导读:本文包含了氧化铟锡论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:等离子体,电感,杂质,化学,氧化物,硅烷,薄膜。
氧化铟锡论文文献综述
许永姿,彭巨擘,张家涛,崔涛,张启旺[1]（2019）在《化学共沉淀法制备氧化铟锡粉末成形研究》一文中研究指出采用X射线衍射(XRD)、扫面电子显微镜(SEM)和激光散射粒度分布分析仪表征研究了共沉淀法制备ITO粉末过程中,氨水直接混合对ITO粉末成形的影响。同时对比了硝酸铵、氯化铵和硫酸铵叁种不同的沉淀母液对ITO粉末颗粒成形的影响。结果表明,采用的共沉淀法均能成功合成ITO粉末,其中NH_4NO_3体系对ITO粉末颗粒晶相影响较小,能获得单一相的ITO粉末,且颗粒粒径分布较集中,形貌较为规整。因此,NH_4NO_3体系比较适用于制备ITO粉末颗粒。(本文来源于《矿冶》期刊2019年05期）
宋思悦,刘旭炜,林鸿霄,王学进,何志巍[2]（2019）在《电镀法在氧化铟锡上制备铜锌锡硫薄膜的光谱特征（英文）》一文中研究指出低成本、环境友好的铜锌锡硫替代含贵金属和有毒金属的铜铟镓硒,是薄膜太阳能电池的最佳选择。电镀法是一种无需真空设备和靶材的低成本方法。一种更简单的制膜方法是在水溶液中共电镀沉积Cu-Zn-Sn(CZT)合金于FTO衬底上。采用氩气保护气氛下在550℃硫化电镀法制得的CZT合金前驱体,成功制备了CZTS薄膜。采用叁电极体系将CZT合金前驱体电镀在FTO上,其中FTO作为工作电极,铂(Pt)网和Ag/AgCl分别作为对电极和参比电极。电解质由CuSO_4, ZnSO_4, SnSO_4,络合剂-叁乙醇胺(TEA)和柠檬酸钠组成。前驱体在氩气保护气氛下550℃硫化得到CZTS薄膜。采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光光谱仪和光电化学测量(PEC)等方法,表征了CZTS薄膜的结构、形貌、成分和光谱学性质。XRD和拉曼光谱证明了550℃硫化后的CZTS薄膜具有锌黄锡矿结构。一个Raman主峰位于342 cm~(-1),两个Raman次强峰分别位于289和370 cm~(-1),这些峰位与锌黄锡矿CZTS的峰位相吻合。SEM结果证明优化后CZTS薄膜成分接近CZTS的理想化学计量比, CZTS薄膜中Cu/(Zn+Sn)和S/(Zn+Sn+Cu)分别为0.52和1.01,这表明CZTS薄膜中S的含量非常合适。PEC结果证实,采用前照射或后照射FTO/CZTS均产生光电流,并且两种照射下产生的光电流方向一致。通过紫外可见光光谱测量并由此计算出的CZTS能隙为1.45 eV。通过上述分析证明制备的CZTS薄膜具有高品质,可用于制备CZTS薄膜太阳能电池。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2019年09期）
墨淑敏,王长华,李娜,邱长丹[3]（2019）在《微波消解-电感耦合等离子体质谱法测定氧化铟锡靶材中13种痕量杂质元素》一文中研究指出氧化铟锡中杂质元素的含量是衡量其产品性能的重要参数。采用盐酸以微波消解法处理样品,以Cs为内标,氩气模式下测定~(24 )Mg、~(27 )Al、~(52)Cr、~(58 )Ni、~(63)Cu、~(64)Zn、~(90)Zr、~(208)Pb、~(205 )Tl、~(111 )Cd,氢气碰撞反应池模式测定~(28)Si、~(40)Ca、~(56)Fe,实现了电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)对氧化铟锡靶材(ITO)中镁、铝、硅、钙、铬、铁、铜、镍、锌、锆、镉、铅、铊等13种痕量杂质元素的测定。实验表明,当氧化铟锡基体质量浓度为1.00mg/mL时,基体效应可忽略;13种杂质元素在1.0～100ng/mL范围内线性良好,线性相关系数均大于0.9990。方法检出限为0.002～0.15μg/g,测定下限为0.007～0.50μg/g。将方法应用于氧化铟锡靶材样品中13种痕量杂质元素的分析,相对标准偏差(RSD,n=7)均小于5%,加标回收率为88%～114%。采用实验方法对氧化铟锡靶材样品进行分析,并与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)进行比对,二者测定值基本一致。(本文来源于《冶金分析》期刊2019年04期）
