导读:本文包含了耐熔金属论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:化物,金属硅,金属,约瑟夫,氮化物,高温,电动势。
耐熔金属论文文献综述
胡滨,阮爱武,李平,翟亚红,蔡道林[1]（2007）在《单片集成微传感器中多层耐熔金属硅化物互连》一文中研究指出在微传感器系统中,采用多层耐熔金属硅化物互连工艺,克服微传感器与IC芯片单片集成时,铝连线不能承受微传感器制造过程中要求的退火高温,而且此互连结构能在标准CMOS工艺线上加工,降低了制造成本.经流片验证,此互连结构具有台阶覆盖能力强、热稳定性好、电阻率较低、易于干法刻蚀等特点,能满足大规模IC多层互连线要求.由它构成的大规模数模混合集成电路,在退火条件分别为500°C5、h,600°C、30 min,650°C5、min的实验后仍保持性能.以上退火条件符合基于铁电薄膜的微传感器系统单片集成的要求.(本文来源于《上海交通大学学报》期刊2007年S2期）
[2]（1997）在《耐熔金属的熔炼》一文中研究指出日本矿业公司真空冶金材料研究所研究了耐熔金属(如Nb、Mo、Ta)及Nb-1％Zr合金的电子束冷炉熔炼和精炼(EB-CHR),以获得均质的金属材料。 所用的设备是2000kW和400kW的EB—CHR炉和70kW的EB炉,用400kW的EB—CHR炉生产Nb—1％Zr合金时,可控制合金中的锆含量,并且容易分离,在EB—CHR工艺中锆损失的原因与锆的挥发和分离有关。 对2000kW的EB--CHR炉熔炼钼的热平衡进行了测定,热效率约70％,EB炉的能耗与反射电子能量对EB炉输入能量(30％)的比率完全一致,还进行了锻造、热轧、冷轧等机械加工试验,并评价了上述熔炼产品加工性能,EB—CHR工艺所得材料的加工性能优于其它工艺所得的材料。用此工艺成功地生产了一些耐熔金属的板材和片材。(本文来源于《有色冶金节能》期刊1997年05期）
陈赓华,韩智毅,杜寰,徐凤枝,杨乾声[3]（1996）在《耐熔金属约瑟夫逊隧道结制备中Nb／AlO_x－Al／Nb结构质量的检验》一文中研究指出在耐熔金属约瑟夫逊结制备过程中，我们应用各种分析技术对Ｎｂ／ＡｌＯｘ－Ａｌ／Ｎｂ基本结构的质量作了检验；基于这些分析，从实验上确定了用直流磁控溅射制备该结构时的最佳参数．(本文来源于《低温物理学报》期刊1996年06期）
[4]（1990）在《“耐熔金属硅化物研究”通过技术鉴定》一文中研究指出我校微电子所周南生副教授等的“耐熔金属硅化物”研究成果1989年12月通过部级技术鉴定。此项研究在国外始于80年代中期,该课题组立足国内设备条件,跟踪国际水平,历时两年,采用PECVD法在国内首次制备成功性能良好的硅化钛薄膜材料。这一新型材(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊1990年02期）
于宗光[5]（1990）在《化学汽相淀积耐熔金属及其硅化物》一文中研究指出本文综述了化学汽相淀积耐熔金属及其硅化物研究方面的最新进展,并对它们进行了讨论。(本文来源于《微电子学》期刊1990年03期）
唐锐[6]（1989）在《用光学高温计分度耐熔金属热电偶的标准方法 ASTM E452-83》一文中研究指出1 范围1.1本方法用光学高温计作标准仪器分度耐熔金属热电偶,并适用于不能暴露在氧化性气氛中的各种热电偶.这些程序,适合在800℃(1472°F)以上温度的热电偶分度。1.2本分度方法适合于下述热电偶组件1.2.1 1型一热电偶丝之间仅以真空、惰性气体或还原性气体作为电绝缘介质的裸丝热电偶组件。1.2.2 2型一热电偶丝之间用松动配合象单孔或双孔绝缘瓷管一类陶瓷绝缘件的热电偶组件.(本文来源于《仪器仪表标准化与计量》期刊1989年02期）
范永平[7]（1988）在《反应溅射法制备耐熔金属氮化物/GaAs肖特基结》一文中研究指出自对准GaAs场效应晶体管工艺要求非常稳定的材料作为栅电极,经高温退火过程后它仍必须与衬底保持良好的肖特基接触。本文总结了近几年来有关耐熔金属氮化物/GaAs肖特基结的研究工作,对取得的进展及存在的问题进行了讨论。(本文来源于《微电子学》期刊1988年03期）
