Cu-SiO2复合薄膜的电化学过程

论文摘要

目前有关凝胶薄膜电化学形成机理的研究较少。以醋酸铜、正硅酸乙酯和柠檬酸钠在室温下配制了nCu2+∶nCit3-为1∶2,pH值为5.2,nCu2+∶nSi分别为3∶7,2∶8和1∶9的澄清透明的复合溶胶（Sol 1,Sol 2,Sol 3）;以这3种复合溶胶为电解液,采用恒电位沉积法在氧化铟锡（ITO）电极上制备了Cu-SiO2凝胶薄膜,并用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM/EDS）对薄膜进行表征;采用循环伏安法（CV）、交流阻抗技术（EIS）和计时安培法（CA）研究了复合薄膜的沉积机理。结果表明:在沉积电位范围内得到Cu-SiO2薄膜;在低电位下,Cu在Sol 1和Sol 2中的沉积过程为电化学控制,随着电位负移,电化学控制和Cu（Ⅱ）扩散控制同时存在,且Cu（Ⅱ）扩散控制起主要作用。反应电阻随着电位负移先减小再增大,反应电阻增大可能与ITO电极表面凝胶膜的形成有关。Sol 3中,研究电位下同时存在电化学控制和Cu（Ⅱ）扩散控制,且随着电位负移,Cu（Ⅱ）扩散控制也占主要作用。反应电阻随着沉积电位负移一直增大;研究电位下,Cu在溶胶中的电结晶过程遵循三维瞬时成核（3DI）生长机理。

论文目录

• 0前言
• 1 试验
•   1.1 复合溶胶电解液的制备
•   1.2 电化学试验
•   1.3 薄膜的表征
• 2 结果与讨论
•   2.1 薄膜的制备和循环伏安 （CV） 曲线
•   2.2 凝胶薄膜的表征
•   2.3 薄膜形成的电化学研究
•     2.3.1 溶胶电解液组成和沉积反应
•     2.3.2 交流阻抗谱 （EIS）
•     2.3.3 计时安培 （CA） 曲线
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 王星星,辜敏

关键词: 电化学沉积,复合薄膜,沉积机理,成核机理,电化学测试

来源: 材料保护 2019年06期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 重庆大学煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室资源及环境科学学院

分类号: TB383.2

DOI: 10.16577/j.cnki.42-1215/tb.2019.06.001

页码: 1-7+63

总页数: 8

文件大小: 2947K

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