论文摘要
本征非晶硅（a-Si:H）钝化是获得高效非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键技术之一,但由于非晶硅的结构复杂多变,至今仍无法对其结构与性能的关联进行简洁的线性表征。本研究采用Sinton设备,测试不同工艺制备的双面a-Si:H薄膜钝化的N型单晶硅片的少子寿命,表征a-Si:H对硅片表面的钝化效果,采用椭圆偏振光谱仪测试拟合a-Si:H薄膜的折射率、消光系数、光学带隙等参数,分析它们与钝化效果的关联。发现:介电函数虚部ε2的峰值和薄膜禁带宽度大致呈现线性关系,高频折射率n∞与钝化后少子寿命呈线性关系。因介电函数由材料的能带结构、态密度等结构因素决定,所以ε2峰值与n∞这两个参数有望为非晶硅结构与钝化效果的理解提供新的表征思路,指导工艺的优化改进。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 钟观发,刘一见,邰鑫,黄海宾,袁吉仁
关键词: 本征非晶硅,钝化,椭偏仪,高频折射率
来源: 南昌大学学报(理科版) 2019年06期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅱ辑
专业: 电力工业
单位: 南昌大学光伏研究院,中国电子科技集团公司第三十二研究所,南昌大学理学院
基金: 国家自然科学基金资助项目(61741404),科技部国家重点研发计划课题(2018YFB1500403),南昌大学研究生创新专项资金资助项目(CX2018011)
分类号: TM914.4
DOI: 10.13764/j.cnki.ncdl.2019.06.005
页码: 532-536
总页数: 5
文件大小: 385K
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