周南生,严北平,张文敏,王云芝,蒋文清[8]（1986）在《耐熔金属硅化物》一文中研究指出近年来,随着集成度的提高,线宽变窄,栅极布线电阻和互连电阻对延迟时间的贡献增大,大大限制了IC的速度,因此,有关电极和布线等金属化的新材料和新技术的开发成为一个十分迫切的问题。耐熔金属硅化物由于导电率高、高温稳定等优点已经引起人们的注目。本文详细综述了耐熔金属硅化物的性质、形成方法、工艺技术以及在VLSI中的应用,并对其前景进行了展望。(本文来源于《西北电讯工程学院学报》期刊1986年04期）
井上,森雄,何恩生[9]（1985）在《耐熔金属硅化物技术》一文中研究指出一、前言迫切需要高集成化和高速化的动态RAM,与其他LSI相比,常常积极采用最尖端技术,因而扮演了工艺技术尖兵的角色。目前在以2μm设计规则工艺为基础的256K动态RAM中,为了提高速度,在栅电极制作上已经部分地采用了多晶硅-硅化物结构(在多晶硅上形成耐熔金属硅化物的双层结构),从而开始了新材料在超LSI上的真正适用期。随着LSI向1M、4M、16M的高集成化微细化方向发展,栅电极布线电阻的增大问题,伴随浅结化而产生的扩(本文来源于《半导体情报》期刊1985年05期）
Dennis,R,Nichols,蔡菊荣[10]（1983）在《用于硅片制作的共溅射耐熔金属硅化物》一文中研究指出在n沟硅栅MOS工艺技术中,耐熔金属硅化物薄膜可望替代多晶硅金属化,截面积减小后的多晶硅金属化的电阻率使器件性能受到限制。已证明,金属和硅的同时共溅射对控制膜的成分以及后来的热处理都是有利的。(本文来源于《微电子学》期刊1983年02期）
耐熔金属论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
日本矿业公司真空冶金材料研究所研究了耐熔金属(如Nb、Mo、Ta)及Nb-1％Zr合金的电子束冷炉熔炼和精炼(EB-CHR),以获得均质的金属材料。 所用的设备是2000kW和400kW的EB—CHR炉和70kW的EB炉,用400kW的EB—CHR炉生产Nb—1％Zr合金时,可控制合金中的锆含量,并且容易分离,在EB—CHR工艺中锆损失的原因与锆的挥发和分离有关。 对2000kW的EB--CHR炉熔炼钼的热平衡进行了测定,热效率约70％,EB炉的能耗与反射电子能量对EB炉输入能量(30％)的比率完全一致,还进行了锻造、热轧、冷轧等机械加工试验,并评价了上述熔炼产品加工性能,EB—CHR工艺所得材料的加工性能优于其它工艺所得的材料。用此工艺成功地生产了一些耐熔金属的板材和片材。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
耐熔金属论文参考文献
[1].胡滨,阮爱武,李平,翟亚红,蔡道林.单片集成微传感器中多层耐熔金属硅化物互连[J].上海交通大学学报.2007
[2]..耐熔金属的熔炼[J].有色冶金节能.1997
[3].陈赓华,韩智毅,杜寰,徐凤枝,杨乾声.耐熔金属约瑟夫逊隧道结制备中Nb／AlO_x－Al／Nb结构质量的检验[J].低温物理学报.1996
[4]..“耐熔金属硅化物研究”通过技术鉴定[J].西安电子科技大学学报.1990
[5].于宗光.化学汽相淀积耐熔金属及其硅化物[J].微电子学.1990
[6].唐锐.用光学高温计分度耐熔金属热电偶的标准方法ASTME452-83[J].仪器仪表标准化与计量.1989
[7].范永平.反应溅射法制备耐熔金属氮化物/GaAs肖特基结[J].微电子学.1988
[8].周南生,严北平,张文敏,王云芝,蒋文清.耐熔金属硅化物[J].西北电讯工程学院学报.1986
[9].井上,森雄,何恩生.耐熔金属硅化物技术[J].半导体情报.1985
[10].Dennis,R,Nichols,蔡菊荣.用于硅片制作的共溅射耐熔金属硅化物[J].微电子学.1983
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