杨文婷[4]（2019）在《在氧化铟锡导电玻璃上化学浴沉积ZnO纳米线》一文中研究指出以Zn(NO_3)_2·6H_2O、六亚甲基四胺和聚乙烯亚胺(PEI)为原料,采用化学浴沉积法在沉积了ZnO种子层的氧化铟锡导电玻璃衬底上制备ZnO纳米线,研究了种子层沉积温度(150,200℃)以及PEI浓度(0～9.0mmol·L~(-1))、生长时间(3～12h)和水浴温度(65～95℃)对ZnO纳米线形貌和尺寸的影响。结果表明:在试验参数下均能成功制备得到ZnO纳米线;当种子层沉积温度为200℃,生长时间为9h,水浴温度为95℃,PEI浓度为4.5mmol·L~(-1)时,ZnO纳米线呈规则六棱柱状生长,并垂直排列于衬底上,且长径比最大,达20.56。(本文来源于《机械工程材料》期刊2019年03期）
孙磊,晏菲,周璘,苏彬[5]（2018）在《氧化铟锡薄膜电极的表面修饰》一文中研究指出氧化铟锡(ITO)薄膜电极具有良好的物理(导电性高、透光性好)和化学性能,对其表面进行修饰可进一步拓展其在电分析化学中的应用。该文根据目前的研究现状,简要介绍了ITO薄膜电极的制备和清洗方法,总结了ITO薄膜电极的表面修饰方法,着重介绍了应用较多的化学吸附、硅烷化、电化学接枝3类方法,并简要评述了ITO薄膜电极表面修饰方法面临的挑战及应用前景。(本文来源于《分析测试学报》期刊2018年10期）
刘欢,华中胜,何几文,唐泽韬,张伟伟[6]（2018）在《废弃氧化铟锡中铟的回收技术综述》一文中研究指出废弃氧化铟锡(ITO)的回收利用对我国铟资源的可持续发展与环境保护具有重要意义。本文首先对废弃ITO的回收潜能进行了初步评估;进而系统概述了废弃ITO回收技术的研究进展,回收工艺主要包括湿法与火法,分析比较了现有回收技术的优缺点;在此基础上,指出了当前废弃ITO资源化处理过程中存在的主要问题及相应的解决对策;最后展望了废弃ITO资源化利用未来的研究趋势,开发高效、环境友好型回收工艺是今后重要的研究课题。(本文来源于《材料导报》期刊2018年11期）
王志萍,孙洪涛,王巧[7]（2018）在《微波消解-电感耦合等离子体原子发射光谱法测定氧化铟锡靶材中11种痕量杂质元素》一文中研究指出使用盐酸并采用微波消解处理样品,选择Fe 238.204nm、Ca 317.933nm、Mg285.213nm、Al 396.152nm、Cd 214.438nm、Cr 267.716nm、Cu 324.754nm、Ni 221.647nm、Pb220.353nm、Si 251.611nm、Tl 190.856nm为分析谱线,采用基体匹配法绘制校准曲线消除基体效应的影响,使用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)同时测定铁、钙、镁、铝、镉、铬、铜、镍、铅、硅、铊,从而建立了氧化铟锡靶材中铁、钙、镁、铝、镉、铬、铜、镍、铅、硅、铊等痕量杂质元素的分析方法。各元素校准曲线线性相关系数均大于0.999 5;方法中各元素的测定下限为0.30~1.78μg/g。按照实验方法测定2个氧化铟锡靶材样品中铁、钙、镁、铝、镉、铬、铜、镍、铅、硅、铊,结果的相对标准偏差(RSD,n=11)为1.1%~8.2%,加标回收率为92%~108%。(本文来源于《冶金分析》期刊2018年05期）
