Ar等离子体处理对GaAs纳米线发光特性的影响

论文摘要

采用Ar等离子体处理GaAs纳米线,通过光致发光测试研究了等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响。在不同测试温度和不同激发功率密度下,研究了发光光谱各个发光峰的来源和机制。研究结果表明:随着功率增加,GaAs自由激子发光逐渐消失,束缚激子发光强度先减小后增大;当功率增加到200 W时,出现施主-受主对（DAP）发光。通过对比不同样品在283℃下的发光光谱,得到了等离子体处理过程中GaAs纳米线的结构变化:当处理功率较小时,Ar等离子体在消除表面态的同时将空位缺陷引入GaAs中;当处理功率较大时,GaAs的晶体结构遭到破坏,形成施主类型的缺陷,出现DAP发光。

论文目录

• 1 引 言
• 2 实 验
• 3 实验结果与讨论
• 4 结 论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 高美,李浩林,王登魁,王新伟,方铉,房丹,唐吉龙,王晓华,魏志鹏

关键词: 光谱学,纳米线,等离子体处理,光致发光,缺陷,偏压功率

来源: 中国激光 2019年02期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 物理学,材料科学

单位: 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学材料科学与工程学院

基金: 国家自然科学基金(61474010,61504012,61674021,61704011),吉林省科技发展计划(20160519007JH,20170520117JH,20170520118JH,20160204074GX),吉林省科技厅重大科技招标专项(20160203015GX),国家重点研发计划(2017YFB0402800),长春理工大学科技创新基金(XJJLG-2016-11,XJJLG-2016-14)

分类号: TB383.1;O53

页码: 282-287

总页数: 6

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