阵列规模为320×256,像元中心距为30mm。其中测得80K温度下,-0.1V偏压工作时中波50%截止波长为4.5mm,0.17V偏压工作时长波50%截止波长为10.5mm,对应的峰值量子效率为45%、33%,相应的暗电流密度为5.94×10~(-7)A/cm~2@-0.1V、1.72×10~(-4)A/cm~2@0.17V,NETD为16.6mK、15.6mK。(本文来源于《红外技术》期刊2018年09期)

樊华,王溪,魏彦锋,廖清君,胡晓宁[6](2017)在《可见短波红外碲镉汞焦平面器件响应光谱测量及理论分析》一文中研究指出碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)红外焦平面器件可通过去衬底技术将响应波段从红外拓展到可见光,实现可见到短波红外的宽谱探测,对高光谱成像系统的小型化和微型化具有重要意义。本文重点研究了碲镉汞焦平面器件在可见短波红外的响应光谱,搭建了可见短波红外光栅光谱测试系统,并结合傅立叶红外光谱测试,测量了碲镉汞焦平面器件在0.5-3.1μm的响应光谱,器件截止波长约为2.79μm。并采用一维漂移扩散理论模型对响应光谱进行了分析,吸收层厚度、界面产生复合速率等都会对器件的响应光谱产生影响。(本文来源于《2017年光学技术研讨会暨交叉学科论坛论文集》期刊2017-09-20)

李锋,董峰,冯旗[7](2017)在《320×256中波红外焦平面器件低噪声采集系统设计》一文中研究指出根据320×256中波红外焦平面器件内部电路结构特点以及输出微弱模拟信号的特点,系统从低噪声和抗干扰的角度出发,设计了由电源模块、驱动电路、A/D转换电路、数据处理电路、时序控制模块等模块组成的低噪声中波红外焦平面图像数据采集系统。通过噪声测试和成像实验得到,在26℃的室温下,测得的电路噪声为0.1 m V,在1000?s积分时间时系统噪声1.5 m V,各个像元的SNR在62~65 d B之间。(本文来源于《红外技术》期刊2017年08期)

郝立超,黄爱波,解晓辉,李辉,赖灿雄[8](2017)在《32×32甚长波红外HgCdTe焦平面器件(英文)》一文中研究指出甚长波红外波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。设计了一种32×32甚长波红外焦平面阵列,采用在ZnCdTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成光敏元,通过铟柱倒焊技术和带有改进型背景抑制结构的读出电路互联,制成截止波长达到14滋m的焦平面器件。该红外焦平面器件像元面积为60滋m×60滋m,工作温度在50 K温度下。测试结果显示:读出电路性能良好,焦平面黑体响应率达到1.35×107V/W,峰值探测率为2.57×10~(10)cmH z~(1/2)/W,响应率非均匀性约为45%,盲元率小于12%。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2017年05期)

谢珩,王宪谋,王骏[9](2017)在《百万像素级红外焦平面器件倒装互连工艺研究》一文中研究指出介绍了倒装互连技术的工艺原理,阐述了红外焦平面器件倒装互连的工艺特点。通过系列实验和分析,最终优化并确定了百万像素级红外焦平面器件倒装互连的工艺参数,获得了良好的互连效果。(本文来源于《激光与红外》期刊2017年03期)

谢珩,东海杰,张懿[10](2017)在《长波长线列碲镉汞焦平面器件拼接工艺研究》一文中研究指出长波5000元长线列碲镉汞焦平面器件由5个长波1000元混成芯片在拼接基板上交错排列组成。本文采用拼接互连设备的正贴方法进行单模块与拼接基板的拼接,试验结果表明:该拼接方法的拼接位置精度在X和Y轴方向均小于8μm,在Z轴方向小于15μm,满足需求。(本文来源于《激光与红外》期刊2017年01期)

焦平面器件论文开题报告范文

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

热时间常数是基于微测辐射热计的非制冷红外探测器的关键指标参数,它与探测器的最高有效帧频直接相关,因此准确测量热时间常数对于器件设计和应用都有举足轻重的意义。但目前无论是探测器热时间常数的标称值还是基于单元的热时间常数现有方法的测试值,都无法建立与探测器的频率响应特性的直接定量函数关系,以确定探测器工作的最小帧间时间间隔。直接基于阵列器件测量热时间常数的方法,借助低于1/2帧频的斩波调制,通过变频时域采集,快速傅里叶变换(FFT)等常规测试手段,提取有效的电压响应信号,拟合频响曲线,能快速有效地提取热时间常数。通过实测分析,该测量方法具有准确度高、抗干扰能力强、稳定性高、测试用时短的特点,且均采用通用的测试仪器,无需单独制作测试样品,具有较高的推广价值。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

焦平面器件论文参考文献

[1].李浩,林春,周松敏,郭慧君,王溪.碲镉汞雪崩焦平面器件[J].红外与毫米波学报.2019

[2].刘子骥,赵晟晨,赵征庭,李聿达,郑兴.非制冷红外焦平面阵列器件的热时间常数测试方法[J].红外与激光工程.2019

[3].谭振,杨海玲,孙海燕,孙浩,周立庆.大面阵碲镉汞长波红外焦平面器件刻蚀工艺非均匀性研究[J].红外.2019

[4].亢喆,曹海娜,邱国臣,肖钰.锑化铟红外焦平面器件钝化前脱水工艺研究[J].电子器件.2019

[5].张舟,汪良衡,杨煜,李云涛,丁颜颜.InAs/GaSb二类超晶格中长波双色红外焦平面器件研究[J].红外技术.2018

[6].樊华,王溪,魏彦锋,廖清君,胡晓宁.可见短波红外碲镉汞焦平面器件响应光谱测量及理论分析[C].2017年光学技术研讨会暨交叉学科论坛论文集.2017

[7].李锋,董峰,冯旗.320×256中波红外焦平面器件低噪声采集系统设计[J].红外技术.2017

[8].郝立超,黄爱波,解晓辉,李辉,赖灿雄.32×32甚长波红外HgCdTe焦平面器件(英文)[J].红外与激光工程.2017

[9].谢珩,王宪谋,王骏.百万像素级红外焦平面器件倒装互连工艺研究[J].激光与红外.2017

[10].谢珩,东海杰,张懿.长波长线列碲镉汞焦平面器件拼接工艺研究[J].激光与红外.2017

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