王巧,王志萍,孙洪涛[8]（2018）在《碱熔融-电感耦合等离子体原子发射光谱法测定氧化铟锡烧结混合粉中5种杂质元素》一文中研究指出采用氢氧化钠熔融样品,热水浸取后盐酸酸化,建立了碱熔融-电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定氧化铟锡烧结混合粉中Fe、Ca、Mg、Al和Si等元素的分析方法.试验结果表明:称取0.500 0 g试样,加入0.80 g氢氧化钠,在灰化炉中熔融120 min,可将样品完全溶解.基体铟和锡的干扰采用基体匹配法消除,被测元素之间没有光谱干扰.钠盐对硅的测定有一定影响,可在标准溶液中加入一定量氢氧化钠予以消除.对方法进行精密度和加标回收试验,测得结果的相对标准偏差均小于5%,方法加标回收率在90%~105%之间.(本文来源于《分析测试技术与仪器》期刊2018年01期）
李佳明,陈牧,姜良宝,刘伟明,韦友秀[9]（2017）在《退火温度对氧化铟锡(ITO)薄膜光电性能的影响》一文中研究指出广泛应用的功能优异的透明导电氧化物薄膜多呈结晶态,而目前一些仅通过薄膜室温沉积法制备出的薄膜,在不足以满足性能指标和使用需求时,需要采取后处理~([1])。本文首先利用磁控溅射法在化学强化无机玻璃上制备了非晶态氧化铟锡(ITO)薄膜,然后在石英管式炉中真空退火,退火温度分别为150℃、200℃、300℃、400℃、500℃,保温时间为5 min。采用四探针方阻仪、霍尔效应仪、紫外可见近红外分光光度计、表面应力仪等测试手段分别对退火前后ITO薄膜的电学、光学性质以及化学强化无机玻璃力学性能进行了研究。实验结果表明,如图1(a)所示,退火温度超过300℃,ITO方阻明显下降。具体为:300℃时方阻较退火前的下降率约16%。400℃时方阻下降率约51%。500℃时方阻下降率约64%。如图1(b)所示,退火温度低于300℃时,随着温度的增加,ITO中载流子浓度明显增加。超过300℃后,载流子浓度随温度的变化不明显,迁移率明显增大。随着退火温度的增加,ITO薄膜在可见光范围的透光率随之增加。随着退火温度的增加,化学强化玻璃强度表面压应力的下降率随之增加。这些结果对于优化退火工艺、改善薄膜光电性能以及化学强化无机玻璃力学性能具有较高的指导意义。(本文来源于《TFC’17全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2017-08-19）
崔行恒[10]（2017）在《磁性元素掺杂氧化铟锡纳米结构的制备与物性研究》一文中研究指出稀磁氧化物能在同一材料上结合半导体性与铁磁性,具有广阔的应用前景,受到了很大的关注。在氧化物基体中,氧化铟锡(indium tin oxide:ITO)基稀磁氧化物具有高可见光透过率、优异的导电性、高过渡金属离子相溶性,被认为是最有发展潜力的稀磁氧化物主基体。关于磁性元素掺杂ITO纳米颗粒的制备,在以往报道中,研究者总是采取物理方法(比如溅射)将其掺杂入氧化物中,这些方法制备的样品往往有不同程度的磁性掺杂物析出,而样品的铁磁性也有相当一部分源于此析出杂质。在本论文中,则是利用化学热分解法直接在一般空气环境下制备高质量的磁性元素掺杂ITO纳米颗粒,并利用溶胶-凝胶法制备出相应的磁性元素掺杂ITO纳米颗粒薄膜。探索了磁性元素掺杂ITO纳米结构相应的物理特性,为日后进一步开展磁性透明电极提供了实验基础。主要研究结果如下:1.利用化学热分解法制备了掺镝ITO纳米颗粒,通过X射线衍射等测定,样品中没有Dy2O3晶体被发现。掺镝TO纳米颗粒的磁矩与Dy3+的掺杂浓度有关,Dy3+掺杂浓度越高则样品中的磁矩越高。另外,在Sn4+浓度高即电子浓度高的情况下,磁化强度显着升高。这种磁性强化源于RKKY理论所预言的载流子诱导的铁磁性,说明Dy-ITO纳米颗粒中的传导电子和Dy3+中的f层电子存在着较强交换耦合作用。另外,在溶胶-凝胶法制备的薄膜上观察到了由反弱局域化效应引起的正磁致电阻变化率。Dy3+使ITO体系的产生了很强的自旋-轨道耦合。2.通过化学热分解法制备的Fe-ITO纳米颗粒和Fe-ITO纳米颗粒薄膜有很好的结晶度且没有Fe氧化物的杂项。Fe-ITO纳米颗粒薄膜中的电导模式为ES型变程跳跃电导。在低温弱场条件下,Fe-ITO纳米颗粒薄膜磁致电阻曲线出现了正磁电阻阻变化率,表明了体系中的二维电子气由于自旋散射产生了反弱局域化效应,Fe的掺入使得ITO体系中引入了一个很强的s-d耦合。(本文来源于《上海师范大学》期刊2017-05-31）
氧化铟锡论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
低成本、环境友好的铜锌锡硫替代含贵金属和有毒金属的铜铟镓硒,是薄膜太阳能电池的最佳选择。电镀法是一种无需真空设备和靶材的低成本方法。一种更简单的制膜方法是在水溶液中共电镀沉积Cu-Zn-Sn(CZT)合金于FTO衬底上。采用氩气保护气氛下在550℃硫化电镀法制得的CZT合金前驱体,成功制备了CZTS薄膜。采用叁电极体系将CZT合金前驱体电镀在FTO上,其中FTO作为工作电极,铂(Pt)网和Ag/AgCl分别作为对电极和参比电极。电解质由CuSO_4, ZnSO_4, SnSO_4,络合剂-叁乙醇胺(TEA)和柠檬酸钠组成。前驱体在氩气保护气氛下550℃硫化得到CZTS薄膜。采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光光谱仪和光电化学测量(PEC)等方法,表征了CZTS薄膜的结构、形貌、成分和光谱学性质。XRD和拉曼光谱证明了550℃硫化后的CZTS薄膜具有锌黄锡矿结构。一个Raman主峰位于342 cm~(-1),两个Raman次强峰分别位于289和370 cm~(-1),这些峰位与锌黄锡矿CZTS的峰位相吻合。SEM结果证明优化后CZTS薄膜成分接近CZTS的理想化学计量比, CZTS薄膜中Cu/(Zn+Sn)和S/(Zn+Sn+Cu)分别为0.52和1.01,这表明CZTS薄膜中S的含量非常合适。PEC结果证实,采用前照射或后照射FTO/CZTS均产生光电流,并且两种照射下产生的光电流方向一致。通过紫外可见光光谱测量并由此计算出的CZTS能隙为1.45 eV。通过上述分析证明制备的CZTS薄膜具有高品质,可用于制备CZTS薄膜太阳能电池。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氧化铟锡论文参考文献
[1].许永姿,彭巨擘,张家涛,崔涛,张启旺.化学共沉淀法制备氧化铟锡粉末成形研究[J].矿冶.2019
[2].宋思悦,刘旭炜,林鸿霄,王学进,何志巍.电镀法在氧化铟锡上制备铜锌锡硫薄膜的光谱特征（英文）[J].光谱学与光谱分析.2019
[3].墨淑敏,王长华,李娜,邱长丹.微波消解-电感耦合等离子体质谱法测定氧化铟锡靶材中13种痕量杂质元素[J].冶金分析.2019
[4].杨文婷.在氧化铟锡导电玻璃上化学浴沉积ZnO纳米线[J].机械工程材料.2019
[5].孙磊,晏菲,周璘,苏彬.氧化铟锡薄膜电极的表面修饰[J].分析测试学报.2018
[6].刘欢,华中胜,何几文,唐泽韬,张伟伟.废弃氧化铟锡中铟的回收技术综述[J].材料导报.2018
[7].王志萍,孙洪涛,王巧.微波消解-电感耦合等离子体原子发射光谱法测定氧化铟锡靶材中11种痕量杂质元素[J].冶金分析.2018
[8].王巧,王志萍,孙洪涛.碱熔融-电感耦合等离子体原子发射光谱法测定氧化铟锡烧结混合粉中5种杂质元素[J].分析测试技术与仪器.2018
[9].李佳明,陈牧,姜良宝,刘伟明,韦友秀.退火温度对氧化铟锡(ITO)薄膜光电性能的影响[C].TFC’17全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2017
[10].崔行恒.磁性元素掺杂氧化铟锡纳米结构的制备与物性研究[D].上海师范大学.2017
论文知识图
